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肖细凤

作品数：5 被引量：7H指数：1
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金教育部基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇DX中心
  • 2篇能级
  • 2篇混晶
  • 2篇SN
  • 2篇ALGAAS
  • 2篇LAPLAC...
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇电致发光
  • 1篇异质结
  • 1篇载流子
  • 1篇直流电致发光
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级缺陷
  • 1篇外延层
  • 1篇微结构
  • 1篇位错
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇硫化

机构

  • 5篇厦门大学
  • 1篇南京大学

作者

  • 5篇肖细凤
  • 3篇康俊勇
  • 1篇蔡端俊
  • 1篇陈谋智
  • 1篇柳兆洪
  • 1篇沈耀文
  • 1篇沈波
  • 1篇孙书农
  • 1篇林爱清
  • 1篇邓彩玲

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 3篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇1999
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
AlGaAs:Sn混晶中DX中心能级的精细结构
杂质和缺陷一直是半导体材料的重要研究课题。n型混晶材料的DX中心由于其特异的性质如持久光电导/(PPC/)效应等，更引起了人们的兴趣。至目前为止，虽然对DX中心的物理起源、精细结构等进行了许多讨论，但有许多问题仍有待解决...
肖细凤
文献传递
硫化锌薄膜的微结构剖析被引量：1
1999年
用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术，对分舟热蒸发法研制的掺铒（Ｅｒ）硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析，获得薄膜表面及粉料的构态信息，讨论了影响微晶薄膜质量的主要因素。
柳兆洪陈谋智孙书农刘瑞堂林爱清邓彩玲肖细凤
关键词：硫化锌直流电致发光稀土掺杂
AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心被引量：1
2002年
在测得Ａｌ０．２６Ｇａ０．７４Ａｓ:Ｓｎ混晶中两类类ＤＸ中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能．采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Ｓｎ施主杂质次近邻Ａｌ/Ｇａ原子的不同局域组分所引起的Ｓｎ杂质及其最近邻Ａｓ原子的不同晶格驰豫,是产生两类类ＤＸ中心能级精细结构的主要原因．
肖细凤康俊勇
AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构被引量：4
2002年
采用定电容电压法 ,测量了n型Al0 2 6 Ga0 74 As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态 ,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态 ;并对瞬态数据进行数值Laplace变换 ,得到其Laplace缺陷谱 (LDS) .通过分析LDS谱 ,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之间的对应关系 ,从而得到热俘获系数对温度依赖关系 ,以及与Sn相关的DX中心部分电子热俘获势垒的精细结构 ;通过第一原理赝势法计算表明 ,Sn附近的Al
肖细凤康俊勇
关键词：DX中心深能级缺陷载流子
Ⅲ族氮化物外延层中的缺陷被引量：1
2002年
采用光荧光和阴极荧光方法 ,对 Ga N外延层中的黄色和蓝色发光进行测量分析 ;同时 ,采用原子力显微镜、扫描电镜及其能谱测量外延层中的缺陷。结果表明 ,黄色和蓝色发光与残留杂质有关。采用第一原理计算结果显示 ,残留 C、O杂质、本征缺陷等是黄色和蓝色的可能物理起源。采用原子力显微镜、扫描电镜、透射电镜及其能谱对 Ga N/Al Ga N异质结中的纳米管进行观测 ,了解了纳米管的形貌。结果表明 ,构成纳米管的小面可能是外延过程中表面吸附引起的 ;计算结果显示 ,纳米管形貌变化与 Ga N/Al Ga N界面处晶格失配应力有关。采用透射电镜观察外延层中沉积物及其周围位错的结构表明 。
康俊勇蔡端俊肖细凤沈耀文沈波
关键词：纳米管沉积物位错外延层异质结
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