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熊文娟

作品数：37 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 12篇波导
  • 9篇退火
  • 7篇探测器
  • 7篇半导体
  • 6篇刻蚀
  • 6篇衬底
  • 5篇锗
  • 4篇电器件
  • 4篇迁移率
  • 4篇热电器件
  • 4篇热电转换
  • 4篇热电转换效率
  • 4篇接触电极
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇波导传输
  • 4篇波导结

机构

  • 37篇中国科学院微...
  • 2篇广东省大湾区...
  • 1篇贵州大学
  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 37篇熊文娟
  • 18篇李俊峰
  • 14篇王桂磊
  • 8篇蒋浩杰
  • 5篇殷华湘
  • 5篇赵超
  • 5篇罗军
  • 5篇徐强
  • 4篇王大海
  • 4篇王文武
  • 3篇刘金彪
  • 3篇李志华
  • 3篇杨涛
  • 3篇贺晓彬
  • 3篇张永奎
  • 2篇张青竹
  • 2篇李春龙
  • 2篇王晓磊
  • 2篇徐秋霞
  • 2篇刘青

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 4篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 7篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
锗基光波导及其制备方法
本发明提供了一种锗基光波导及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，在第一衬底上顺序形成第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层，第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层沿远离衬底的方向顺序层叠；S2，在第二氮化硅层中形成与锗...
熊文娟李俊峰王桂磊赵雪薇赵超亨利·H·阿达姆松
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半导体结构与其制作方法
本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该方法包括应力大于或者等于1GPa的结构层的制作过程，结构层的制作过程包括：多个沉积步骤，沉积步骤为在基底的表面上或者已经沉积的预结构子层的表面上沉积一个预结构子层，预结构子层的厚...
熊文娟张鹏刘若男李志华李俊峰赵超王文武亨利·H·阿达姆松
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FinFet器件源漏区的形成方法
本发明提供了一种FinFet器件源漏区的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍；在鳍的源漏区域进行离子注入；覆盖鳍的源漏区域以形成界面层，鳍顶部的界面层的厚度大于鳍侧面的界面层的厚度；进行热退火；去除界面层。由于杂质...
刘金彪徐强熊文娟李春龙李俊峰刘青王垚
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一种锗基探测器的集成方法
本发明提供一种锗基探测器的集成方法，包括以下步骤：提供第一衬底，在第一衬底上形成氮化硅波导结构；提供第二衬底，在第二衬底上外延锗以形成锗薄膜层，在锗薄膜层上继续外延锗以形成锗基外延层，并化学机械抛光；在锗基外延层上沉积高...
熊文娟亨利·H·阿达姆松王桂磊赵雪薇孔真真林鸿霄
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带绒面导电氧化锌薄膜的晶体硅太阳能电池及其制造方法
一种带绒面导电氧化锌薄膜的晶体硅太阳能电池及其制造方法，制造方法包括：在电池衬底表面扩散PN结；在所述PN结表面生长本征氧化锌高阻层；在所述本征氧化锌高阻层上制备一层低阻氧化锌薄膜；用稀酸溶液腐蚀所述低阻氧化锌薄膜表面，...
刘金彪熊文娟欧文李俊峰
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一种波导型光电探测器及制造方法
本发明提供一种波导型光电探测器及制造方法，第一衬底的正面形成有包覆层，包覆层中形成有氮化硅光波导，第二衬底的正面形成有锗外延层，第一衬底和第二衬底的正面键合之后，从第二衬底的背面进行减薄，以暴露锗外延层，而后在锗外延层上...
熊文娟王桂磊亨利·H·阿达姆松
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一种热电器件及其制备方法
本发明提供热电器件制备方法，包括步骤，提供第一衬底和第二衬底，在第一衬底上形成氧化层，在第二衬底上形成硅锗锡合金层；键合氧化层和硅锗锡合金层，并去除第二衬底；刻蚀硅锗锡合金层，以形成若干纳米线；淀积介质层，以隔离纳米线；...
亨利·H·阿达姆松熊文娟王桂磊
锗基光波导及其制备方法
本发明提供了一种锗基光波导及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，在第一衬底上顺序形成第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层，第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层沿远离衬底的方向顺序层叠；S2，在第二氮化硅层中形成与锗...
熊文娟李俊峰王桂磊赵雪薇赵超亨利·H·阿达姆松
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多晶硅栅极的制造方法
本发明实施例公开了一种多晶硅栅极的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行化学机械抛光；通过刻蚀工艺图案化所述多晶硅薄膜，以形成多晶硅栅极。通过对多晶硅薄膜进行化学机械抛光，使多晶硅薄膜...
熊文娟李俊峰徐秋霞
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半导体结构与其制作方法
本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该方法包括应力大于或者等于1GPa的结构层的制作过程，结构层的制作过程包括：多个沉积步骤，沉积步骤为在基底的表面上或者已经沉积的预结构子层的表面上沉积一个预结构子层，预结构子层的厚...
熊文娟张鹏刘若男李志华李俊峰赵超王文武亨利·H·阿达姆松
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