郭其新
- 作品数：10 被引量：54H指数：4
- 供职机构：佐贺大学更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金国家自然科学基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺机械工程更多>>
- 半导体氮化物AlInN的光学性质
- 2011年
- 测量了AlInN薄膜(包括InN和AlN)的透射和反射光谱,结合四层透射和反射模型得到AlInN的一系列变温光学性质,包括吸收系数、能带带隙、乌尔巴赫带尾参数、折射率等等.采用一套经验公式,描述InN薄膜在本征吸收区和乌尔巴赫吸收区的吸收系数.发现带隙以下,AlN薄膜的折射率遵守Sellmeier经验公式.用基于态密度和载流子—声子相互作用的带尾态理论,很好地解释了AlInN薄膜中带尾态现象.通过测量显微拉曼光谱,研究了AlInN薄膜的晶格振动性质.运用详细的模型(考虑了晶格热膨胀、残余应力和多声子耦合),阐释了AlInN声子频率的变温特性.了解AlInN薄膜的这些光学性质是相当重要的,不仅有利于透彻了解材料的基本性质还有利于相关光电子器件的开发.
- 蒋立峰沈文忠郭其新
- 关键词：光学性质
- 新型溶胶-凝胶法制备Al_2O_3-ZrO_2陶瓷涂层及其组织结构被引量：4
- 2011年
- 采用新型溶胶-凝胶法,即在氧化铝溶胶中引入氧化锆陶瓷粉末制成复合浆料,在不锈钢表面制备了Al2O3-ZrO2陶瓷涂层,对涂层的显微组织、成分分布、相组成以及化学结构进行了研究。研究结果表明:该方法制备的涂层,厚度大大高于普通溶胶-凝胶法制备的涂层,涂层中形成了一种复杂的氧化铝网络结构,氧化锆颗粒被包覆在其中。最后,分析了复合浆料经烧结、封孔致密化形成该涂层结构的过程。
- 张法碧李明伟秦祖军郭其新
- 关键词：溶胶-凝胶法陶瓷涂层
- 木材结构分级多孔ZnO的同步辐射XAFS研究
- 2011年
- 利用同步辐射XAFS(X-ray AbsorptionFine Structure)实验及FEFF计算进行数据拟合,研究遗态转化工艺制备的ZnO产物的微观晶体结构参数。研究结果表明,遗态转化工艺得到了ZnO产物,木材结构分级多孔ZnO产物的第一壳层Zn-O距离为0.1986nm,第二壳层Zn-Zn距离为0.3240nm。根据得到的配位壳层Debye-Waller因子较小(ss1=0.00346,ss=0.00780)得出ZnO产物具有较好的有序晶体结构,同时表明在ZnO中,Zn原子第一近邻壳层的O原子有序程度高于其它次近邻壳层原子。
- 朱鹏波丁剑郭萃萍范雪露刘兆婷范同祥张获郭其新鎌田雅夫
- 关键词：ZNOXAFS
- 磁几何阻挫材料天然绿盐铜矿的中红外和拉曼光谱分析被引量：1
- 2011年
- 在室温情况下,利用FTIR光谱仪测得了天然磁几何阻挫材料绿盐铜矿(Atacamite,β-Cu2(OH)3Cl)的中红外光谱4 000～400 cm-1,同时还通过激光显微拉曼光谱仪获得了它的拉曼光谱4 000～95 cm-1。结合它的晶体结构参数,确认了官能团区4 000～2 500～1 000 cm-1和指纹区1 000～550～200～95 cm-1的特征峰以及探索它的微观起源。将五个不同的区域分别指认为:取决于羟基整体环境3Cu≡O—H…Cl的羟基伸缩振动νO—H4 000～2 500 cm-1;由羟基弯曲振动模式基频所产生的泛频(合频或倍频)2 500～1 000 cm-1;由δCu—O—H和δO—H…Cl组合的羟基弯曲振动模式δO—H1 000～550 cm-1;较强的键平面CuO4单元振动模式550～200 cm-1;以及较弱的键线性三原子链Cl—Cu—O/Cl振动模式200～95 cm-1。谱带指认时紧密结合晶体的结构参数,从而较为合理建立了其分子结构和光谱特性之间的关系。
- 陶万军刘晓东郑旭光孟冬冬郭其新
- 半导体氮化铟(InN)的电学性质被引量：7
- 2004年
- 本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件(主要是高电子迁移率晶体管器件)上的潜在应用。
- 潘葳沈文忠小川博司郭其新
- 关键词：氮化铟半导体材料载流子浓度迁移率
- 反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究被引量：3
- 2005年
- 运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制,观察到0·25ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性,晶体的电光系数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数,分析了随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象.
- 贺莉蓉顾春明沈文忠曹俊诚小川博司郭其新
- 关键词：THZ辐射反应离子刻蚀ZNTE晶体表面射频功率电光系数
- 电子科学和技术的研究动态被引量：1
- 2007年
- 介绍了量子点、太赫兹器件、发光二极管和同步辐射研究的最新成果及动态,展示了21世纪在电子信息和材料科学领域的研究方向。
- 郭其新
- 关键词：量子点太赫兹发光二极管
- 半导体氮化铟(InN)的晶格振动被引量：7
- 2003年
- 本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等,也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究。同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望。
- 钱志刚沈文忠小川博司郭其新
- 关键词：半导体氮化铟晶格振动INN红外光谱超晶格
- 磁几何阻挫材料羟基氯化钴的中红外光谱特征
- 2011年
- 使用3种光谱仪测量了磁几何阻挫材料羟基氯化钴Co2(OH)3Cl的中红外(4000—400cm-1)吸收光谱,筛选出确信为Co2(OH)3Cl的本征吸收峰数据,结合已知的晶体结构参数,指认了官能团和指纹区相应谱峰的来源.在指认中着重探讨了羟基伸缩振动基频模vOH的具体实验数据,根据固体中氢键的特点,以Co3—O平均距离为基准,推算了本样品Co3—OH集团的"自由"vOH,并以此为参考数值,得到了156cm-1的本征红移,从理论上确认了本质上不可忽略的弱氢键的存在,继而发现了本物质中存在晶体材料领域极少有人报道的三聚氢键,即一个Cl离子受体与三个独立的羟基给体形成基本对称的3个氢键,并建议性地指出了该氢键的重要性所在.
- 刘晓东陶万军郑旭光萩原雅人孟冬冬张森林郭其新
- 关键词：红外光谱
- ZnTe晶体中光学整流产生的THz辐射及其电光探测研究被引量：33
- 2004年
- 借助抽运_探测技术研究了ZnTe晶体中光学整流产生的太赫兹 (THz)辐射 ,利用ZnTe晶体的线性电光效应探测THz辐射场分布 ,观察到了较窄 (约为 0 2ps)的THz场分布及相应较宽 (响应超过 4THz ,半峰宽约为 2 4THz)的THz频谱 ,并运用琼斯矩阵对实验结果进行了理论拟合 .研究了飞秒激光脉冲波长 (750— 850nm)、脉冲宽度 (56—2 2 5fs)和晶体旋转与THz辐射产生的关系 .同时改变探测光偏振方向进行偏振调制 。
- 刘锐顾春明贺莉蓉吴森沈文忠小川博司郭其新
- 关键词：太赫兹辐射光学整流电光效应琼斯矩阵电光材料
