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刘鸿: 作品数：43 被引量：37H指数：5; 供职机构：成都大学信息科学与工程学院更多>>; 发文基金：四川省教育厅自然科学科研项目重庆市教育委员会科学技术研究项目四川省应用基础研究计划项目更多>>; 相关领域：理学电子电信文化科学机械工程更多>>

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砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应被引量：4: 2014年; 应用统计物理方法研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应.导出了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射规律,在砷化镓样品中引入复合辐射强度与辐射的波长分布函数的概念,近似确定了高增益砷化镓光导开关中电流丝的平均辐射复合系数为(883 nm)≈0.1125,导出了各辐射波长的辐射复合系数与平均辐射复合系数之间的关系,验证了峰值波长为890 nm的光输出能量与实验观察结果吻合,在理论上揭示了电流丝顶部的光生载流子密度的分布规律.结果表明:电流丝的体积面积比值和电流丝内平均载流子密度是影响电流丝辐射效应的两个主要因素,波长876 nm的辐射在紧邻电流丝顶部产生的最大载流子密度具有主导作用,最大光生载流子密度比电流丝内平均载流子密度小1–2个数量级.; 刘鸿郑理阮成礼杨洪军杨维郑勇林; 关键词：砷化镓光导开关

本征砷化镓光导开关中的流注模型被引量：16: 2008年; 应用耿效应电子学结合气体放电理论系统研究了高增益砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的工作机理,提出了以畴电子崩为基础的流注模型,阐述了畴电子崩概念及其物理意义和高增益GaAs光导开关中载流子的输运过程,阐明了光导开关中光致电离的效应和畴电子崩可能导致集体碰撞电离在局域引发雪崩现象,分析了流注形成的临界条件,导出了流注维持发展的临界条件解析表达式,揭示了与非线性模式(lock-on效应)密切联系的流注的形成和发展的一般规律.应用这个模型合理解释了高增益GaAs光导开关的实验结果、非线性现象中流注快速发展和电流的上升时间很快的物理原因,以及非线性模式的发展过程中的各种现象。; 刘鸿阮成礼; 关键词：光导开关物理机制碰撞电离输运过程

光导开关产生的非线性电脉冲的数值解释: 2006年; 针对光导开关产生的非线性电脉冲的实验结果:线性脉冲—延迟—雪崩(不稳定)—锁定(基本稳定),结合物理原理,应用二维器件模拟器MED IC I,对光导开关的数值模拟结果进行了分析讨论;同时,提出了一个自洽的物理机制.结果表明:理论模拟结果与实验结果相比较基本符合,提出的非线性光导开关的物理机制基本上可以解释光导开关在非线性模式下的各种特征,为进一步解决怎样能使输出的电脉冲更稳定提供了一定的理论依据.; 刘鸿郑理吴明和; 关键词：数值模拟物理机制

碱金属掺杂富勒烯Rb_4C_(60)的热力学性质: 2013年; 基于解析平均场(AMFP)方法将双指数(DE)势应用于Rb4C60固体,对其在高温高压下的热力学性质进行研究。通过拟合固态Rb4C60在室温(296K)压强至5.2GPa时的压缩实验数据得到一套的势参数。计算得到的压缩曲线与有用的实验结果非常一致。在宽广温度和压强范围内对Rb4C60的各种物理量,包括等温、热膨胀、等容热容量、亥姆霍兹自由能和内能进行了计算和分析。; 杨维杨淼刘鸿严刚锋郑勇林; 关键词：热力学性质

砷化镓光导开关中流注的辐射复合系数被引量：4: 2013年; 在砷化镓样品的自发辐射现象中引入了辐射复合系数的一般概念。对于高增益砷化镓光导开关中流注的自发辐射现象,依据求简单平均值的方法和归一化条件,近似确定了平均辐射复合系数为η珔(883)≈0.1125。导出了各辐射波长的辐射复合系数与平均辐射复合系数之间的关系,计算了辐射波长为890nm的辐射复合系数值为η(890)=0.1182,代入该值计算的最大光输出能量与实验观察结果吻合,证明该近似方法及其结果是合理的。; 刘鸿郑理杨洪军杨维郑勇林朱晓玲; 关键词：光电子学砷化镓光导开关

铁磁金属纳米点接触的磁电阻被引量：2: 2011年; 分析三种不同方法制备的铁磁金属纳米点接触样品的弹道磁电阻现象,使用原子力显微镜准确测量铁磁金属点接触样品的磁致伸缩和微磁力行为,探讨由于磁致伸缩和微磁力等机械因素引起的样品微观结构变化对所测量铁磁金属纳米点接触样品的弹道磁电阻效应所产生的影响,得出在变化磁场作用下,在铁磁金属纳米点接触样品中所观察到的大比例弹道磁电阻现象可能与样品发生的微观结构变化而导致的电阻变化有关.; 程浩刘鸿汪令江郑勇林; 关键词：磁致伸缩

基于粉末磁电阻的非接触位置传感器: 2011年; 基于半金属Fe3O4粉末磁电阻现象的非接触位置传感器在室温下可获得超过500%的稳定的磁电阻,其制造方法简单、成本低廉、易工业化,预示着这种类型的器件在非接触位置传感器方面具有广泛的应用价值.; 程浩杨维刘鸿汪令江郑勇林

砷化镓光导开关中电流丝875nm辐射的光致电离效应: 2016年; 研究高增益砷化镓光导开关中875 nm自发辐射产生的载流子密度分布特征。导出电流丝一端875 nm辐射的光致电离效应规律,计算电流丝一端875 nm自发辐射产生的载流子密度。计算结果表明：紧邻电流丝顶部处的光生载流子密度最大。比较发现875 nm自发辐射的最大光生载流子密度大于890 nm自发辐射的最大光生载流子密度至少1个数量级,但是小于电流丝内载流子密度1~2个数量级。; 郑理刘鸿; 关键词：光电子学砷化镓光导开关

电化学制备铁磁金属纳米点接触的磁电阻: 2012年; 运用机械抛光技术在单面敷铜板表面制备了由两根宏观金属铜薄膜电极组成的"T"形结构微米间隙,在"T"形结构微米间隙之间运用电阻负反馈控制电化学过程的方法制备了铜电极纳米间隙,在纳米间隙之间,同样运用电阻负反馈控制电化学过程的方法制备了不同大小接触面积的具有极小磁致伸缩效应特性的Ni80Fe20铁磁金属纳米点接触.测量和比较了不同接触面积的Ni80Fe20纳米点接触的磁电阻,结果表明Ni80Fe20纳米点接触的磁电阻与接触面积之间没有必然关系;在铜电极纳米间隙之间制备的Ni80Fe20纳米点接触可以减少在测量磁电阻时磁致伸缩效应对所测量的磁电阻效应的影响,而它的磁电阻大小与具有明显磁致伸缩效应的Ni纳米点接触的磁电阻大小相近,实验结果一定程度上说明了铁磁金属纳米点接触的弹道磁电阻效应与磁致伸缩效应的关系极小,但由于运用各种方法制备的铁磁金属纳米点接触在本质上都属于两个各向异性微观界面之间的机械点接触行为,所以并不能排除在测量磁电阻时随外加磁场变化而变化的两个点接触界面之间相互作用力引起的电阻变化对所测量的弹道磁电阻效应的影响.; 程浩杨维刘鸿李红连汪令江

基于铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻现象被引量：1: 2011年; 比较了运用电子束光刻技术和真空薄膜沉积技术制备的宽度和厚度分别为20~250nm和10nm的系列铁磁金属薄膜纳米点连接在不同温度下的磁电阻现象和I-V特性,得出了铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻和电阻与它的中间部位纳米局部区域的宽度之间没有必然关系,说明铁磁金属薄膜纳米点连接的中间部位纳米局部区域的电阻与它两端的两个微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电阻相比不起绝对决定作用,也就是说,我们所测得的铁磁金属薄膜纳米点连接的电阻主要来自于它的两个微米尺度的铁磁金属薄膜电极.比较了铁磁金属薄膜纳米点连接和在同样真空薄膜沉积条件下制备的同样厚度的0.2cm×0.8cm的铁磁金属薄膜的磁电阻之间的关系,发现与薄膜相比,纳米点连接样品的磁电阻比例普遍得到较大的提高,也就是说我们所测量的铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻主要来自于纳米点连接样品的中间部位纳米局部区域.可以得出在铁磁金属薄膜纳米点连接中,由于具有很高磁电阻比例的中间部位纳米局部区域的电阻与具有很低磁电阻比例的微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电阻相比很小,所以整个铁磁金属薄膜纳米点连接的电子输运行为由样品的微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电子输运行为决定,表现为它所呈现的是线性的I-V特性曲线和类似于铁磁金属薄膜的各向异性磁电阻现象.; 程浩杨维刘鸿汪令江; 关键词：各向异性磁电阻

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