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邓鹏飞
作品数:
37
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供职机构:
西安电子科技大学
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
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合作作者
张玉明
西安电子科技大学
郭辉
西安电子科技大学
张克基
西安电子科技大学
雷天民
西安电子科技大学
张凤祁
西安电子科技大学
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西安电子科技...
作者
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邓鹏飞
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雷天民
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张克基
35篇
郭辉
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张玉明
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张凤祁
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吕晋军
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2021
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11篇
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2012
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基于Ni膜退火的SiC与Cl<Sub>2</Sub>反应制备结构化石墨烯的方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC与Cl<Sub>2</Sub>反应制备结构化石墨烯的方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现过程是:先对SiC样片进行标准清洗;再在清洗后...
郭辉
邓鹏飞
张玉明
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雷天民
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基于Cu膜辅助退火的石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜辅助退火的石墨烯制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、连续性不好、层数不均匀的问题。本发明采用在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡,然后在温度为1100℃-1250℃...
郭辉
张克基
张玉明
邓鹏飞
雷天民
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基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法,主要解决用现有技术制备石墨烯连续性不好、层数不均匀,导致制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其实现步骤如下:(1)在Si衬底上先生长一层碳化层作为过...
郭辉
张晨旭
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张克基
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邓鹏飞
基于Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯层数不均匀,且制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。其实现过程是:(1)在4-12英寸的Si衬底基...
郭辉
张克基
张玉明
张凤祁
邓鹏飞
雷天民
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以SiC为基底的石墨烯制备方法
本发明公开了以SiC为基底的石墨烯制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、层数不均匀的问题。本发明中先对SiC样片进行标准清洗;将清洗后的SiC样片置于石英管中;利用Ar气携带CCl<Sub>4</Sub>蒸...
郭辉
吕晋军
张玉明
张克基
邓鹏飞
雷天民
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基于Cu膜辅助退火和Cl<Sub>2</Sub>反应的大面积石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜辅助退火和Cl<Sub>2</Sub>反应的大面积石墨烯制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。(1)在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡;(2)在温...
郭辉
张克基
张玉明
邓鹏飞
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在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法
本发明公开了在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。本发明采用在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡,然后在温度为1150℃-1300℃下进行3C-S...
郭辉
吕晋军
张玉明
张克基
邓鹏飞
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基于Cl<Sub>2</Sub>反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法
本发明公开了一种基于Cl<Sub>2</Sub>反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法,主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑,层数不均匀,制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯中电子迁移率降低的问题。其实现过程是:先对Si...
郭辉
邓鹏飞
张玉明
张克基
雷天民
张凤祁
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基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法,主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是:先对SiC样片进行标准清洗;再在SiC样片表面淀积一层SiO<Sub>...
郭辉
张克基
张玉明
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邓鹏飞
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碳纤维复合材料结构的力学行为研究
由于其高比强度、耐腐蚀性和优异的可设计性等特点,碳纤维复合材料在航空航天、海洋管道、水下航行器、高压气体储存等领域具有广泛的应用。由于碳纤维复合材料细观结构的不同会导致材料宏观属性差距很大,因此碳纤维复合材料应用的前提是...
邓鹏飞
关键词:
碳纤维复合材料
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