许谏
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：高等学校科技创新工程重大项目北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- SiNx钝化对Al×Ga1-xN/GaN异质结构中二维电子气高温输运性质的影响
- AlGaN/GaN 异质结构是发展高温、高频、高功率电子器件的优选材料,研究 AlGaN/GaN 异质结构中二维电子气(2DEG)的高温输运性质对于理解 AlGaN/GaN 异质结构的物理特性以及器件研制具有重要意义。
- 王茂俊沈波黄森许福军王彦许谏杨志坚秦志新张国义
- 关键词：二维电子气钝化
- 文献传递
- GaN和AlxGa1-xN/CaN异质结的高温性质
- 2007年
- 通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅度和GaN的位错密度也存在正比关系,说明位错相关的深施主或者陷阱对GaN在高温下的背景浓度有很大影响.实验发现AlxGa1-xN/GaN异质结中二维电子气的浓度在室温到250℃的范围内随着温度的升高而下降,然后随着温度的升高开始增加.前者主要是由于随着温度的升高,AlxGa1-xN/GaN异质结的导带不连续减小引起的,后者主要是由GaN层背景载流子浓度增加导致的.通过求解自洽的薛定谔和泊松方程得到的二维电子气浓度的温度关系和实验结果一致.
- 王茂俊沈波王彦黄森许福军许谏杨志坚张国义
- 关键词：GAN位错HALL
- GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结高温性质的研究
- 通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅...
- 王茂俊沈波王彦黄森许福军许谏杨志坚张国义
- 关键词：GAN材料位错密度载流子浓度
- 文献传递
- 高Al组分Al_xGa_(1-x)N薄膜的弹性-塑性力学性质被引量：1
- 2007年
- 采用纳米压痕方法,研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大,薄膜中产生塑性形变所必要的剪切应力也随着Al组分的增加而增大.在AlxGa1-xN薄膜纳米压痕实验中,观察到位移不连续的跳断('pop-in')行为,并且发现'pop-in'行为强烈依赖于Al组分,Al组分的增加导致这种行为的减少.我们认为随着Al组分的增加,AlxGa1-xN中键能的增强和由于AlxGa1-xN与AlN/sapphire模板之间晶格失配减少这两个因素增加了AlxGa1-xN中新位错形成的阻力,从而导致了AlxGa1-xN薄膜中的'pop-in'行为随Al组分增加而减少.
- 许福军沈波王茂俊许谏苗振林杨志坚秦志新张国义蔺冰白树林
- 关键词：杨氏模量力学性质塑性形变
- 成核层退火压力对形成高阻GaN的作用
- 本文采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/sq以上.原子力显微镜结果显示高阻Ga...
- 许谏张国义沈波许福军苗振林王茂俊黄森鲁麟潘尧波杨志坚
- 关键词：刃型位错MOCVD生长表面粗糙度
- 文献传递
- 高阻GaN及HEMT结构材料的MOCVD生长和物性研究
- GaN基宽禁带半导体材料由于其优越的物理和化学特性，在制备高温、高频、大功率微波电子器件方面具有巨大潜力和广阔的应用前景，GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)是目前国际上的研究热点。本文以GaN基HEMT材料发展中出现...
- 许谏
- 关键词：HEMT器件气相沉积
- 一种生长高阻GaN薄膜的方法
- 本发明公开了一种生长高阻GaN薄膜的方法。本发明方法是在MOCVD设备中进行的，包括烘烤、成核、退火和外延生长阶段，其中，在退火阶段，退火压力在75托以下。本发明方法通过降低退火阶段的反应室压力(称为退火压力)来增加成核...
- 沈波许谏许福军苗振林潘尧波杨志坚张国义
- 文献传递
- 成核层退火压力对形成高阻GaN的作用
- 2007年
- 采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/□以上.原子力显微镜结果显示高阻GaN的表面非常平整,表面粗糙度只有0.15nm.在位激光检测发现高阻样品的成核层经过退火后会形成密度较高的成核岛.样品的X射线分析结果表明,随着退火压力的改变,刃型位错相对于螺型位错会有较大变化.说明刃型位错是GaN电阻变化的主要原因.
- 许谏沈波许福军苗振林王茂俊黄森鲁麟潘尧波杨志坚张国义
- 关键词：刃型位错MOCVD
