黄辉
- 作品数:147 被引量:195H指数:8
- 供职机构:教育部更多>>
- 发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信医药卫生理学一般工业技术更多>>
- 冷光源检测晶片键合质量的实现被引量:1
- 2005年
- 利用红外透射原理,即根据键合晶片中键合部分可以透光而未键合部分几乎不能透光的原理,同时采用冷光源的独特方法构建了键合质量测试平台以用于初步筛选符合下一步工艺探索的高质量键合晶片。
- 马如兵孙慧姝陈斌王琦黄辉黄永清任晓敏
- 关键词:晶片键合冷光源
- 引入带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩探测器
- 报道了一种在倍增区引入带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光电探测器.将Al0.4Ga0.As-Al0.2Ga0.8As - GaAs梯度结构置于探测器的高场区,并结合吸收区与倍增区分离的设计,从而实现对探测器噪声和频率响应两...
- 张帅黄永清陶彦耘张欣宋海兰任晓敏王琦黄辉
- 关键词:AVALANCHEPHOTODIODEEXCESSALGAASRCE
- 文献传递
- 低温晶片键合技术及在通信光电子器件中的应用被引量:8
- 2004年
- 简单介绍了晶片键合的基本原理,指出了实现低温晶片键合的必要性;通过对比低温晶片键合技术的实现方式及其在通信光电子器件中的应用,指明表面改性是实现低温晶片键合的最有效手段。
- 王琦黄辉王兴妍陈斌黄永清任晓敏
- 关键词:晶片键合光电子器件通信
- InP基MOCVD及MBE外延生长HBT的制备与分析
- 2012年
- 设计并研制了用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极晶体管(HBT),介绍了工艺流程及器件结构。分别采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)及分子束外延(MBE)生长的外延片,并在外延结构、工艺流程相同的条件下,对两种生长机制的HBT直流及高频参数进行和分析。结果表明,采用MOCVD生长的InP基HBT,直流增益为30倍,截止频率约为38GHz;MBE生长的HBT,直流增益达到100倍,截止频率约为40GHz。这表明,MBE生长的HBT外延层质量更高,在相同光刻条件下,所对应的HBT器件的性能更好。
- 崔海林任晓敏黄辉
- 关键词:MOCVD
- 新安医学非物质文化遗产现状调查报告
- 2024年
- 新安医学非物质文化遗产是活态的新安医学,传统医药的金字招牌。作者团队第一次开展了全面系统的专题调研,初步摸清了传承三代以上至今仍活跃在临床一线的新安医学世家近40支的家底,发现新安非遗项目数量优势巨大、世家传承谱系完整多元、代表人物成就突出、各支学术特色技艺鲜明、文物遗存丰富、医德医风无私清廉、现代传承创新不断。但存在非遗项目数量及级别有待提高、传承面临困境、古籍缺乏整理、品牌及文物保护意识不足、家风家训欠缺整理规范、科技成果转化缺乏支持指导等问题,理清现状以期为新安医学传统医药类非遗保护发展提供借鉴。
- 李梦洁黄辉黄辉陶剑生梅博扬乔峰
- 关键词:新安医学传统医药非物质文化遗产
- 集成液晶可调谐RCE光电探测器的实验研究被引量:7
- 2002年
- 实现了波长调谐范围为 8nm的集成液晶可调谐谐振腔增强型 (RCE)光电探测器 ,并且对相应的实验结果进行讨论。这种器件可用在波分复用 (WDM)
- 黄辉成步文黄永清王兴妍王琦任晓敏
- 关键词:波分复用RCE光电探测器液晶调谐谐振腔增强型
- MOCVD反应器热流场的数值模拟研究被引量:13
- 2008年
- 本文以低压、旋转、垂直喷淋结构的MOCVD反应器为对象,应用二维数学模型分析与计算,对反应器内部的质量输运过程进行了比较详细的研究与讨论。通过计算发现:在一定范围内,增加进气流量Q、降低操作压力P、设定适宜的生长温度t、保持合理的基座转速ω等,不仅可以非常有效地抑制热浮力效应,同时也使衬底表面流体的流动速度进一步增加,从而实现反应器内部的流场和温度场的均匀分布。研究的结果,不仅为高品质的外延生长提供了有效的解决方案,而且也为MOCVD反应器的优化设计提供了重要的参考依据。
- 钟树泉任晓敏王琦黄辉黄永清张霞蔡世伟
- 关键词:MOCVD反应器输运过程热对流
- 具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法
- 本发明涉及一种具有非平行腔结构的集成半导体光波与光电子器件的制备方法,特别涉及一种在半导体外延层上制备楔形结构的方法。本发明其特征在于在外延层表面形成引导层以及掩膜层,在需要形成的楔形结构顶端的相对位置除去掩膜层,然后置...
- 黄辉任晓敏黄永清
- 文献传递
- 新型长波长InP基谐振腔增强型光探测器被引量:4
- 2004年
- 介绍了一种新型长波长InP基谐振腔增强型(RCE)光探测器。通过V(FeCl3):V(H2O)溶液对InGaAs牺牲层的选择性湿法腐蚀,制备出具有InP/空气隙的高反射率分布布拉格反射镜(DBR),并将该选择性湿法腐蚀技术成功地应用到长波长InP基谐振腔增强型光探测器的制备中去,从而彻底解决了InP/InGaAsP高反射率分布布拉格反射镜难以外延生长的问题。所制备出的谐振腔增强型光探测器,其台面面积为50μm×50μm,底部反射镜为1.5对的InP/空气隙分布布拉格反射镜,顶部反射镜靠InGaAsP与空气的界面反射来实现。测试结果表明,该谐振腔增强型光探测器在波长1.510μm处获得了约59%的峰值量子效率,在3V反偏压下暗电流为2nA,3dB响应带宽达到8GHz。
- 王琦黄辉王兴妍黄永清任晓敏
- 关键词:光电子学谐振腔增强型光探测器空气隙
- 基于光子晶体高级次反射膜空间解复用器的研究被引量:1
- 2009年
- 由于实际中多周期高反射膜空间解复用器的制备工艺的难度,根据"超棱镜"效应的多层薄膜空间解复用器的设计方法,提出了一种制备工艺简单的多层薄膜结构,以此来降低制备的工艺难度。制备通过增加周期中单层膜的级次来减少整个高反射膜系的周期数。所设计的高级次反射膜系为10(9H9L)9H,对设计的膜系进行了数值模拟计算,并和相同总物理厚度的一级次高反射膜系进行了比较。计算结果比较表明,该设计方法明显降低了工艺设计的要求,并具有较大的空间色散和实际制备意义。
- 温凯黄永清段晓峰黄辉王琦
- 关键词:波分复用光子晶体高反射膜