- 线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性被引量：1
- 2006年
- 利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致.我们的结果表明,线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的,而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度.
- 陈志涛徐科杨志坚苏月永潘尧波杨学林张酣张国义
- 关键词：摇摆曲线
- 用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)被引量：1
- 2006年
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(202-1)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(11-00)面反射扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同。从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础。
- 苏月永陈志涛徐科郭立平潘尧波杨学林杨志坚张国义
- 关键词：氮化镓X射线衍射
- GaMnN稀磁半导体材料的研究
- 随着信息技术的快速发展，传统的以电荷为基础的电子学正逐渐走向其技术极限，科学家开始把电子学研究的目光投向自旋电子学。通过控制电子的自旋自由度，我们可以得到非挥发性、低功耗、高集成度的新型器件。将自旋电子学应用到半导体中的...
- 苏月永
- 关键词：稀磁半导体自旋电子学
- 文献传递
- 制备GaN基稀磁半导体材料的方法
- 本发明提供一种制备GaN基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法(MOCVD)生长GaN的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长GaN，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层...
- 张国义陈志涛苏月永杨志坚杨学林沈波
- 文献传递
- 制备GaN基稀磁半导体材料的方法
- 本发明提供一种制备GaN基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法(MOCVD)生长GaN的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长GaN，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层...
- 张国义陈志涛苏月永杨志坚杨学林沈波
- 文献传递
