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费淑萍
作品数:
3
被引量:4
H指数:1
供职机构:
华中科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
理学
电子电信
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合作作者
田芃
华中科技大学光学与电子信息学院...
黄黎蓉
华中科技大学光学与电子信息学院...
潘彬
华中科技大学光学与电子信息学院...
余奕
华中科技大学光学与电子信息学院...
徐巍
华中科技大学光学与电子信息学院...
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华中科技大学
作者
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费淑萍
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黄黎蓉
2篇
田芃
1篇
黄德修
1篇
徐巍
1篇
余奕
1篇
潘彬
传媒
1篇
物理学报
年份
3篇
2010
共
3
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相关度排序
被引量排序
时效排序
不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响
被引量:4
2010年
利用金属有机化合物气相沉积设备生长了不同盖层结构的InAs/GaAs量子点,采用原子力显微镜和光致发光光谱仪对量子点的结构和光学性质进行了研究.量子点层之间的盖层由一个低温层和一个高温层组成.对不同材料结构的低温盖层的对比研究表明,In组分渐变的InGaAs低温盖层有利于改善量子点均匀性、减少结合岛数目、提高光致发光强度;当组分渐变InGaAs低温盖层厚度由6.8nm增加到12nm,发光波长从1256.0nm红移到1314.4nm.另外,还对不同材料结构的高温盖层进行了对比分析,发现高温盖层采用In组分渐变的InGaAs材料有利于光致发光谱强度的提高.
田芃
黄黎蓉
费淑萍
余奕
潘彬
徐巍
黄德修
关键词:
半导体量子点
盖层
量子点半导体光放大器理论研究与InAs量子点工艺生长
由于量子点拥有独特的δ态密度函数和三维强量子限制效应,以量子点为有源区的光电器件具有优于传统器件的性能。就半导体光放大器(SOA)而言,量子点SOA具有材料增益高、温度性能好、啁啾低、响应速度快等优越性能,从而在下一代全...
费淑萍
关键词:
量子点
半导体光放大器
INAS
金属有机化学气相沉积
文献传递
一种铟砷量子点有源区结构及发光器件
本发明涉及铟砷量子点有源区结构,它包含n个铟砷量子点层(1),n≥1,n为自然数;每一个铟砷量子点层(1)中都自下而上依次外延生长In组分线性增加的InGaAs层、InAs量子点层、In组分线性减小的InGaAs层、盖层...
黄黎蓉
费淑萍
田芃
文献传递
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