郝兰众
- 作品数：62 被引量：11H指数：3
- 供职机构：中国石油大学（华东）更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- 一种应变调控的柔性可穿戴光电探测器件及其制备方法
- 本发明公开一种应变调控的柔性可穿戴光电探测器件及其制备方法。该方法包括：选取PDMS为基底；利用直流磁控溅射技术在NaCl片上外延生长CdTe超薄单晶薄膜；采用无酸剥离技术转移薄膜至PDMS基底并在在表面沉积Ag电极,制...
- 郝兰众武玉鹏赵世荣刘英明刘云杰
- MgO缓冲层对PZT/AlGaN/GaN异质结构电学性能的影响被引量：3
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb(Zr0.52T0.48)O3(PZT)铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构(MFIS)。XRD扫描结果表明,通过MgO缓冲层对界面结构的优化,实现了PZT薄膜沿(111)面择优取向生长。电流-电压(I-V)测试结果显示,MgO缓冲层的引入大大改善了集成体系的电学性能。在外加电压为-8V时,与无MgO缓冲层的MFS异质体系相比较,该MFIS结构的漏电流密度降低了5个数量级。集成体系的电容-电压(C-V)表现出逆时针窗口特征,反映了铁电极化对二维电子气(2DEG)的调制作用。随着缓冲层厚度的降低,铁电极化对2DEG的调制作用逐渐增强。当MgO缓冲层厚度达到2nm时,C-V窗口达到0.7V,阈值电压(Vth)降低到-1.7V。
- 张菲朱俊罗文博郝兰众李言荣
- 关键词：脉冲激光沉积PZTMGOC-VI-V
- 一种具有酒精气体敏感效应的碳薄膜/硅异质结材料及其制备方法
- 本发明提供了一种具有酒精气体敏感效应的碳薄膜/硅异质结材料及其制备方法，该材料是通过磁控溅射的方法，将纯度为99.9％的石墨靶或者将含有0～10％(质量分数)铁的铁－石墨复合靶溅射到抛光的硅基片上，形成一层厚度为20～2...
- 薛庆忠李群严克友郝兰众夏丹
- 文献传递
- 一种Pd-MoS<Sub>2</Sub>异质结光伏太阳能电池器件及其制备方法
- 本发明公开一种Pd-MoS<Sub>2</Sub>异质结光伏太阳能电池器件，其为层状结构，由上至下依次包括Pd金属前电极、Pd-MoS<Sub>2</Sub>薄膜层、第一SiO<Sub>2</Sub>绝缘缓冲层、Si单晶...
- 郝兰众刘云杰高伟韩治德薛庆忠
- 一种具有室温超快红外响应的SnSe纳米棒阵列异质结器件及其制备方法
- 本发明公开一种具有室温超快红外响应的SnSe纳米棒阵列异质结器件及其制备方法。该方法包括：选取双面抛光单晶Si基底；利用磁控溅射技术在基底上表面沉积SnSe纳米棒阵列薄膜层；在薄膜层表面沉积透明电极层和在基底下表面沉积金...
- 郝兰众刘英明武玉鹏赵世荣刘冠初韩治德刘云杰
- LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜界面结构分析被引量：1
- 2005年
- 通过研究发现,利用激光分子束外延技术生长的 LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜具有良好的电学性能,其剩余极化可达到25μc/cm^2。性能决定于结构,因此本文分析研究了 LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜的界面结构。首先通过高能电子衍射技术在薄膜生长过程中对各层的生长及界面状况进行观测,再通过小角 X 射线衍射曲线及其计算机拟合曲线进一步确定超晶格薄膜的界面及结构参数,如界面的粗糙度、单层厚度等。通过研究发现,由于晶格之间的差异,LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜中 LaAlO_3和 BaTiO_3层的生长过程及微结构存在着一定的差异。
- 郝兰众李燕邓宏刘云杰姬洪
- 关键词：超晶格薄膜生长小角X射线衍射BATIO3
- 一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件及其制备方法
- 本发明公开了一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件，其为层状结构，由上至下依次包括Pd金属前电极、MoS<Sub>2</Sub>薄膜层、缓冲层、p型单晶Si基片和金属In背电极，其中，缓冲层为具有宽禁带的介质材...
- 郝兰众刘云杰高伟韩治德薛庆忠
- 文献传递
- 一种具有气压敏感效应的碳/硅异质结新材料及其应用
- 本发明提供了一种具有气压敏感效应的碳/硅异质结新材料，该材料是通过磁控溅射的方法，将纯度为99.9％的石墨靶或者将含有0～10％(质量分数)的铁的铁－石墨复合靶溅射到抛光的硅基片上，形成一层厚度为20nm～200nm的膜...
- 薛庆忠郝兰众高熙礼李群郑庆彬
- 文献传递
- 一种Pd/MoS<Sub>2</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>/Si/SiO<Sub>2</Sub>/In多结光探测器件及其制备方法
- 本发明公开一种Pd/MoS<Sub>2</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>/Si/SiO<Sub>2</Sub>/In多结光探测器件及其制备方法，其具有自驱动功能，在30mWcm<Sup>-2</Sup>白光照射...
- 郝兰众高伟刘云杰韩治德薛庆忠
- 文献传递
- 一种VO<Sub>2</Sub>/MoO<Sub>3</Sub>异质结人工光电突触器件及其制备方法
- 本发明公开一种VO<Sub>2</Sub>/MoO<Sub>3</Sub>异质结人工光电突触器件及其制备方法，属于微电子器件及制备技术领域。该方法包括：选用ITO导电玻璃为基底；利用射频磁控溅射和电子束蒸发技术分别沉积在...
- 郝兰众郭付海于巍茁刘云杰
