王凯
- 作品数：31 被引量：15H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程航空宇航科学技术理学更多>>
- 张应变对Ge迁移率的改善
- 随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对G...
- 王凯龚谦周海飞康传振严进一柳庆博王庶民
- 关键词：集成电路半导体技术迁移率分子束外延
- 文献传递
- 短波红外(1-3μm)波段光电探测器及其非通讯应用
- 本文概述了短波红外波段光电探测器在非通讯领域的一些主要应用,对涉及此波段的一些化合物半导体光电探测材料及其特点进行了综述,侧重介绍了波长延伸的InGaAs在此波段的应用和我们的重要研究结果。
- 张永刚顾溢李成王凯李好斯白音方祥
- 关键词：短波红外光电探测器化合物半导体
- 一种发光二极管及光学相干层析成像系统
- 本发明公开了一种发光二极管及采用该发光二极管的光学相干层析(OCT)成像系统。所述发光二极管器件基于InPBi发光层材料，其具有超过现有超辐射发光二极管的宽光谱特性。采用InPBi发光层的发光二极管作为宽光谱光源的OCT...
- 张立瑶王庶民李耀耀王凯
- 文献传递
- 采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)被引量：3
- 2011年
- 利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优.
- 顾溢王凯李成方祥曹远迎张永刚
- 关键词：光电探测器缓冲层INGAASINALAS
- 组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响(英文)
- 2013年
- 通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面粗糙度都得到降低.对于相对较薄的量子阱结构,X射线衍射倒易空间扫描图和光致发光谱的测量表明,使用组分过冲可以增加弛豫度、减小剩余应力并改善光学性质.而对于较厚的探测器结构,X射线衍射和光致发光谱测试发现使用组分过冲后的材料性质没有明显的变化.量子阱和探测器结构的这些不同特性需要在器件设计应用中加以考虑.
- 方祥顾溢张永刚周立王凯李好斯白音刘克辉曹远迎
- 关键词：INALAS缓冲层X射线衍射光致发光
- 2-3 μm波段不含锑量子阱激光器的设计、生长与器件验证
- 本文通过提高量子阱中In的组分，使发光波长扩展到2pm以上，但是受到临界厚度的限制，In组分和量子阱厚度很难持续提高。实验上获得的最长发光波长被限制在2.3pm左右。通过采用三角量子阱可以在相同的阱层应变量下获得比传统方...
- 顾溢李好斯白音张永刚曹远迎陈星佑周立李爱珍李耀耀王凯方祥
- 关键词：激光器量子阱结构设计模式
- 文献传递
- 光电探测器的响应波长裁剪与性能优化
- 本文以AlGaInAs四元系为例，介绍GSMBE材料生长和器件研制工作常规量子型光电探测器本质上仍是一种具有宽谱响应的器件，对于能量大于其禁带宽度的光子均可以有响应。光电探测器在长波端一般表现出锐截止特征，其截止波长入。...
- 张永刚顾溢周立陈星佑王凯李爱珍李好斯白音
- 关键词：光电探测器电子光谱波长分配
- 文献传递
- 一种发光二极管及光学相干层析成像系统
- 本发明公开了一种发光二极管及采用该发光二极管的光学相干层析(OCT)成像系统。所述发光二极管器件基于InPBi发光层材料，其具有超过现有超辐射发光二极管的宽光谱特性。采用InPBi发光层的发光二极管作为宽光谱光源的OCT...
- 张立瑶王庶民李耀耀王凯
- 文献传递
- 一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法
- 本发明公开了一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法，通过在生长磷化铟（InP）材料时加入少量铋（Bi）元素形成全新的InPBi材料，获得室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi的元素百...
- 王凯王庶民张立瑶顾溢龚谦
- 文献传递
- 双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究被引量：2
- 2009年
- 模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生复合电流和欧姆电流逐渐起主要作用。在InAlAs/InGaAs异质界面处引入的数字递变超晶格以及外延初始生长的InP缓冲层能够有效地改善探测器的暗电流特性。
- 李成李好斯白音李耀耀王凯顾溢张永刚
- 关键词：探测器暗电流INGAAS
