颜伟
- 作品数：22 被引量：22H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家电网公司科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 侧栅场效应晶体管太赫兹探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位...
- 颜伟张博文黄镇李兆峰刘雯韩国威王晓东杨富华
- 文献传递
- 谐振式集成光学陀螺系统中用于抑制背散射噪声的相位调制技术（英文）被引量：4
- 2019年
- 在谐振式集成光学陀螺系统中,相位调制技术被广泛用于检测陀螺旋转信号。本文详细介绍了近几年来国内外学者为提高陀螺精度、抑制陀螺噪声所提出的相位调制技术。文章首先从理论上分析了谐振环中的背散射噪声,发现载波抑制是抑制背散射噪声的关键因素。然后,详细介绍了近几年来为提高陀螺精度而提出的两类相位调制技术,分别是单相位调制技术和双相位调制技术,并分析比较了其技术原理、噪声抑制能力以及系统的鲁棒性和复杂度。新型的边带锁定技术可以有效抑制陀螺中的背散射噪声。最后通过总结这些相位调制技术的优缺点发现,在陀螺系统中除了需要借助于相位调制技术抑制背反射噪声外,提高对其他类型噪声的抑制是集成光学陀螺性能进一步提高的关键。
- 何玉铭杨富华颜伟颜伟
- 关键词：陀螺仪相位调制谐振器
- 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法
- 本发明公开了一种具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法，所述结构在N<Sup>+</Sup>衬底上形成有N<Sup>-</Sup>漂移区，在该N<Sup>-</Sup>漂移区的上方形成有P型基极区和...
- 王进泽杨香颜伟刘胜北赵继聪何志王晓东杨富华
- 文献传递
- 表面等离激元激光器微腔
- 本公开提供一种表面等离激元激光器微腔，包括：半导体纳米线、多个金属椭球和半导体基板；其中，多个金属椭球以一维阵列形式排布在半导体基板表面，每个金属椭球半埋设于半导体基板中，半导体纳米线覆盖在多个金属椭球上且包覆每个金属椭...
- 彭轩然刘晶康亚茹李兆峰颜伟刘孔王晓晖毛旭杨富华
- 4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀被引量：4
- 2015年
- 传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。
- 王进泽杨香钮应喜杨霏何志刘胜北颜伟刘敏王晓东杨富华
- 关键词：刻蚀速率
- 气体传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环...
- 何玉铭韩伟华李兆峰颜伟王晓东杨富华
- 文献传递
- 太赫兹波探测器
- 本发明公开了一种太赫兹波探测器，以氮化镓高电子迁移率晶体管为基本结构，包括晶体管部分、源漏接触测试电极及引线部分、太赫兹波耦合天线部分，其中：所述太赫兹波耦合天线部分为耦合特定频率的天线，同时作为接触电极与所述晶体管部分...
- 白龙颜伟杨富华
- 侧栅晶体管太赫兹探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器，其中，该方法包括：在衬底上制作源电极和漏电极；在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩...
- 董慧颜伟黄镇李兆峰王晓东杨富华
- 文献传递
- 一维纳米颗粒链等离激元激光器微腔
- 本公开提供一种一维纳米颗粒链等离激元激光器微腔，包括：金属基板，为单晶金属制成；多个介质块，设置于所述金属基板表面，所述多个介质块高度相同且沿直线排列构成纳米颗粒链结构；通过改变所述多个介质块的设置参数以提高增益。
- 刘晶康亚茹彭轩然李兆峰颜伟刘孔王晓晖毛旭杨富华
- 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法
- 一种利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法，包括如下步骤：步骤1：在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层；步骤2：在介质钝化层上涂覆抗蚀剂；步骤3：利用光子束超衍射纳米加工技术，在抗蚀剂上曝光，显影，定影，形成栅...
- 颜伟杜彦东韩伟华杨富华
