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汤晓艳
作品数:
2
被引量:0
H指数:0
供职机构:
西安电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张玉明
西安电子科技大学
张义门
西安电子科技大学
苗瑞霞
西安电子科技大学
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西安电子科技...
作者
2篇
苗瑞霞
2篇
汤晓艳
2篇
张义门
2篇
张玉明
年份
1篇
2011
1篇
2010
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提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法
本发明公开了一种提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法。主要解决利用刻蚀的方法使基面位错转化成刃型位错时转化率不高的问题。其方法是:(1)用KOH对4H-SiC衬底进行刻蚀,刻蚀温度为480℃~520℃,刻蚀时间为10...
苗瑞霞
张玉明
汤晓艳
张义门
提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法
本发明公开了一种提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法。主要解决利用刻蚀的方法使基面位错转化成刃型位错时转化率不高的问题。其方法是:(1)用KOH对4H-SiC衬底进行刻蚀,刻蚀温度为480℃~520℃,刻蚀时间为10...
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