您的位置： 专家智库 > >

汤晓艳

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇压强
  • 2篇转化率
  • 2篇位错
  • 2篇硅烷
  • 2篇4H-SIC
  • 2篇丙烷

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇苗瑞霞
  • 2篇汤晓艳
  • 2篇张义门
  • 2篇张玉明

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法
本发明公开了一种提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法。主要解决利用刻蚀的方法使基面位错转化成刃型位错时转化率不高的问题。其方法是：(1)用KOH对4H-SiC衬底进行刻蚀，刻蚀温度为480℃～520℃，刻蚀时间为10...
苗瑞霞张玉明汤晓艳张义门
提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法
本发明公开了一种提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法。主要解决利用刻蚀的方法使基面位错转化成刃型位错时转化率不高的问题。其方法是：(1)用KOH对4H-SiC衬底进行刻蚀，刻蚀温度为480℃～520℃，刻蚀时间为10...
苗瑞霞张玉明汤晓艳张义门
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0