付晓东
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CMOS多晶电容工艺误差分析及设计研究被引量：2
- 2004年
- 研究分析了CMOS多晶电容的工艺误差,给出了氧化硅介质层厚度的梯度误差、边际效应等工艺因素对CMOS多晶电容的影响。基于单位电容的改进设计,给出了CMOS多晶电容阵列的共心设计方法。采用0.6μmCMOS DPDM工艺,实现了基于CMOS多晶电容阵列的开关电容带通滤波器,实验结果表明本文的CMOS多晶电容设计方法具有较高的精度,能直接用于亚微米及深亚微米集成电路设计。
- 朱樟明杨银堂张春朋付晓东
- 关键词：CMOS
- 混合信号集成电路的衬底耦合噪声分析被引量：1
- 2006年
- 本文系统分析了混合信号集成电路的衬底噪声耦合的研究进展。简要分析了衬底噪声的基本机理,及其对混合信号电路的影响,在此基础上分析比较了目前已提出的几种主要的衬底耦合噪声模型。通过分析不同类型衬底内的噪声耦合,介绍了一些电路设计中的去耦方法。最后讨论了衬底耦合噪声研究的发展方向。
- 杨银堂付晓东朱樟明
- 关键词：衬底耦合噪声混合信号集成电路保护环
- 一种CMOS混合信号电路衬底噪声耦合模型被引量：1
- 2007年
- 利用二维器件模拟器MEDICI提取出重掺杂外延型衬底的电阻宏简化模型,所需的6个参数均可通过器件模拟得到,能够精确表征混合信号集成电路中的衬底噪声特性。基于0.25μm CMOS工艺所建立的电阻宏模型,设计了简单的混合信号电路进行应用验证,证明了该模型能够有效表征混合信号集成电路的衬底噪声。
- 朱樟明杨银堂付晓东
- 关键词：衬底噪声混合信号集成电路金属氧化物半导体
