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周发龙

作品数：33 被引量：3H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 15篇沟道
  • 14篇晶体管
  • 14篇场效应
  • 14篇场效应晶体管
  • 12篇闪存
  • 12篇存储器
  • 10篇半导体存储
  • 10篇半导体存储器
  • 9篇双栅
  • 7篇电路
  • 7篇刻蚀
  • 7篇集成电路
  • 6篇多晶
  • 6篇多晶硅
  • 6篇多晶硅栅
  • 6篇氧化物半导体
  • 6篇逻辑器件
  • 6篇金属氧化物半...
  • 6篇金属氧化物半...
  • 6篇硅栅

机构

  • 33篇北京大学

作者

  • 33篇周发龙
  • 32篇黄如
  • 18篇王阳元
  • 16篇张兴
  • 14篇蔡一茂
  • 10篇吴大可
  • 10篇单晓楠
  • 7篇李炎
  • 6篇田豫
  • 5篇王润声
  • 4篇张大成
  • 2篇诸葛菁
  • 2篇卜伟海
  • 2篇廖怀林
  • 2篇李琛
  • 1篇刘金华
  • 1篇王逸群
  • 1篇王鹏飞

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2010
  • 7篇2009
  • 4篇2008
  • 10篇2007
  • 7篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2003
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管基于双SOI衬底，上下两层硅膜的沟道的截面各有两个相同的长方形的鳍型Fin，上层的双鳍型沟道与其对应的下层的双鳍型沟道自对准、且宽度相同；每...
周发龙吴大可黄如王润声张兴王阳元
文献传递
适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究被引量：1
2008年
随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下途径,从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型非对称梯度低掺杂漏垂直沟道双栅MOS器件以及新型围栅纳米线MOS器件的研制及特性分析,为下几代集成电路技术的器件研究提供良好的思路.
黄如田豫周发龙王润声王逸群张兴
关键词：纳米CMOS器件
适用于硅台型垂直沟道场效应晶体管的隔离方法
本发明提供了一种硅台型垂直沟道场效应晶体管的隔离工艺，属于CMOS超大规模集成电路制造技术领域。其步骤包括：第一次刻蚀出有源区硅台之后，用氮化硅保护有源区硅台的表面和侧壁，然后再局部氧化场区完成隔离工艺，通过在后续的制备...
周发龙黄如张兴田豫
文献传递
一种闪存存储单元结构及其制备方法
本发明提供了一种闪存存储单元及其制备方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用两层氮化硅作为浮栅，在横向和纵向上分别存储两位数据，实现了每个闪存存储单元能存储四位数据的功能，大大地增加了...
蔡一茂黄如单晓楠周发龙李炎王阳元
文献传递
一种双鳍型沟道围栅场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种双鳍型沟道围栅场效应晶体，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道被栅氧和多晶硅栅围绕、形成围栅结构，源和漏都与体硅衬底相连，沟道为两个完全相同的截面...
周发龙吴大可黄如王鹏飞诸葛菁张兴
文献传递
一种分裂槽栅快闪存储器及其制备方法
本发明提供了一种分裂槽栅快闪存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路中的非挥发性半导体存储器技术领域。该快闪存储器基于平面结构，其沟道的两端与n+源和漏之间，各有一个完全相同的沟槽，沟槽的正下方包括一部分的沟道和一部分的...
周发龙吴大可黄如张兴
文献传递
一种快闪存储器结构及其制备方法
本发明提供了一种快闪存储器单元，是一种基于垂直沟道场效应晶体管结构的器件，其特征在于，硅台上方的n+掺杂区是源端，硅台两边的n+掺杂区都是漏端，硅台的两侧各有两个多晶硅栅，外侧的多晶硅栅为控制栅，里侧的多晶硅栅为浮栅，浮...
周发龙黄如蔡一茂张大成张兴王阳元
文献传递
一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底；沟道为两个完全相同的截面为长方形的鳍型Fin，形成双鳍型沟道；每个鳍...
周发龙吴大可黄如王润声张兴王阳元
文献传递
适于纳米尺度的新型MOSFET器件和先进闪存器件研究
本论文针对MOSFET逻辑集成电路技术和闪存技术发展所面临的问题和挑战，从器件单元结构出发，以提高器件性能和集成密度、降低电压和功耗、提高等比例缩小能力为目的，在器件结构及其制备方法方面提出创新性思路，针对不同应用要求，...
周发龙
关键词：MOSFET器件NANOWIRE闪存技术
一种NROM闪存控制栅及闪存单元的制备方法
本发明提供了一种NROM闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。该存储单元是由控制栅、源漏区、隧穿氧化层、存储数据的氮化硅层以及阻止氧化层组成，在控制栅的不同区域注入不同类型杂质，靠近源端和漏端的控制栅注入N型杂...
单晓楠黄如蔡一茂李炎周发龙
文献传递
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