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魏磊

作品数:6 被引量:23H指数:2
供职机构:武汉理工大学材料科学与工程学院硅酸盐材料工程教育部重点实验室更多>>
发文基金:湖北省自然科学基金湖北省科技攻关计划更多>>
相关领域:化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇化学工程

主题

  • 3篇碳化硅
  • 3篇改性
  • 3篇表面改性
  • 2篇乙烯
  • 2篇酸酐
  • 2篇流变性
  • 2篇马来酸酐
  • 2篇马来酸酐共聚...
  • 2篇共聚
  • 2篇共聚物
  • 2篇苯乙烯
  • 2篇苯乙烯-马来...
  • 1篇电热
  • 1篇电热元件
  • 1篇电性能
  • 1篇陶瓷颗粒
  • 1篇偶联剂
  • 1篇气流磨
  • 1篇球磨
  • 1篇球磨机

机构

  • 6篇武汉理工大学

作者

  • 6篇魏磊
  • 5篇吉晓莉
  • 3篇郑彩华
  • 2篇郝惠
  • 2篇闵思斯
  • 1篇邓明进
  • 1篇吴鲁
  • 1篇张丽
  • 1篇梅兴涛

传媒

  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇耐火材料
  • 1篇现代技术陶瓷
  • 1篇中国粉体技术
  • 1篇化学与生物工...

年份

  • 5篇2008
  • 1篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
苯乙烯-马来酸酐共聚物表面改性SiC浆料的流变性研究被引量:2
2008年
通过自由基聚合反应,合成了含有苯乙烯-马来酸酐共聚物的改性剂。通过表面改性将上述改性剂接枝在粉体表面,研究了不同因素对改性SiC浆料流变特性的影响。结果表明,表面改性使SiC浆料的粘度显著降低,且浆料呈现出近似Newton流体行为。通过控制影响改性SiC浆料流变性的因素,在改性剂中WD-20与SMA配比为1:1,改性剂用量为1wt%,pH=9,加入分散剂TMAH的量为0.6wt%的条件下,成功地制备出了固相含量为58vol%,粘度低于1Pa·s的SiC陶瓷浆料。
吉晓莉郑彩华魏磊郝惠
关键词:碳化硅表面改性流变性
颗粒级配对硅碳棒热端密度及性能的影响
2008年
采取相同的塑化剂配方和成型压力,研究了碳化硅颗粒级配(粗粉800~1600μm,中粉100μm,细粉1.2~14μm)对硅碳棒热端挤出密度以及电性能和抗氧化性的影响。结果表明:1)在硅碳棒热端塑性挤出工艺中,当粗、中粉之和与细粉(含塑化剂)的体积比为7:5时,坯体的挤出成型密度最高;2)在硅碳棒热端的挤出成型中,粗、细粉的粒径都对坯体密度有较大的影响,当粗粉为1.4mm占40%(体积分数,下同)和600μm占25%,中粉为100μm占10%,细粉为5μm占25%时,制得坯体的密度高达2.56g.cm-3;3)硅碳棒热端的电阻率与碳化硅颗粒烧结颈的多少和粗细有很大关系,合适的级配能使硅碳棒中的碳化硅颗粒基本烧成一体,减少其颗粒之间的界面,从而提高制品的导电性能和抗氧化性能。
吉晓莉魏磊闵思斯吴鲁张丽
关键词:硅碳棒颗粒级配电性能抗氧化性
苯乙烯-马来酸酐共聚物表面改性SiC浆料的流变性研究
2008年
利通过自由基聚合反应,合成了含有苯乙烯-马来酸酐共聚物的改性剂。通过表面改性将上述改性剂接枝在粉体表面,研究了不同因素对改性SiC浆料流变特性的影响。结果表明,表面改性使SiC浆料的粘度显著降低,且浆料呈现出近似Newton流体行为。通过控制影响改性SiC浆料流变性的因素,在改性剂中WD-20与SMA配比为1∶1,改性剂用量质量分数为1%,pH=9,加入分散剂TMAH的质量分数为0.6%的条件下,成功地制备出了固相体积分数为58%,粘度低于1Pa·s的SiC陶瓷浆料。
吉晓莉魏磊郝惠郑彩华
关键词:碳化硅表面改性流变性
碳化硅电热材料的制备及其结构与性能的研究
目前国内硅碳棒生产企业采用重结晶工艺生产的硅碳棒热端密度一般低于2.43 g.cm,且存在着电阻离散性大、致密度低、使用温度低、使用寿命短等问题,这些问题制约着国内的碳化硅电热行业发展。与此同时,由于我国工业窑炉高温技术...
魏磊
关键词:碳化硅电热元件陶瓷颗粒
文献传递
氨基硅烷偶联剂表面改性SiC微粉的研究被引量:17
2008年
采用3种氨基硅烷偶联剂WD-50、WD-52和WD-57对SiC微粉进行表面改性,制备出高固相含量、低粘度的SiC料浆,并通过红外光谱分析了SiC微粉改性前后的表面特性。结果表明,采用偶联剂WD-52改性的SiC微粉固相体积含量达到54.5%、料浆稳定性显著提高且粘度降低,与偶联剂WD-50和WD-57相比,WD-52的改性效果最好。
吉晓莉郑彩华魏磊邓明进
关键词:SIC偶联剂表面改性
超细SiC片晶的制备方法
2006年
超细SiC片晶由于其高强度、高弹性模量和高导热系数已成为替代价值昂贵、制备技术复杂的SiC晶须的理想的增韧材料SiC片晶的制备方法有化学制备法和机械制备法。本文中详细介绍了用机械方法制备SiC片晶的设备与工艺过程,阐述了各种制备方法的工作原理及其优缺点,通过对各种制备方法的比较得出采用气流磨与分级机结合工艺是目前制备系列超细SiC片晶有效的和最经济的生产工艺。
吉晓莉闵思斯梅兴涛魏磊
关键词:球磨机高压辊磨机气流磨分级机
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