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公维炜

作品数:5 被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 2篇物性研究
  • 2篇消融
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米材料制备
  • 2篇激光消融
  • 2篇激光诱导
  • 2篇发光
  • 2篇飞秒
  • 2篇飞秒激光
  • 1篇烧蚀
  • 1篇水溶
  • 1篇水溶性
  • 1篇自组织
  • 1篇自组织生长
  • 1篇物理方法
  • 1篇量子
  • 1篇纳米晶
  • 1篇光性质

机构

  • 4篇中国科学院长...
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 5篇公维炜
  • 3篇郑著宏
  • 3篇郑金桔
  • 2篇胡学兵
  • 2篇高威
  • 1篇赵海峰
  • 1篇任新光

传媒

  • 3篇发光学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇1900
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
CdSe/ZnSe复合结构非对称量子阱的发光特性被引量:4
2007年
利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe/ZnSe材料,通过对其稳态变温光谱及变激发功率光谱,研究了其发光特性。稳态光谱表明:在82~141K时,观测到的两个发光峰来源于不同阱层厚度的量子阱激子发光,用对比实验验证了高能侧发光的来源。宽阱发光强度先增加后减小,将其归结为激子隧穿与激子热离化相互竞争的结果。通过Arrhenius拟合,对宽阱激子热激活能进行了计算。82K时变激发功率PL光谱表明:由于激子隧穿的存在,使得窄阱发光峰位不随激发功率变化而变化,宽阱发光峰位随激发功率增加发生了蓝移,并对激子隧穿进行了实验验证。
高威郑著宏公维炜郑金桔胡学兵
关键词:非对称量子阱光致发光
飞秒激光消融II-VI族半导体:纳米材料制备及光物性研究以及激光诱导固体表面结构特性研究
公维炜
关键词:激光消融半导体纳米晶激光诱导
制备水溶性CdS量子点的一种物理方法:飞秒激光烧蚀法被引量:1
2008年
用Ti/sapphire飞秒激光系统产生的100fs、800nm激光对置于水中的CdS体相材料进行烧蚀,得到了水溶性CdS纳米粒子。这种纯物理过程保证了无污染的制备环境,从而保证了所合成材料的纯洁性。通过透射电子显微镜、紫外/可见/近红外吸收光谱、室温光致发光谱的方法对CdS量子点的形貌及其光学性质进行了表征。结果表明:利用飞秒激光烧蚀法所制备的CdS量子点可直接分散在水中而且具有粒径小、分布均匀的特点;同时具有较好的胶体稳定性,可在空气中稳定存放6个月以上。飞秒激光烧蚀法所制备的CdS量子点所具有的这些性质使其在生物标记领域引起极大的兴趣,而且也为纳米材料的制备提供了新的思路。
公维炜郑著宏郑金桔赵海峰任新光
关键词:飞秒激光烧蚀CDS水溶性
飞秒激光消融Ⅱ-Ⅵ族半导体:纳米材料制备及光物性研究以及激光诱导固体表面结构特性研究
在本文中,我们将飞秒激光聚焦到置于水溶液中的Ⅱ-Ⅵ族半导体靶材料上。当激光能量密度大于消融阈值时,研究了从靶材料表面消融出的纳米结构的形貌及其光学特性,同时对激光诱导的靶材料表面结构特性进行了分析。   首先,利用飞秒...
公维炜
关键词:飞秒激光
不同厚度CdSe阱层的表面上自组织CdSe量子点的发光性质被引量:3
2007年
利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织CdSe量子点的发光。稳态变温光谱表明:低温下CdSe量子阱有很强的发光,高温猝灭,而其表面上的量子点发光可持续到室温,原因归结于量子点的三维量子尺寸限制效应;变激发功率光谱表明:量子点激子发光是典型的自由激子发光,且在功率增加时。宽阱层表面上的CdSe量子点有明显的带填充效应。通过比较不同CdSe阱层厚度的样品的发光,发现其表面上量子点的发光差异较大,这可以归结为阱层厚度不同导致应变弛豫的程度不同,直接决定了所形成量子点的大小与空间分布。
胡学兵郑著宏公维炜郑金桔高威
关键词:自组织生长CDSE量子点发光
共1页<1>
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