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陶科

作品数:82 被引量:40H指数:5
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划天津市科技攻关计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信化学工程核科学技术更多>>

文献类型

  • 47篇专利
  • 22篇会议论文
  • 12篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 27篇电气工程
  • 22篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 2篇核科学技术
  • 1篇天文地球
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 39篇电池
  • 19篇太阳电池
  • 18篇衬底
  • 17篇探测器
  • 16篇太阳能电池
  • 15篇太阳能
  • 13篇背接触
  • 12篇柔性衬底
  • 12篇漂移
  • 12篇硅薄膜
  • 11篇载流子
  • 10篇能量分辨率
  • 9篇石墨
  • 9篇石墨烯
  • 9篇薄膜太阳电池
  • 8篇钝化
  • 8篇重掺杂
  • 7篇金属
  • 6篇电极
  • 6篇填充因子

机构

  • 60篇中国科学院微...
  • 24篇南开大学
  • 2篇东京工业大学
  • 2篇天津市光电子...
  • 1篇天津理工大学

作者

  • 82篇陶科
  • 58篇贾锐
  • 45篇姜帅
  • 26篇刘新宇
  • 22篇金智
  • 21篇张德贤
  • 20篇孙恒超
  • 19篇蔡宏琨
  • 12篇张立军
  • 11篇孙昀
  • 11篇王林申
  • 9篇隋妍萍
  • 9篇赵敬芳
  • 8篇姜元建
  • 8篇薛颖
  • 6篇席强
  • 6篇胡居涛
  • 5篇靳果
  • 4篇孙云
  • 4篇冯凯

传媒

  • 5篇光电子.激光
  • 4篇第十一届中国...
  • 2篇太阳能学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 4篇2023
  • 5篇2022
  • 4篇2021
  • 13篇2020
  • 4篇2019
  • 11篇2018
  • 10篇2017
  • 5篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 5篇2009
  • 6篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
82 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
RF-PECVD法制备微晶硅籽晶层的研究
为了便于研究微晶硅材料的性能和结构,以及改善微晶硅在异质衬底上的成核和生长,在RF-PECVD(13.56 MHz)条件下,研究了微晶硅籽晶层的制备方法。研究发现,在没有籽晶层的情况下,制备出的材料将主要是非晶结构,随着...
靳果蔡宏琨陶科王林申张德贤
关键词:硅太阳能电池非晶结构
文献传递
一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法
本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法,包括以下步骤:1)将石墨烯转移至砷化镓外延片表面的窗口层表面,形成石墨烯层;2)在石墨烯层表面制备重掺杂砷化镓帽子层;3)在砷化镓外延片衬底表面制备背面电极,在重掺杂砷化...
贾锐桂羊羊孙恒超陶科戴小宛金智刘新宇
文献传递
硅漂移探测器及其加工方法
本说明书提供一种硅漂移探测器及其加工方法,硅漂移探测器包括:N掺杂的硅衬底和设置在硅衬底两个表面的钝化膜;钝化膜包括沉积在硅衬底上的本征非晶硅薄膜、氧化铝薄膜和氧化硅薄膜。本征非晶硅薄膜能够较好地短话硅衬底表面的悬挂键,...
贾锐陶科姜帅刘新宇金智张立军王冠鹰欧阳晓平
文献传递
ITO生长及后退火对双面TOPCon晶体硅太阳电池的影响研究
双面TOPCon结构[(n+) poly-Si /Si Ox/(n-)c-Si/Si Ox/(p+)poly-Si] 太阳电池的载流子输运呈一维特性,易于获得更高的FF,设计双面TOPCon太阳电池时,因多晶硅薄膜的方阻...
陶科贾锐姜帅周颖
关键词:晶体硅太阳电池薄膜生长退火工艺
石墨烯在砷化镓太阳电池中的应用
主要内容石墨烯的迁移率和光学特性石墨烯/砷化镓电池结构石墨烯/砷化镓电池工艺石墨烯/砷化镓电池性能石墨烯的迁移率和光学特性极高的载流子迁移率~2×105cm2/Vs室温下电阻率最低10-6Ωcm促进光生载流子的横向输运,...
孙恒超贾锐桂羊羊陶科孙昀戴小宛
关键词:石墨烯迁移率光学特性
器件结构设计对异质结像素探测器性能的影响
2023年
像素探测器一直是高分辨率、高速率粒子跟踪的工作平台。本文以多晶硅/氧化硅(poly-Si/SiO_(x))钝化接触异质结结构设计了硅像素探测器,为了实现探测器的超快响应,采用Silvaco TCAD对异质结硅像素探测器进行器件仿真,一方面研究了不同衬底厚度对载流子输运和收集的影响,另一方面研究了器件结构设计对异质结像素探测器击穿电压的影响。仿真结果表明:在相同的偏置电压下,较薄的硅衬底可以获得更强的漂移电场,进而提高器件对信号电荷的输运与收集速率,有利于提高探测器的时间响应。较小的保护环-有源区间距有利于提高器件的击穿电压,而在保护环-有源区间距较大的情况下,在有源区边缘设计金属场板结构,也能够有效提高器件的击穿电压,使探测器可以工作在较高电压下,从而提升探测器的响应速率。
宋鸿宇陶科陶科李微罗威贾锐
关键词:仿真模拟异质结快速响应
电子束加热蒸发方法与装置及其用途
本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式,由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压,使之与接地坩埚间形成强电场;另由低压交流电源为灯丝热阴极提...
张德贤蔡宏琨隋妍萍陶科薛颖席强姜元建冯凯齐龙茵赵敬芳王林申孙云
文献传递
硅漂移探测器的制备方法
本说明书提供一种硅漂移探测器的制备方法,包括沉积步骤;所述沉积步骤包括:以四氟化锗、高阶硅烷和掺杂剂硅烷作为反应气体,采用化学气相沉积工艺在具有钝化膜的硅衬底上沉积重掺杂锗薄膜,使重掺杂锗薄膜在硅衬底的对应区域形成功能区...
陶科贾锐姜帅刘新宇金智张立军王冠鹰欧阳晓平
文献传递
一种硅基太阳能电池及其制备方法
本申请公开了一种硅基太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池包括:硅衬底,在硅衬底的正面形成有PN结;在PN结的上方依次形成有隧穿层、石墨烯层、重掺非晶硅层、减反射层和正面电极;正面电极穿透减反射层与重掺非晶硅层直接接触;在...
孙恒超贾锐陶科姜帅
文献传递
效率20.7%的TOPCon高效晶体硅太阳能电池的研究
介绍了TOPCon太阳电池的研究方案,TOPCon太阳电池的研究结果,背表面的钝化,电池性能,结论与展望,太阳能电池核心课题:提高转换效率,降低生产成本。解决方案:全面钝化1.使用非晶硅作为钝化层;非晶硅异质结钝化结构。...
陶科贾锐李强侯彩霞姜帅孙昀
关键词:晶体硅太阳能电池硅薄膜电池性能
共9页<123456789>
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