王德煌
- 作品数：46 被引量：41H指数：4
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 外电场作用下红外光折变GaAs的双光束耦合增强效应
- 1991年
- 报道了立方晶体GaAs:Cr在外电场作用下的红外光折交增强效应,着重分析双光束耦合过程中空间电荷电场幅度和位相的空间分布变化情况。计算结果很好地解释了实验测量结果。
- 王威礼王德煌让庆澜张合义
- 关键词：红外光折变效应光学耦合
- KNbO_3:Fe环形腔被动相位共轭器被引量：2
- 1993年
- 介绍有附加反射镜组成的KNbO_3:Fe环形腔自泵相位共轭器,实验演示了相位共轭光建立过程中各光束间的能量转移现象,并测得自泵相位共轭反射率R随入射角α、环形腔光束夹角2θ和入射光强I_4的依赖关系,在最佳条件α=23°和2θ=20°时,测得最大的相位共轭反射率R=36%。
- 王威礼王德煌
- 关键词：光折变相位共轭
- GaAs多量子阱超晶格表面激光光伏效应
- 1992年
- 由于MOCVD、MBE等半导体材料生长技术飞跃发展,半导体多量子阱和超晶格的制备、研究和应用越来越引起广泛重视。GaAs多量子阱超晶格是较为成熟的一种结构。本文初次报道GaAs多量子阱超晶格表面激光辐照感生的光伏效应研究结果。实验样品是在〈001〉晶向半绝缘GaAs衬底上,MBE生长1.5μm n^+-GaAs缓冲层后,交替地周期生长两种阱宽和垒宽,不同周期数的掺硅GaAs层,构成GaAs多量子阱超晶格结构。
- 王德煌王威礼王恩哥周小川
- 关键词：光伏效应超晶格GAAS衬底超晶格结构MOCVD
- AIN膜及其在半导体光电器件中的应用被引量：2
- 1990年
- 本文报道溅射AlN膜及其应用于半导体光电器件的实验研究结果。测定了不同条件下溅射的AlN膜厚度、淀积速率、折射率和击穿电场强度。首次用AlN膜做器件的端面保护和减反射膜以及表面钝化膜均获得成功。几种常用介质膜的实验数据对比分析表明AlN膜在半导体光电器件领域将有广阔应用前景。
- 郭良朱素珍张霞余金中王德煌
- 关键词：半导体光电器件氮化铝
- 硅表面溅射氮氧铝膜的实验研究
- 1990年
- 本文报道在氮氧混合气体中用射频反应溅射法在硅表面成功淀积氮氧铝膜的实验研究结果。给出膜淀积工艺、膜的原子组元和浓度、含有不同氧原子浓度的膜的折射率和击穿电场强度以及膜的X-光衍射谱。
- 王德煌郭良
- 关键词：硅表面溅射半导体
- MOVPE生长GaAs薄层的线偏振光吸收系数的电流感生变化
- 1991年
- MOVPE生长不掺杂GaAs薄层的线偏振光吸收系数电流感生变化△α的实验结果表明,△α随光波长λ呈脉冲线型非线性变化;注人电流增加,△α明显增大,且△α(λ)谱极大值位置向长波端有一个小移动以至△α(λ)谱线半值全宽也有增宽.λ=900nm处,△α值基本上随电流线性增加.
- 王德煌王威礼李桂棠段树坤
- 关键词：MOVPE生长偏振光
- 全内反射型光波导开关反射特性的分析被引量：1
- 1993年
- 本文详细分析了全内反射型光波导开关的反射特性,指出反射模存在位相变化及其相对位相差。数值计算结果表明,反射TE模和反射TM模强度反射率、反射损耗,它们的位相变化及其相对位相差都与光波导开关区介质折射率改变量、损耗以及传播角有密切关系。
- 王德煌
- 关键词：光开关
- SnO_2纳米晶簇室温带隙测定被引量：5
- 1997年
- 实验测定了平均直径６ｎｍ和１０ｎｍ的ＳｎＯ２纳米晶簇室温带隙值，得到其大小分别是３．４９３ｅＶ和３．３０７ｅＶ。
- 王德煌程虎民梁瑞生唐志列
- 关键词：带隙氧化锡
- 外加电场影响SnO_2纳米晶簇光吸收
- 1999年
- 实验测量外加电场对 Ｓｎ Ｏ２ 纳米晶簇室温近紫外光吸收的影响程度，得到光吸收变化谱线和光吸收大小变化随外加电场变化曲线。它们均为一种非线性变化规律，在高电场区。
- 王德煌程虎民马季铭
- 关键词：半导体材料光吸收外电场
- 激光辐照GaAs膜的光透射谱实验研究
- 1993年
- GaAs薄膜材料生长技术的迅速发展和成熟及其广泛应用,该材料性质及其在外部电磁场等条件下的变化的广泛研究,促使以GaAs多层膜为结构的光电子元器件和集成光学元件以及相关的集成光电子技术和光计算技术等高科技研究和实用化的飞速进展,其中GaAs膜材料的光学性质,尤其是激光与GaAs膜的相互作用,影响其光学性质的研究是极其有用的。本文报道He-Ne激光辐照金属有机氧化物气相外延(MOVPE)技术生长的不掺杂GaAs膜,其光透射性质发生变化的实验研究结果。
- 王德煌王威礼段树坤庄婉如
- 关键词：激光辐照
