邱冲
- 作品数：3 被引量：17H指数：2
- 供职机构：晶能光电(江西)有限公司更多>>
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- Si基LED材料位错与器件钝化研究
- 相对于蓝宝石和SiC而言，Si衬底与GaN薄膜之间存在着更大的晶格失配和热失配，Si衬底GaN基LED外延膜生长技术和器件的稳定性面临着更大的挑战。本文就SiN钝化膜对Si衬底GaN基LED光电性能的影响及Si衬底GaN...
- 邱冲
- 关键词：位错密度光电性能
- 文献传递
- Si衬底GaN基蓝光LED老化性能被引量：13
- 2010年
- 报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE)比老化前低;老化前后EQE衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间。
- 肖友鹏莫春兰邱冲江风益
- 关键词：硅衬底GAN蓝光LED光衰
- SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响被引量：5
- 2008年
- 利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现:经过30mA、85℃、24h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为11.41%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响。
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- 关键词：蓝光LEDSIN钝化光衰
