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金兰

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇等离子
  • 2篇阳极氧化铝
  • 2篇阳极氧化铝模...
  • 2篇氧化铝模板
  • 2篇银纳米颗粒
  • 2篇图形化
  • 2篇氢氧化钠溶液
  • 2篇密度分布
  • 2篇纳米
  • 2篇晶片
  • 2篇光电转换
  • 2篇光电转换效率
  • 2篇广谱
  • 2篇高吸收
  • 2篇掺杂
  • 2篇GAAS

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇曲胜春
  • 4篇金兰
  • 2篇唐爱伟
  • 2篇刘孔
  • 2篇张君梦
  • 2篇谭付瑞
  • 2篇徐文清

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法
一种广谱高吸收的太阳能电池结构，包括：一p型或轻掺杂n型硅层；一硫系元素掺杂层，该硫系元素掺杂层是在硅材料中掺杂硫系元素，该硫系元素掺杂层制作在p型或轻掺杂n型硅层上，该硫系元素掺杂层的表面制作有阵列状连续的尖锥结构，尖...
刘孔曲胜春谭付瑞唐爱伟金兰张君梦徐文清
文献传递
制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法
一种制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法，包括如下步骤：步骤1：利用不同的电解液制备不同孔径和孔密度的阳极氧化铝模板；步骤2：在一GaAs晶片上外延500nm的GaAs平滑层，用于屏蔽GaAs晶片中的缺陷，形成...
金兰曲胜春徐波
文献传递
制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法
一种制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法，包括如下步骤：步骤1：利用不同的电解液制备不同孔径和孔密度的阳极氧化铝模板；步骤2：在一GaAs晶片上外延500nm的GaAs平滑层，用于屏蔽GaAs晶片中的缺陷，形成...
金兰曲胜春徐波
广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法
一种广谱高吸收太阳能电池结构，包括：一p型或轻掺杂n型硅层；一硫系元素掺杂层，该硫系元素掺杂层是在硅材料中掺杂硫系元素，该硫系元素掺杂层制作在p型或轻掺杂n型硅层上，该硫系元素掺杂层的表面制作有阵列状连续的尖锥结构，尖锥...
刘孔曲胜春谭付瑞唐爱伟金兰张君梦徐文清
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