您的位置： 专家智库 > >

陈辉

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：西北工业大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺医药卫生建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇医药卫生

主题

  • 6篇桁架
  • 4篇轻量
  • 3篇端板
  • 3篇支撑梁
  • 3篇树脂
  • 3篇树脂基
  • 3篇树脂基复合材...
  • 3篇轻量化
  • 3篇桁架结构
  • 3篇外轮廓
  • 3篇母线
  • 3篇卡紧
  • 3篇抗弯
  • 3篇基板
  • 3篇激光
  • 3篇航空航天
  • 3篇航空航天器
  • 3篇复合材料
  • 3篇复合材
  • 2篇载流子

机构

  • 17篇西北工业大学

作者

  • 17篇陈辉
  • 8篇刘闯
  • 6篇赖长亮
  • 6篇王俊彪
  • 3篇林鑫
  • 3篇谭浩
  • 3篇范玉斌
  • 2篇于君
  • 2篇王永军
  • 2篇李志刚
  • 2篇杨海欧
  • 2篇王宁
  • 2篇杨雪
  • 2篇杨润强
  • 1篇李士宁
  • 1篇杨凯
  • 1篇张睿

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
共 17 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种不规则轮廓双曲率外形面整体壁板离散方法
本发明提出的一种不规则轮廓双曲率外形面整体壁板离散方法，针对不规则轮廓双曲率外形面整体壁板，通过对壁板外形面进行离散，得到排列整齐的离散点集，获取离散点处壁板几何信息，为整体壁板板坯展开计算、延展量计算、喷丸路径规划、喷...
刘闯陈辉王永军路骐安杨润强
文献传递
树脂基复合材料桁架管状构件成型模具
本发明公开了一种树脂基复合材料桁架管状构件成型模具。该模具采用缠绕成型工艺制造树脂基复合材料桁架管状构件，包括主轴、端板、支撑梁、纤维支撑头、转向螺钉、紧固件。主轴为其它各部件提供支撑，主轴的两端安装有端板，圆盘形端板上...
王俊彪赖长亮刘闯陈辉谭浩
文献传递
一种不规则轮廓双曲率外形面整体壁板离散方法
本发明提出的一种不规则轮廓双曲率外形面整体壁板离散方法，针对不规则轮廓双曲率外形面整体壁板，通过对壁板外形面进行离散，得到排列整齐的离散点集，获取离散点处壁板几何信息，为整体壁板板坯展开计算、延展量计算、喷丸路径规划、喷...
刘闯陈辉王永军路骐安杨润强
文献传递
一种仿竹桁架结构
本发明涉及一种仿竹桁架结构。包括由柱面母线杆单元、柱面螺旋曲线杆单元和螺旋折线杆单元构成的结构轴向的杆单元，沿结构径向的杆单元由直线段连接位于同一横截面的螺旋曲线杆单元同母线杆单元的交点形成；其中，柱面母线杆单元和螺旋曲...
赖长亮刘闯王俊彪范玉斌陈辉
超声-静态电磁场辅助的激光直接能量沉积方法及装置
本发明公开了超声‑静态电磁场辅助的激光直接能量沉积方法及装置，方法包括以下步骤：激光开始照射基板，在基板上形成熔池，超声波传递至基板，调整静态电磁场覆盖的范围在熔池范围内；向熔池范围输入粉状材料，在能量场的作用下让材料在...
陈辉杨海欧于君
一种基于沟道材料的半导体器件、制备方法和用途
本发明涉及一种基于沟道材料的半导体器件、制备方法和用途。一种基于沟道材料的半导体器件，包括基底层、设置在所述基底层上的二硒化铂层，设置在所述二硒化铂层远离所述基底层一侧的黑磷膜层，以及设置在所述黑磷膜层远离所述二硒化铂层...
冯晴亮杨雪张景遥王宁陈辉
树脂基复合材料桁架管状构件成型模具
本实用新型公开了一种树脂基复合材料桁架管状构件成型模具。该模具采用缠绕成型工艺制造树脂基复合材料桁架管状构件，包括主轴、端板、支撑梁、纤维支撑头、转向螺钉、紧固件。主轴为其它各部件提供支撑，主轴的两端安装有端板，圆盘形端...
王俊彪赖长亮刘闯陈辉谭浩
文献传递
一种基于轻量级区块链的物联网设备接入认证系统及方法
本发明公开了一种基于轻量级区块链的物联网设备接入认证系统及方法，其使用基于轻量级区块链的认证技术对物联网终端设备进行甄别，将轻量级区块链服务与多个边缘网关结合起来，采用区块链网关实现设备认证，区块链共识可使网关间协作处理...
李志刚陈辉王迷莉马胜隆李士宁
树脂基复合材料桁架管状构件成型模具
本发明公开了一种树脂基复合材料桁架管状构件成型模具。该模具采用缠绕成型工艺制造树脂基复合材料桁架管状构件，包括主轴、端板、支撑梁、纤维支撑头、转向螺钉、紧固件。主轴为其它各部件提供支撑，主轴的两端安装有端板，圆盘形端板上...
王俊彪赖长亮刘闯陈辉谭浩
文献传递
一种基于沟道材料的半导体器件、制备方法和用途
本发明涉及一种基于沟道材料的半导体器件、制备方法和用途。一种基于沟道材料的半导体器件，包括基底层、设置在所述基底层上的二硒化铂层，设置在所述二硒化铂层远离所述基底层一侧的黑磷膜层，以及设置在所述黑磷膜层远离所述二硒化铂层...
冯晴亮杨雪张景遥王宁陈辉
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0