麦振洪
- 作品数：85 被引量：217H指数：6
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- X射线低角衍射与薄膜界面研究
- ＜正＞本报告综述我们近年来在薄膜界面研究方面的一些进展。X 射线低角衍射（反射）与漫散射是界面敏感的结构探针,在薄膜微结构特别是界面结构表征方面有不可替代的作用,它拓展了 X 射线衍射在新材料领域的应用范围。其理论基础是...
- 李明麦振洪
- 文献传递
- 氮化镓纳米线的制备及表征被引量：1
- 2001年
- 王超英麦振洪陈小龙李建业
- 关键词：GAN纳米材料X射线粉末衍射氮化镓
- GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征
- 2002年
- 研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化。对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2 O3/GaAs薄膜 ,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征。结果表明 ,氧化前GaAs/AlAs/GaAs结构中 ,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层110 的均匀过渡层。AlAs层分成厚度为 4 0 和 10 5 0 的两层 ,而 4 0 厚的AlAs层的平均原子密度比 10 5 0 厚的减小。利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al2 O3,而且与氧化前相比 ,其过渡层的厚度与粗糙度均减小。
- 王勇贾海强王文充刘翠秀陈向明麦振洪郑文莉贾全杰姜晓明
- 关键词：微结构砷化镓砷化铝绝缘层
- α-碘酸锂晶体的空间生长
- 1998年
- 文章报道了三次α－碘酸锂晶体空间生长实验．该实验是在我国返回式科学技术探测卫星上完成的．为研究空间微重力环境对于晶体生长和物性的影响，应用Ｘ射线衍射、Ｘ射线形貌、Ｘ射线荧光分析、光学透过率和介电测量等技术，对在微重力和常重力条件下生长的晶体结构、完整性、杂质分布以及介电常数等参数进行了研究．研究结果表明：微重力条件下，晶体中β－碘酸锂的含量比地面低；微重力对α－碘酸锂的晶体形态和结构没有影响；微重力条件下生长的晶体的完美性优于地面晶体；
- 陈万春麦振洪马文漪谢安云刘道丹吴兰生
- 关键词：微重力
- 重力对GaSb熔滴和液/固界面交互作用的影响被引量：2
- 2000年
- 利用我国返回式实验卫星在空间微重力条件下进行了GaSb熔滴与GaP ,BN和GaAs等材料的润湿性能的研究 ,分析了熔滴与基片之间的界面相互作用 ,并与重力场下实验结果进行了对比 .实验表明 ,重力因素对润湿性存在影响 ,空间微重力条件下测得的GaSb熔滴与GaP及BN基片的接触角比地面测量的大 .对凝固后的熔滴与基片之间的组织分析显示 ,重力场下 ,液固界面的相互作用较强 ,存在较宽的过渡区 ,这与地面浮力对流有利于物质输运密切相关 .实验结果还表明 ,空间微重力环境下熔体凝固的组织比重力场下要均匀 .
- 王超英翟光杰吴兰生麦振洪李宏张海峰丁炳哲
- 关键词：微重力润湿性锑化镓熔滴
- μc-Si∶H/a-Si∶H多层膜的周期性结构和量子尺寸效应被引量：1
- 2001年
- 利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 .低角度X射线衍射 (L AXRD)测试表明 ,这种多层膜具有良好的周期性结构 .观察了上述多层膜的光学性质及电导率与温度的关系 ,发现其吸收边随着 a- Si∶ H层的减薄而蓝移 ,低温下的电导激活能 Ea 随着 a- Si∶ H层的减薄而减小 .
- 徐明王洪涛冯良桓周心明蔡亚平冯技文徐宁麦振洪
- 关键词：量子尺寸效应半导体
- 硅衬底上MBE生长GaAs薄膜完整性的研究
- 李超荣麦振洪崔树范
- 关键词：砷化镓硅位错
- 第八届全国X射线衍射学术会议简讯
- 2004年
- 麦振洪
- 北京同步辐射装置上的位相衬度成像被引量：25
- 2002年
- 在北京同步辐射装置上首次用位相衬度成像方法对生物样品和复合材料进行研究 ,得到了非常清晰而精细的材料内部细观结构 .
- 黄万霞田玉莲朱佩平麦振洪胡小方
- 关键词：相干光源硬X射线生物样品无损检测复合材料北京同步辐射装置
- Ni_(80)Fe_(20)/Cu多层膜界面原子结构的分析被引量：2
- 2000年
- 近来 ,超薄层的Ni80 Fe2 0 /Cu多层膜因其在巨磁电阻 (GMR)器件上的潜在应用而引起了极大的研究兴趣。众所周知 ,薄膜的电学和磁学性质明显地依赖于薄膜的微结构 ,如膜层的结晶性、应变分布、界面粗糙度以及原子互扩散等。由于巨磁电阻主要起源于界面自旋相关散射 ,有必要对Ni80 Fe2 0 /Cu多层膜的界面结构进行表征。但是 ,由于Ni80 Fe2 0 /Cu的原子散射因子差别非常小 ,用常规的X射线和电子衍射技术无法分析Ni80 Fe2 0 /Cu多层膜的界面结构。为克服这一困难 ,我们利用小角DAFS(衍射异常精细结构 )技术成功地分析了Ni80 Fe2 0 /Cu界面的原子密度和结晶性。所有样品都是用直流磁控溅射法在Si( 0 0 1 )衬底上制备的 ,其名义结构为 :Si( 0 0 1 ) /Fe( 80nm) / [Ni80 Fe2 0 ( 1 .8nm) /Cu(t) ]3 0 。其中 ,Fe为缓冲层 ,Cu层厚度分别为 0 .96nm和 0 .7nm。样品在优于 1 0 -3 Pa的真空中 ,1 5 0℃和 2 5 0℃的温度下分别进行了 1h的退火处理。用同步辐射X射线测量了样品特定衍射峰的强度随入射X射线能量的变化 ,即小角DAFS谱。结果分析表明 ,相对于Ni80 Fe2 0 和Cu体材料的原子密度差 (Δ0 )而言 ,多层膜中Ni80Fe2 0 和Cu的原子密度差别 (Δ)在退火之后明显减小 ,同时伴随着局域结晶性的改善。我们的结构还表?
- 麦振洪罗光明徐明姜宏伟柴春林赖武彦吴忠华蒋海音王德武
- 关键词：原子密度
