郭颖楠
- 作品数：17 被引量：55H指数：3
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- 相关领域：理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>
- 退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究被引量：2
- 2010年
- 应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3/Ti-Al/Si(LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si)异质结,研究了550℃常规退火(CTA)和快速退火(RTA)工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响。实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6min的样品具有较好的物理性能。在418kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22μC/cm2和83kV/cm。LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场强度低于46.7kV/cm时为欧姆导电,高于46.7kV/cm时为肖特基导电机制。
- 郭颖楠刘保亭赵敬伟王宽冒王玉强孙杰陈剑辉
- 关键词：退火工艺PZT磁控溅射法溶胶-凝胶法
- 绿色发光粉CaBa_2(BO_3)_2∶Tb^(3+)的制备和发光特性被引量：2
- 2010年
- 采用高温固相法合成了绿色荧光粉CaBa2(BO3)2∶Tb3+并对其发光特性进行了研究。发射峰值位于496,549,588,622 nm,分别对应Tb3+的5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4、5D4→7F3能级跃迁。其中以496 nm和549 nm的发射峰最强,样品呈现很好的绿色发光。主要激发峰位于200~300 nm之间,属于4f75d1宽带吸收。考察了Tb3+掺杂浓度和Li+,Na+和K+作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响,几乎不发生浓度猝灭现象,Li+的补偿效果最好。还确定了原料CaCO3、BaCO3、H3BO3的最佳配比,当H3BO3过量3%时,合成的晶体发光亮度最好。
- 杨志平宋兆丰马欣王凤和郭颖楠闻建伟
- 关键词：发光荧光粉
- 沉积温度对磁控溅射法制备La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜微结构和导电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜,研究了沉积温度对La0.5Sr0.5CoO3薄膜微结构和导电性能的影响。结果表明:沉积温度低于400℃时,薄膜以非晶状态存在,未发生外延生长,沉积温度为550℃和650℃时,薄膜在基片上实现了外延生长;随着沉积温度的升高薄膜表面粗糙度呈现规律性的变化;薄膜的电阻率随沉积温度的升高单调下降,650℃沉积薄膜的电阻率最小为1.63μΩ.cm。
- 付跃举刘保亭郭颖楠傅广生
- 关键词：射频磁控溅射
- 引入Si掺杂层调控InGaAs/GaAs表面量子点的光学特性
- 2023年
- 在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加,SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移;PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变;通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱;时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态,并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程,以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。
- 刘晓辉刘景涛郭颖楠王颖郭庆林梁宝来王淑芳傅广生
- 关键词：时间分辨荧光光谱
- 白光二极管用荧光粉LiBaPO_4:Tb^(3+)的制备及发光性质被引量：13
- 2010年
- 采用高温固相法合成白光发光二极管用绿色荧光粉LiBaPO4:Tb3+,并研究荧光粉的发光性质。测定荧光粉的激发光谱和发射光谱,发射峰由位于436nm(5D3→7F4)、490nm(5D4→7F6)、544nm(5D4→7F5)、587nm(5D4→7F4)及621nm(5D4→7F3)的五组线状峰构成,对应Tb3+的特征跃迁,其中544nm处的最强,样品呈现绿色发光。激发光谱由4f75d1宽带吸收(200～280nm)和4f–4f电子跃迁吸收(330～390nm)组成,其中以380nm处的激发峰最强,可被紫外发光二极管(ultraviolet-light-emittingdiode,UV-LED)有效激发。研究Tb3+掺量(摩尔分数,下同)对发光亮度的影响,结果显示:当Tb3+掺量为9%时,荧光粉的亮度最高,之后出现浓度淬灭现象。Na+、K+和Cl–作为电荷补偿剂均能提高发光亮度,以Cl–作为电荷补偿剂的效果最好。Ce3+对Tb3+具有明显的敏化作用。结果表明:LiBaPO4:Tb3+是一种适用于白光发光二极管用的绿色荧光材料。
- 杨志平王凤和郭颖楠杨艳民马欣李旭
- 关键词：绿色荧光粉发光特性白光发光二极管高温固相法
- “材料物理导论”课程思政的教学设计与实施
- 2021年
- 教学设计有助于落实课程思政.以“材料物理导论”课程为例,重点从设计教学目标、优化教学内容、创新教学方法及教学过程管理等几个方面探索课程思政的落实.充分利用信息化教学工具和手段,打造生动活泼的理工科专业课堂氛围,推进课程思政建设.
- 关丽路万兵郭颖楠
- 关键词：专业课教学设计
- 用于硅基铁电电容器集成的金属间化合物阻挡层的研究
- 用射频磁控溅射法(RF Magnetron Sputtering)和溶胶-凝胶法(Sol–Gel)结合,以多晶Ni–Al薄膜、高度择优取向TiAl薄膜、非晶Ti–Al薄膜分别作为导电阻挡层在Si衬底上制备了LaSrCoO...
- 郭颖楠
- 关键词：TI3AL退火工艺PZT溶胶-凝胶
- 文献传递
- 溶胶-凝胶法制备BiFeO_3薄膜的结构及物性研究被引量：21
- 2008年
- 应用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了BiFeO3薄膜,构架了Pt/BiFeO3/Pt电容器。采用X射线衍射仪和铁电测试仪研究了Pt/BiFeO3/Pt电容器的结构和物理性能。实验发现BiFeO3最佳的结晶温度为600℃,X射线衍射图谱显示BiFeO3薄膜结晶状况良好,原子力显微镜照片显示BiFeO3表面颗粒均匀。Pt/BiFeO3/Pt电容器具有良好的电学性能,在驱动电压为5V的情况下,Pt/BiFeO3/Pt电容器的电滞回线具有良好的对称性,漏电流密度小于10-4A/cm2,研究发现BiFeO3薄膜log(J)/log(E)关系满足空间电荷限制电流传导机制。
- 李丽刘保亭张新闫小兵郭颖楠
- 关键词：溶胶-凝胶法铁电性能漏电流
- 一种用于硒化锑太阳电池异质结的光退火装置及方法
- 本发明提供了一种用于硒化锑太阳电池异质结的光退火装置及方法。所述装置包括一个真空腔体，在真空腔体内设有一个样品台，所述样品台设有监测温度的温度计；所述真空腔体两侧设有真空抽气口和进气管路，进气管路配备充气阀；在真空腔体上...
- 李志强王新华郭颖楠梁晓杨
- 具有空间网状结构的超疏气性水分解催化剂及其制备方法与应用
- 本发明提供了具有空间网状结构的超疏气性水分解催化剂及其制备方法及应用，通过使用电化学沉积和热处理方式，在碳布表面原位生长空间网状碳纳米结构，然后原位负载镍铁或镍铁（氧）氢氧化物。该方法简单且成本低，制得的水分解催化剂具有...
- 王凤和郭颖楠郑欢
