孟胜
- 作品数：12 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
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- 含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长
- 2007年
- 研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.
- 于广辉雷本亮孟胜王新中林朝通齐鸣
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延
- 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
- 本发明涉及一种改变氢化物气相外延(HVPE)生长的氮化镓(GaN)外延层极性的方法，其特征在于采用了中断HCl生长的方法。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在高温下通NH<Sub>3</Sub>氮化蓝宝石(Sapphir...
- 雷本亮于广辉齐鸣叶好华孟胜李爱珍
- 文献传递
- 纳米孔氮化镓材料的制备和研究被引量：3
- 2006年
- 介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺。用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料。孔的大小和孔间距可以通过改变阳极氧化条件来控制,改变刻蚀时间可以控制孔深。刻蚀所用气体为氯气和惰性气体的混合物。扫描电镜照片显示,掩模图形能够很好地转移到GaN材料上。刻蚀后的材料经光荧光谱(PL Spectra)谱和Raman散射谱测试,显示出良好的光学特性,并在一定程度上释放了应力。
- 王笑龙于广辉雷本亮隋妍萍孟胜齐鸣李爱珍
- 关键词：氮化镓纳米孔阳极氧化铝ICP刻蚀RAMAN
- 采用阳极氧化铝做掩膜生长氮化镓膜
- 2006年
- 采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜。采用扫描电镜观察了氮化镓膜的界面性质并用阴极发光谱表征了截面上氮化镓层在不同位置的的发光性质,发现随着厚度的增加,其发光特性得到改善,而且由于掩膜结构的引入,外延膜中的压应力得到一定程度的释放。
- 雷本亮于广辉孟胜齐鸣李爱珍
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延阳极氧化铝
- 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
- 本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为GaN横向外延过生长的掩膜。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上沉积一层金属Al薄层，然后经电化...
- 雷本亮于广辉齐鸣叶好华孟胜李爱珍
- 文献传递
- 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
- 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)材料中采用多孔GaN作为衬底的生长方法，其特征在于首先制作多孔GaN衬底的掩膜，然后将掩膜板放入感应耦合等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到多孔G...
- 雷本亮于广辉王笑龙齐鸣孟胜李爱珍
- 文献传递
- 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
- 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)材料中采用多孔GaN作为衬底的生长方法，其特征在于首先制作多孔GaN衬底的掩膜，然后将掩膜板放入感应耦合等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到多孔G...
- 雷本亮于广辉王笑龙齐鸣孟胜李爱珍
- 文献传递
- 射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光被引量：6
- 2006年
- 采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料;非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的氮空位(VN)缺陷有关;不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响;结合Hall效应测量结果,认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光,与GaN的自补偿效应以及重掺杂导致的晶体质量下降有关。
- 隋妍萍于广辉孟胜雷本亮王笑龙王新中齐鸣
- 关键词：分子束外延PL谱
- 采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜被引量：1
- 2006年
- 采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108cm-2。
- 雷本亮于广辉孟胜齐鸣李爱珍
- 关键词：GAN
- 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
- 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中的金属插入层及制备方法，其特征在于采用了金属钨(W)插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后经高温退火后继续HV...
- 雷本亮于广辉齐鸣叶好华孟胜李爱珍
- 文献传递
