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丁凯

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电荷
  • 4篇电荷分布
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇生物传感
  • 3篇生物传感器
  • 3篇漏电
  • 3篇漏电流
  • 2篇栅极
  • 2篇栅极电荷
  • 2篇生物分子
  • 2篇肿瘤
  • 2篇肿瘤标志
  • 2篇肿瘤标志物
  • 2篇禁带
  • 2篇空穴
  • 2篇宽禁带
  • 2篇分子
  • 2篇PHEMT

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇曾一平
  • 7篇丁凯
  • 5篇张杨
  • 5篇关敏
  • 5篇张斌田
  • 5篇王成艳
  • 5篇黄丰
  • 5篇林璋
  • 2篇李晋闽
  • 2篇段瑞飞
  • 2篇王军喜
  • 2篇张连

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2015
  • 2篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法
一种利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其步骤包括：步骤1：选取一个衬底；步骤2：在衬底上生长低温成核层，利于成核；步骤3：在低温成核层上生长低温缓冲层，可以减少位错密度，提高晶体质量；步骤4：在低温缓冲...
丁凯张连王军喜段瑞飞曾一平李晋闽
文献传递
GaAs基PHEMT生物传感器及其制作方法
本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg<Sup>2+</Sup>)的GaAs基PHEMT生物传感器，其以GaAs基PHEMT为基底，利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性，在特定条件下...
王成艳张杨关敏丁凯张斌田林璋黄丰曾一平
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一种检测肿瘤标志物的生物传感器及其制作方法
本发明公开了一种用于检测肿瘤标志物的GaAs基HEMT生物传感器及其制作方法。该传感器包括GaAs基HEMT(10)，源、漏极电极(20)分别与所述GaAs基HEMT(10)的源极区域和漏极区域欧姆接触，栅极电极(40)...
张杨王成艳关敏丁凯张斌田林璋黄丰曾一平
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一种快速检测重金属离子的多通道传感器及其制作方法
本发明公开了一种用于检测重金属离子的InP基HEMT多通道传感器，其采用分子束外延系统制备InP基HEMT，一定条件下将特异性生物分子固定于栅极表面通过将InP基HEMT高跨导低噪声的特性与检测技术和微流控技术相结合，研...
张杨王成艳关敏丁凯张斌田林璋黄丰曾一平
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GaAs基PHEMT生物传感器及其制作方法
本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg<Sup>2+</Sup>)的GaAs基PHEMT生物传感器，其以GaAs基PHEMT为基底，利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性，在特定条件下...
王成艳张杨关敏丁凯张斌田林璋黄丰曾一平
利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法
一种利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区、宽禁带势垒层和p型层，形成外延片；步骤3：在外延片上面的一侧进行刻蚀，...
张连丁凯王军喜段瑞飞曾一平李晋闽
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InP基HEMT肿瘤标志物传感器及制作方法
本发明公开了一种InP基HEMT肿瘤标志物传感器及其和制作方法，其包括InP基HEMT换能器、生物分子载体和生物敏感膜，换能器包括源极、漏极和栅极，生物分子载体形成于所述换能器的栅极，生物敏感膜附着于所述生物分子载体，该...
张杨王成艳关敏丁凯张斌田林璋黄丰曾一平
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