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蒋玉兰

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇水平法
  • 1篇GASB单晶

机构

  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇蒋玉兰
  • 1篇余海生

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1991
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
水平法生长GaSb单晶的研究被引量：1
1991年
本文采用独特的工艺和装置,用水平法研制GaSb单晶.已获得不掺杂p型晶体,室温下其载流子浓度和迁移率分别为1.0～1.7×10^(17)cm^(-3)和630～780cm^2/V·s;渗Te的n型单晶两者分别为1.4×10^(18)cm^(-3)和2690cm^2/V·s,成晶率大于50%.本文还探讨了研制过程中存在的几个问题.
余海生蒋玉兰胡建廖丽英
关键词：水平法
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共1页<1>
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