孙大林
- 作品数：110 被引量：227H指数：9
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺电气工程更多>>
- 一种改善过渡金属硼氢化物储氢性能的方法
- 本发明属于氢气存储技术领域，具体为一种改善过渡金属硼氢化物储氢性能的方法。该方法为利用机械球磨法在过渡金属硼氢化物储氢材料中掺杂少量的氨基化合物来抑制杂质气体形成和降低分解温度。具体是在隔绝空气条件下，将氨基化合物和过渡...
- 孙大林方方李永涛
- 文献传递
- 过渡金属薄膜氢致变色现象的研究进展
- 氩致变色现象是指材料根据吸收氢气的含量不同而表现出不同的光学特性。本文简述了国内外关于氩致变色的各种材料的研究进展。重点介绍了稀土金属,稀土嵌合金和镁镍合金等薄膜的制备、保护及其光学性能。
- 方方曹冠英叶春暖张晶陈国荣孙大林
- 关键词：稀土金属稀土镁合金光学性能
- 单根Ag(TCNQ)微/纳米结构的光致变色特性研究被引量：1
- 2005年
- 利用溶液化学反应法制备了准一维微/纳米结构的金属有机配合物Ag(TCNQ);X射线衍射(XRD)表明所制备的Ag(TCNQ)为晶态结构;扫描电子显微镜(SEM)的观察表明Ag(TCNQ)为准一维的微/纳米管或线。首先在自行研制的材料光学性能测试系统上对单根Ag(TCNQ)的光致变色特性进行测试,激光照射后颜色由深蓝变黄;然后利用显微Raman光谱仪对其光致变色机理进行了研究,激光照射后的光谱图中出现了明显的TCNQ分子的特征中性峰。如照射时间较长,超过30s,则TCNQ分子特征峰又消失。因此Raman测试结果证明单根Ag(TCNQ)微/纳米结构具有明显可逆的光致变色特性。
- 曹冠英方方莫晓亮叶春暖邢晓艳徐华华孙大林陈国荣
- 关键词：物理电子学光致变色RAMAN光谱
- 一种过渡金属锑硫化物的制备方法
- 本发明属于材料合成技术领域，具体为一种过渡金属锑硫化物的制备方法。本发明以无机过渡金属盐、无机锑盐和碱源为原料，通过共沉淀反应制备MSbO<Sub>x</Sub>前驱体；在硫源的存在下，通过气固体反应，在热力学驱动下使S...
- 宋云孙大林王裴
- 文献传递
- 一种硼氢化钠的制备方法
- 本发明属于化合物制备技术领域，具体为硼氢化钠的制备方法。本发明有别于传统的气-固异相反应，通过金属氢化物和含硼化合物进行固相反应，制备得到硼氢化钠。本发明中反应完全在固相物质内部进行，因而可以在较低的氢气压力甚至惰性气体...
- 孙大林张汉平吴宇平
- 文献传递
- A侧元素对AB_3型贮氢合金晶体结构的影响被引量：2
- 2008年
- 以AB3型贮氢合金中的LaNi3合金为参考相,选取CeNi3、LaY2Ni9和CeY2Ni93种合金为研究对象,运用X射线衍射技术结合Rietveld结构精修的方法,研究了A侧元素对AB3型贮氢合金晶体结构的影响。研究表明,LaNi3、LaY2Ni9和CeY2Ni9的晶体结构均与PuNi3型结构相吻合,具有R-3m的空间点群,而CeNi3的空间点群则为P63/mmc。与LaNi3相比,LaY2Ni9合金的点阵常数a和c分别减小了0.7%和2.0%,晶胞体积减小了3.3%;与CeY2Ni9相比,LaY2Ni9合金的点阵常数a减小了0.9%,c增加了0.7%,晶胞体积减小了1.2%。A侧原子的点阵位置具有选择性,即原子半径大的原子倾向于占据点阵中3a位置,半径小的原子倾向于占据6c位置。
- 朱健张晶方方郑时有陈国荣孙大林
- 关键词：稀土元素X射线衍射RIETVELD结构精修
- K(TCNQ)纳米花簇的场发射性质研究
- 本文介绍了在真空条件下,通过饱和蒸汽反应来制备K(TCNQ)纳米花簇的方法,并对其进行了XRD、Ra-mn光谱分析,研究了其场发射性质。
- 邢晓艳叶春暖方方曹冠英孙大林陈国荣
- 文献传递
- 过渡金属薄膜氢致变色现象的研究进展
- 氢致变色现象是指材料根据吸收氢气的含量不同而表现出不同的光学特性.本文简述了国内外关于氢致变色的各种材料的研究进展.重点介绍了稀土金属,稀土镁合金和镁镍合金等薄膜的制备、保护及其光学性能。
- 方方曹冠英叶春暖张晶陈国荣孙大林
- 关键词：稀土金属稀土镁合金光学性能
- 文献传递
- 一种用于可擦重写短波长光存储的薄膜材料及其制备方法
- 本发明为一种用于可擦重写短波长光存储的薄膜材料及其制备方法。本发明采用合适的溶剂将K(TCNQ)溶于适配的高分子中后涂于玻璃基片或PC基片上制成含K(TCNQ)的高分子薄膜，并对该薄膜的可逆光致变色光谱和光存储特性进行了...
- 陈国荣徐华华孙大林
- 文献传递
- 氘致纯Pd开裂机理
- 1992年
- 本文在光学显微镜和透射电镜下观察到退火态纯Pd经290h电化学充氘后,位错密度从充氘前的10~8/cm^2增加至10^(12)/cm^2以上,并产生许多类似气泡的空洞组织或裂纹。分析认为形成空洞或裂纹的原因是由于氘原子沿位错周围富集,D-D原子间重新复合成D_2分子所致,X射线衍射表明,充氘290h后,Pd晶体的点阵常数从0.3890增大到0.4034nm。
- 孙大林雷永泉陈仰霖吴京王启东
- 关键词：钕
