奚中和
- 作品数：29 被引量：83H指数：5
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 具有三维中空结构的硅及其制备方法
- 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋...
- 奚中和吴越张耿民崔宏宇郭等柱
- 文献传递
- 新型纳米功能材料被引量：7
- 2004年
- 讨论了纳米材料复合薄膜的结构和特性 ,涉及到与力学、防护、电池等特性有关的结构 ,重点分析了电学、光学、光电特性 ,如新型纳米线复合光电池 ,氧化锌 (Zn O)纳米棒阵列的结构和荧光发射 ,以及金属纳米线阵列的制备和场发射特性。金属纳米线阵列场发射的高分辨 ,结构完美 ,工艺简单和极低的成本 。
- 薛增泉奚中和邢英杰张耿民宋教花申自勇侯士敏高崧赵兴钰张琦锋刘惟敏吴锦雷
- 关键词：纳米功能材料电学特性光学特性光电特性显示器
- 硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究被引量：11
- 2003年
- 该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法.与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源,是一种全新的固-液-固(SLS)生长机制.实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2 5×104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非舳态,直径为10-40nm,长度可达数十微米.升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用.研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响.
- 邢英杰奚中和俞大鹏杭青岭严涵斐冯孙齐薛增泉
- 关键词：硅纳米线一维纳米材料
- 具有三维中空结构的硅及其制备方法
- 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋...
- 奚中和吴越张耿民崔宏宇郭等柱
- 文献传递
- nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析被引量：5
- 1998年
- 采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿．
- 彭英才刘明余明斌余明斌奚中和李月霞
- 关键词：半导体量子点
- 氧化钨微米管及其制备方法
- 一种氧化钨微米管及其制备方法。所述的微米管截面呈六重对称，直径为1至6微米，长度为5至10微米。所述的制备方法包括步骤：(1)将钨基底和水分别置于可加热的反应腔室中；(2)通入保护气体，除去反应腔室内空气，并使腔内压强保...
- 奚中和张耿民吴越郭等柱
- 文献传递
- 锥状碳纤维和碳纳米管复合结构在碳基底上的可控生长
- 采用快速升温化学气相沉积法在石墨基底上垂直生成碳纳米管和碳纤维的复合结构。SEM、TEM 观察到多壁碳纳米管贯穿碳纤维中心,并具有很高的结晶性,有着优秀的场发射特性和望远镜筒式 "延展性"。改变 EVD 实验参数,发现复...
- 张暐奚中和张耿民
- 文献传递
- 一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法
- 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维凹陷结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行...
- 奚中和吴越张耿民崔宏宇郭等柱
- 文献传递
- 碳纤维复合单根碳纳米管及其制备方法
- 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳...
- 薛增泉奚中和张耿民张暐王胜吴越王晶云梁学磊吴锦雷彭练矛赵兴钰
- 文献传递
- 纳米硅薄膜中的量子点特征被引量：16
- 1996年
- 从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其Ⅰ-Ⅴ及(?)-Ⅴ曲线上呈现出Coulomb台阶。对实验结果做了初步分析讨论。
- 何宇亮余明斌吕燕伍戎霭伦刘剑徐士杰罗克俭奚中和
- 关键词：纳米硅量子点半导体
