陈永生
- 作品数：119 被引量：248H指数：10
- 供职机构：郑州大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金河南省基础与前沿技术研究计划项目更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>
- 本征微晶硅薄膜孵化层的深入研究
- 2011年
- 采用VHF-PECVD技术沉积微晶硅薄膜,获得较高的生长速度,但是薄膜质量较差,这与初始生长过程中生成厚的非晶孵化层关系密切。本研究表明,孵化层的厚度与硅烷浓度、功率密切相关:低的硅烷浓度,能保证成膜过程中氢原子打破弱键的几率,逐层生长现象明显;大的馈入功率,能保证更多氢原子参与成膜反应,减少悬键缺陷。这两方面的优化,最终把孵化层降低到26.55 nm。
- 张旭营卢景霄陈永生高海波
- 超声喷雾热解法制备ZnO、ZnO:Al薄膜的研究
- 采用自制的超声喷涂热解设备在玻璃基片上沉积了ZnO和ZnO:Al薄膜。研究了沉积温度、Al掺杂浓度对薄膜形貌、透光率、结晶特性的影响。在温度实验中,ZnO和ZnO;Al薄膜的透光率随着沉积温度的升高而迅速增加,并趋于饱和...
- 陈永生卢景霄杨仕娥郜小勇谷锦华
- 关键词：透明导电氧化物透光率电导率
- 文献传递
- 热处理对Ag_xO薄膜结构及成份的影响被引量：1
- 2005年
- 利用X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子谱(XPS)研究了热处理对AgxO样品的结构及成份的影响。研究结果表明所有制备的AgxO样品基本为无定型,并且AgO和Ag2O两种成份共存;两组具有代表性的AgxO样品经过高温热处理后分别呈现了(Ag+Ag2O)和Ag2O的多晶结构,结构及成份的巨大差异与样品制备条件息息相关;AgO和Ag2O两种成份的热分解临界温度分别为200℃和300℃;热处理过程中,伴随着AgxO的热分解及体内的氧原子向样品表面的扩散过程,并且Ag2O具有相对致密的结构。
- 郜小勇刘萍陈永生王海燕卢景霄
- 关键词：热分解反应溅射临界温度
- 衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响被引量：6
- 2006年
- 采用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅(μc-S i:H)薄膜,并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响。研究结果表明随着衬底温度的升高,表征μc-S i:H薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸均呈现了相似的变化规律,其临界温度点随着硅烷浓度的增加向高温方向移动。该实验结果可通过“表面扩散模型”得到合理解释。
- 赵剑涛郜小勇刘绪伟陈永生杨仕娥卢景霄
- 关键词：衬底温度晶化率
- 高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的微观结构。发现沉积速率在5Torr左右出现极大值,薄膜的晶化率随着沉积气压的升高而降低,薄膜表面的晶粒或团簇随着沉积气压的下降而增大,薄膜的粗糙度随着沉积气压的升高而降低。
- 杨根张丽伟卢景霄谷锦华陈永生文书堂汪昌州王子健
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜微观结构
- 一种新型上转换器及其在太阳电池中的应用
- 本发明属于太阳电池技术领域，特别涉及一种新型上转换器及其在太阳电池中的应用。所述转换器由稀土离子掺杂的上转换发光材料、量子点材料与低温固化材料构成，所述的量子点材料为窄带隙的半导体化合物，所述的低温固化材料为旋涂的氧化硅...
- 焦岳超陈永生卢景霄
- 文献传递
- 薄膜制备方法、氧化亚锡SnO薄膜及半导体器件
- 本发明提供一种薄膜制备方法、氧化亚锡SnO薄膜及半导体器件，涉及半导体技术领域。该薄膜制备方法包括：通过将安装在靶台上的靶材与安装在样品台上的衬底设置在真空室中；对真空室抽真空处理，使得靶材和衬底处于真空环境中；对衬底加...
- 陈永生郭海中潘玲
- 文献传递
- 以n型硅为衬底的异质结太阳能电池优化设计的数值模拟
- 本文采用AFOR-HET软件系统研究了各层参数对p型薄膜硅/n型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明：透明导电膜的功函数WTCO和p型薄膜硅发射层的带隙宽度对异质结太阳电池性能的影响较大，为了得到性能优异的异质结...
- 赵会娟谷锦华杨仕娥郜小勇陈永生卢景霄
- 关键词：太阳能电池优化设计
- 文献传递
- PECVD制备微晶硅薄膜生长过程的模拟
- 研究沉积功率、压强在甚高频等离子体化学气相沉积沉积(VHE-PECVD)微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中对沉积速率和薄膜性质的影响,采用Chemkin-pro中的AUROR模块,对气相反应和表面生长过程进行了数值模拟....
- 陈喜平陈永生李新利郝秀丽李瑞卢景霄
- 关键词：微晶硅
- 射频磁控溅射低温制备ITO薄膜
- 利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响.在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25sccm、溅射功率210W、溅射压强...
- 王秀娟谷锦华陈永生郜小勇杨仕娥卢景霄
- 关键词：射频磁控溅射法工艺参数光电性能
- 文献传递
