乔红波
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅自然科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 砷化镓团簇缺陷及光电特性研究
- 砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)作为第二代化合物半导体材料,并且拥有直接带隙双能谷的结构特性,它凭借优越的光电特性在光电子和微电子学方面得到广泛应用。非掺杂SI-GaAs材料中的深能级团簇缺陷影响材料...
- 乔红波
- 关键词：第一性原理方法砷化镓光电特性
- 文献传递
- 富镓Ga_nAs团簇稳定性及缺陷特性的密度泛函理论研究被引量：1
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理对富镓中性GanAs（n=1～9）团簇的稳定性及缺陷特性进行了研究.结果表明,随着总原子数的增大,各基态团簇结合能的二阶差分值和团簇能隙差均呈奇偶交替变化规律,总原子数为奇数的团簇比总原子数为偶数的团簇稳定;部分团簇的能隙差小于砷化镓材料的禁带宽度,为砷化镓材料缺陷的研究提供了帮助,其中GaAs团簇缺陷中的VAsVGa缺陷导致能带中的T点处的带隙宽度减小,其最低施主缺陷能级位于导带底以下0.39eV,该值接近于EL6缺陷能级的实验值;团簇各基态结构的振动频率均在THz频段,从而为砷化镓材料的THz波辐射和缺陷的THz波检测提供了依据.
- 马德明乔红波李恩玲施卫马优恒
- 关键词：密度泛函理论
