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王志忠

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇半导体
  • 1篇单模
  • 1篇导体
  • 1篇液相外延
  • 1篇液相外延生长
  • 1篇溶液法
  • 1篇激光
  • 1篇激光管
  • 1篇光纤
  • 1篇光源
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇LED

机构

  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 3篇王志忠
  • 2篇奚榕
  • 2篇逄永秀
  • 2篇姚文兰
  • 1篇邬祥生

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇1993
  • 2篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
液相外延生长InGaAsP超薄层
1993年
本文叙述了600℃低温液相外延和两相溶液法生长InGaAsP/InP超薄层及其特性研究。四元外延层的厚度、光荧光峰值半宽、过渡区陡度分别为～63nm,22.8meV,～11nm。四元层与衬底间失配度为+0.3‰。
王志忠邬祥生周贵德
关键词：液相外延半导体薄膜
1.55μm InGaAsP/InP LED的研究被引量：1
1990年
本文报导了1.55μm InGaAsP/InP LED的制造工艺和性能测量。在100mA正向电流下,LED与多模光纤和单模光纤耦合后的出纤功率分别为20～30μW和2—4μW。讨论了获得准确p-n结位置的方法。
逄永秀龚连根府治平黄伟东姚文兰奚榕王志忠
关键词：二极管发光LED光源光纤
1.55μm单模激光管的研究
1990年
本文叙述了用液相外延法制得的1.55μm脊波导激光二极管。室温阈值电流100mA,单模线性输出5mW,光谱线宽小于2(?),脉冲响应上升时间约为100ps。分析了影响阈值电流的诸因素,如有源层厚度d和掺杂水平等。也讨论了LD的输出模式与器件结构的关系。
逄永秀府治平姚文兰奚榕龚连根黄伟东王志忠
关键词：单模激光管半导体
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共1页<1>
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