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王德煌

作品数:47 被引量:41H指数:4
供职机构:北京大学物理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 43篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 14篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 9篇激光
  • 9篇半导体
  • 8篇折变
  • 8篇光折变
  • 8篇FE
  • 6篇光学
  • 5篇相位共轭
  • 5篇晶体
  • 4篇砷化镓
  • 4篇偏振
  • 4篇线偏振
  • 4篇激光辐照
  • 4篇光辐照
  • 3篇室温
  • 3篇偏振光
  • 3篇线偏振光
  • 3篇激光器
  • 3篇光波
  • 3篇光波导开关
  • 3篇二波耦合

机构

  • 45篇北京大学
  • 15篇中国科学院
  • 5篇华南师范大学
  • 3篇北京中材人工...
  • 1篇曲阜师范大学
  • 1篇集成光电子学...

作者

  • 47篇王德煌
  • 19篇王威礼
  • 10篇程虎民
  • 9篇马季铭
  • 7篇梁瑞生
  • 7篇郑英俊
  • 4篇段树坤
  • 4篇让庆澜
  • 4篇郭良
  • 4篇庄婉如
  • 3篇唐志列
  • 3篇王艳芹
  • 3篇沈德忠
  • 3篇童小林
  • 2篇董海鸥
  • 2篇余金中
  • 2篇毛桂芬
  • 2篇朱素珍
  • 2篇王国文
  • 2篇林金龙

传媒

  • 11篇北京大学学报...
  • 11篇中国激光
  • 6篇红外与毫米波...
  • 5篇Journa...
  • 3篇量子电子学报
  • 2篇光学学报
  • 1篇激光技术
  • 1篇发光学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇半导体光电
  • 1篇量子电子学
  • 1篇第五届全国光...
  • 1篇第五届全国基...
  • 1篇全国光学薄膜...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 4篇1994
  • 9篇1993
  • 10篇1992
  • 6篇1991
  • 4篇1990
  • 1篇1989
  • 1篇1986
47 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
外电场作用下红外光折变GaAs的双光束耦合增强效应
1991年
报道了立方晶体GaAs:Cr在外电场作用下的红外光折交增强效应,着重分析双光束耦合过程中空间电荷电场幅度和位相的空间分布变化情况。计算结果很好地解释了实验测量结果。
王威礼王德煌让庆澜张合义
关键词:红外光折变效应光学耦合
高效率KNbO_3:Fe自泵浦相位共轭器
1991年
报道对KNbO_3:Fe最佳二波耦合和全内反射的自泵浦相位共轭的设计考虑,两种考虑的主要根据是利用最大电光系数γ_(42)和优化几何配置,展示了相位共轭的一系列特性,并成功地把这些非线性光学效应从514.5nm扩展到632.8nm。
王威礼郑英俊王德煌张合义让庆澜沈德忠童小林
关键词:FE相位共轭
ZrO_2纳米晶簇研究(英文)被引量:1
2000年
用化学方法将ZrO2 纳米晶簇掩埋在PVA 膜内。实验测定ZrO2 纳米晶簇的TEM 图。X光谱和光吸收曲线。ZrO2 纳米晶簇平均尺寸约7-0 nm 。室温带隙是3-024eV。
梁瑞生王德煌程虎民王艳芹马季铭
关键词:二氧化锆
浅结硅光伏电池光响应特性实验研究
1993年
实验研究了电子束辐照诱导半导体掺杂技术制作的浅结硅光伏电池光响应特性。给出其相对光谱响应和激光感生光电压值。结果表明该器件具有较好的光响应特性。
王德煌王威礼让庆澜
关键词:光响应
KNbO_3:Fe环形腔被动相位共轭器被引量:2
1993年
介绍有附加反射镜组成的KNbO_3:Fe环形腔自泵相位共轭器,实验演示了相位共轭光建立过程中各光束间的能量转移现象,并测得自泵相位共轭反射率R随入射角α、环形腔光束夹角2θ和入射光强I_4的依赖关系,在最佳条件α=23°和2θ=20°时,测得最大的相位共轭反射率R=36%。
王威礼王德煌
关键词:光折变相位共轭
GaAs多量子阱超晶格表面激光光伏效应
1992年
由于MOCVD、MBE等半导体材料生长技术飞跃发展,半导体多量子阱和超晶格的制备、研究和应用越来越引起广泛重视。GaAs多量子阱超晶格是较为成熟的一种结构。本文初次报道GaAs多量子阱超晶格表面激光辐照感生的光伏效应研究结果。实验样品是在〈001〉晶向半绝缘GaAs衬底上,MBE生长1.5μm n^+-GaAs缓冲层后,交替地周期生长两种阱宽和垒宽,不同周期数的掺硅GaAs层,构成GaAs多量子阱超晶格结构。
王德煌王威礼王恩哥周小川
关键词:光伏效应超晶格GAAS衬底激光辐照超晶格结构
AIN膜及其在半导体光电器件中的应用被引量:2
1990年
本文报道溅射AlN膜及其应用于半导体光电器件的实验研究结果。测定了不同条件下溅射的AlN膜厚度、淀积速率、折射率和击穿电场强度。首次用AlN膜做器件的端面保护和减反射膜以及表面钝化膜均获得成功。几种常用介质膜的实验数据对比分析表明AlN膜在半导体光电器件领域将有广阔应用前景。
郭良朱素珍张霞余金中王德煌
关键词:半导体光电器件氮化铝
硅表面溅射氮氧铝膜的实验研究
1990年
本文报道在氮氧混合气体中用射频反应溅射法在硅表面成功淀积氮氧铝膜的实验研究结果。给出膜淀积工艺、膜的原子组元和浓度、含有不同氧原子浓度的膜的折射率和击穿电场强度以及膜的X-光衍射谱。
王德煌郭良
关键词:硅表面溅射半导体
MOVPE生长GaAs薄层的线偏振光吸收系数的电流感生变化
1991年
MOVPE生长不掺杂GaAs薄层的线偏振光吸收系数电流感生变化△α的实验结果表明,△α随光波长λ呈脉冲线型非线性变化;注人电流增加,△α明显增大,且△α(λ)谱极大值位置向长波端有一个小移动以至△α(λ)谱线半值全宽也有增宽.λ=900nm处,△α值基本上随电流线性增加.
王德煌王威礼李桂棠段树坤
关键词:MOVPE生长偏振光
全内反射型光波导开关反射特性的分析被引量:1
1993年
本文详细分析了全内反射型光波导开关的反射特性,指出反射模存在位相变化及其相对位相差。数值计算结果表明,反射TE模和反射TM模强度反射率、反射损耗,它们的位相变化及其相对位相差都与光波导开关区介质折射率改变量、损耗以及传播角有密切关系。
王德煌
关键词:光开关
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