您的位置: 专家智库 > >

焦岗成

作品数:14 被引量:13H指数:2
供职机构:北方夜视科技集团有限公司更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部“优秀青年教师资助计划”国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇压电
  • 4篇陶瓷
  • 3篇压电陶瓷
  • 3篇增强器
  • 3篇显微结构
  • 3篇像增强器
  • 3篇光阴极
  • 2篇电性能
  • 2篇陶瓷制备
  • 2篇品质因数
  • 2篇铌酸
  • 2篇铌酸钾钠
  • 2篇微光像增强器
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇机械品质因数
  • 2篇固相
  • 2篇
  • 2篇

机构

  • 11篇西北工业大学
  • 5篇北方夜视科技...

作者

  • 14篇焦岗成
  • 8篇樊慧庆
  • 4篇王炜
  • 3篇刘来君
  • 2篇彭岔霞
  • 2篇张洁
  • 2篇王志育
  • 2篇郭晖
  • 2篇徐晓兵
  • 2篇胡仓陆
  • 1篇任怀诗
  • 1篇师宏立
  • 1篇邱少君
  • 1篇惠迎雪
  • 1篇刘正堂
  • 1篇王志银
  • 1篇杨陈
  • 1篇杨晓军
  • 1篇侯志鹏
  • 1篇黄建民

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇应用光学
  • 1篇航空材料学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第七届先进材...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 4篇2007
  • 4篇2006
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
向短波红外延伸的微光夜视技术及其应用被引量:6
2014年
对传统的微光像增强器与向短波红外延伸的InGaAs光阴极像增强器进行了比较,分析了通过调节组分而使响应波段覆盖夜天光辐射主要波段的InGaAs材料特性,揭示了以InGaAs半导体材料为光阴极的像增强器将在夜间具有更高的量子效率和响应度。介绍了InGaAs器件技术的国内外研究现状,InGaAs光阴极微光器件在短波红外波段的辐射响应是传统像增强器的100~1 000倍,InGaAs全固态探测器可在0.4μm^1.7μm宽光谱成像,在0.9μm^1.7μm范围的量子效率大于80%,表明该器件在激光探测、远距离定位与跟踪、情报侦察、夜间辅助驾驶等方面可以获得广泛应用。
郭晖彭岔霞焦岗成黄建民
关键词:夜视短波红外INGAAS光阴极微光像增强器
等离子辅助电子束蒸发La_2O_3薄膜的制备
2007年
采用等离子辅助电子束蒸发,在Si(100)衬底上沉积La2O3薄膜。随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1h。实验结果表明,采用等离子辅助电子束蒸发,可以获得非晶态的La2O3薄膜;经750℃热处理后,薄膜部分晶化;经900℃热处理后,薄膜显著晶化,晶粒尺寸明显增大,并沿(002)方向择优取向。对薄膜I-V特性的测量结果表明,沉积态薄膜具有较小的漏电流,但随着热处理温度升高,薄膜晶化程度提高,薄膜漏电流逐渐增大;对薄膜透过率的测量结果表明,单面抛光的Si衬底上沉积La2O3薄膜,在近红外范围内有明显的增透效果,最大可达20%左右。
杨陈樊慧庆焦岗成惠迎雪
关键词:透过率
铌酸钾钠基陶瓷制备及其介电性能研究
本实验研究了掺杂不同含量的钛酸锶对铌酸钾钠基压电陶瓷物相结构、显微结构及其介电性能的影响。利用XRD分析了陶瓷的相结构,利用SEM观察了陶瓷的显微结构,利用阻抗分析仪研究了该陶瓷体系的介电行为。
焦岗成王志育樊慧庆
关键词:铌酸钾钠准同型相界显微结构介电性能
文献传递
宽光谱高蓝绿响应GaAsP阴极微光像增强器
本文报道了直径Ф18mm有效面积的GaAaP光阴极的研究结果,光谱响应0.4~0.8μm,在0.53μm波长处量子效率达到58.8%,该阴极制作的微光像增强器积分灵敏度达到1600μA/Lm,分辨率达到50LP/mm,该...
胡仓陆焦岗成郭晖彭岔霞冯驰徐晓兵成伟王书菲
关键词:微光像增强器量子效率积分灵敏度
文献传递
新型压电材料的微介观组织特征与结构设计研究
樊慧庆刘来君王志银邱少君陈晋焦岗成任怀诗
高技术电子信息系统对各种换能器件、执行器件、传感器件、滤波器件等的大量需求使得压电材料研究成为热点,并要求不断提高性能指标,由于传统压电材料存在性能极限而不能满足日益增长的需求,急需发展新型压电材料代替现有材料。同时,新...
关键词:
关键词:压电材料
铌钽酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种铌钽酸钾钠基压电陶瓷,其原材料为碳酸钾、碳酸钠、氧化铌、氧化钽的基料以及占基料量0.2~0.8mol%的Cu<Sup>2+</Sup>、Sb<Sup>5+</Sup>、Sn<Sup>4+</Sup>、Li...
樊慧庆焦岗成刘来君王炜
文献传递
原子层沉积技术及其在铁电薄膜制备中的应用被引量:4
2007年
讲述原子层沉积技术原理与特点的同时,进一步论述了它在沉积机理和实验真空度这两方面与传统薄膜沉积工艺的异同;综述了此技术在铁电薄膜制备研究方面的最新进展,前驱体的制备与选择、薄膜缺陷的控制以及表面化学反应动力学依然是当前原子层制备铁电薄膜研究的重点;最后展望了原子层沉积技术制备铁电薄膜的发展方向。
王志育焦岗成樊慧庆
关键词:原子层沉积铁电薄膜
电子倍增型GaAs光阴极实验研究
2013年
电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2.
胡仓陆郭晖焦岗成彭岔霞冯驰徐晓兵周玉鉴成伟王书菲
关键词:砷化镓光阴极负电子亲和势
电极表面状态对像增强器耐压性能的影响被引量:1
2017年
像增强器(简称像管)的耐压性能是影响其增益,背景噪声和分辨力的一个重要因素。引起像管电击穿的原因很多,其中,电极的表面形态在其击穿的起始阶段发挥着重要的作用。本文针对像管特有的高场强微间隙电场结构,通过对不同电极进行耐压测试实验,研究其对像管耐压性能的影响。运用表面形貌测试仪对电极表面进行3D形貌测试,结果表明电极表面微凸起形状和尺寸的不同对像管耐压性能的影响差异显著,提高材料表面光洁度对于提高像管耐压性能有着重要的促进作用,最终为突破高场强微间隙像管工艺制作技术提供理论依据。
杨晓军焦岗成李世龙师宏立侯志鹏李丹邱洪金黄武军
关键词:像管场致发射耐压性能
铌酸锶钡陶瓷的固相烧结行为与结构演化研究被引量:2
2006年
采用不同前驱体:Sr(NO3)2,Ba(NO3)2,Nb2O5(NSBN70)和SrCO3,BaCO3,Nb2O5(CSBN70)用传统烧结方法制备Sr0.7Ba0.3Nb2O6陶瓷。通过XRD、SEM实验手段,研究了硝酸盐前驱体制备过程中烧结温度和烧结时间对结构演化的影响。对比了不同前驱体制备SBN70陶瓷的显微结构。实验结果显示:采用硝酸盐前驱体,1400℃下烧结4h可得到纯SBN70相;1375℃烧结6h得到纯SBN70相。与碳酸盐前驱体相比,NSBN70呈现出双结构,比CSBN70易于出现异常晶粒长大。
王炜张洁焦岗成樊慧庆
关键词:前驱体
共2页<12>
聚类工具0