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姜丽仙

作品数：25 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇中文专利

主题

  • 14篇多层膜
  • 14篇磁性多层膜
  • 12篇随机存取
  • 12篇随机存取存储...
  • 12篇感器
  • 12篇传感
  • 12篇传感器
  • 12篇存储器
  • 12篇存取
  • 10篇形状各向异性
  • 9篇微加工
  • 8篇隧道结
  • 8篇磁敏
  • 8篇磁敏传感器
  • 4篇电流强度
  • 4篇读操作
  • 4篇读写
  • 4篇读写操作
  • 4篇元件
  • 4篇自旋

机构

  • 25篇中国科学院

作者

  • 25篇韩秀峰
  • 25篇姜丽仙
  • 15篇韩宇男
  • 14篇魏红祥
  • 12篇马明
  • 12篇覃启航
  • 10篇詹文山
  • 6篇曾中明
  • 5篇张谢群
  • 4篇彭子龙
  • 4篇赵静
  • 3篇瑞哈娜
  • 2篇温振超
  • 2篇杜关祥
  • 2篇李飞飞
  • 2篇王磊

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
  • 11篇2007
  • 2篇2005
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有量子效应的磁隧道结及包括其的自旋二极管和晶体管
本发明涉及具有量子效应的磁隧道结及包括其的自旋二极管和晶体管。一种磁性隧道结包括：第一参考层，由磁性导电材料形成并且具有固定的磁化方向；第一势垒层，设置在所述第一参考层上并且由绝缘材料形成；自由层，设置在所述第一势垒层上...
温振超陶丙山袁忠辉姜丽仙韩秀峰
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一种闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途
本发明涉及一种闭合形状的磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的矩形环或者椭圆环，其中矩形内环的宽度为10～100000nm，矩形外环的宽度为20～200000nm，矩形内环的宽度与长度的比值为1∶1～5...
姜丽仙马明韩宇男覃启航魏红祥韩秀峰
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一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途
本发明涉及一种环状磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的圆环状，该圆环的内径为10～100000nm，外径为20～200000nm。按照形成的材料分类，本发明的磁性多层膜包括无钉扎型环状磁性多层膜和钉扎...
马明韩秀峰姜丽仙韩宇男覃启航魏红祥
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一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途
本发明涉及一种环状磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的圆环状，该圆环的内径为10～100000nm，外径为20～200000nm。按照形成的材料分类，本发明的磁性多层膜包括无钉扎型环状磁性多层膜和钉扎...
马明韩秀峰姜丽仙韩宇男覃启航魏红祥
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基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法
本发明涉及一种基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器，其使用环状磁性多层膜或环状含金属芯的磁性多层膜作为存储单元。该MRAM是通过流经存储单元中的电流的大小和方向来实现读操作和写操作；或是通过对存储单元中的金属芯施加的电...
韩秀峰马明姜丽仙韩宇男覃启航魏红祥
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具有量子效应的磁隧道结及包括其的自旋二极管和晶体管
本发明涉及具有量子效应的磁隧道结及包括其的自旋二极管和晶体管。一种磁性隧道结包括：第一参考层，由磁性导电材料形成并且具有固定的磁化方向；第一势垒层，设置在所述第一参考层上并且由绝缘材料形成；自由层，设置在所述第一势垒层上...
温振超陶丙山袁忠辉姜丽仙韩秀峰
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一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法
本发明涉及一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积了硬磁层、第一软磁层、非磁金属导电层或者绝缘层、第二软磁层及覆盖层。所述的硬磁层为剩磁比较高，矫顽力较大的铁磁材料组成，所...
杜关祥韩秀峰姜丽仙赵静詹文山
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一种含金属芯的闭合形状的磁性多层膜及其制法和用途
本发明涉及一种含金属芯的闭合形状的磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的矩形环或者椭圆环，其中矩形内环的宽度为10～100000nm，外环宽度为20～200000nm，矩形内环的宽度与长度的比值为1∶1...
姜丽仙马明韩宇男覃启航魏红祥韩秀峰
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一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法
本发明涉及一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积了硬磁层、第一软磁层、非磁金属导电层或者绝缘层、第二软磁层及覆盖层。所述的硬磁层为剩磁比较高，矫顽力较大的铁磁材料组成，所...
杜关祥韩秀峰姜丽仙赵静詹文山
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基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法
本发明涉及一种基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器，其使用环状磁性多层膜或环状含金属芯的磁性多层膜作为存储单元。该MRAM是通过流经存储单元中的电流的大小和方向来实现读操作和写操作；或是通过对存储单元中的金属芯施加的电...
韩秀峰马明姜丽仙韩宇男覃启航魏红祥
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