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文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 10篇纳米
  • 5篇氧化铝模板
  • 4篇纳米线
  • 3篇电极
  • 3篇阳极氧化法
  • 3篇酸盐
  • 3篇钛酸
  • 3篇钛酸盐
  • 2篇形貌
  • 2篇形貌可控
  • 2篇修饰
  • 2篇悬浮液
  • 2篇障碍层
  • 2篇抛光粉
  • 2篇热电效应
  • 2篇铋膜
  • 2篇脱脂棉
  • 2篇物化特性
  • 2篇线阵列
  • 2篇硫酸

机构

  • 11篇中国科学院合...

作者

  • 11篇张俊喜
  • 10篇张立德
  • 3篇费广涛
  • 3篇卢芳
  • 3篇张玉刚
  • 3篇许伟
  • 2篇胡小晔
  • 2篇刘毛
  • 2篇孙利
  • 2篇方明
  • 2篇章天赐
  • 2篇袁志刚
  • 2篇宋豪杰
  • 1篇刘思思
  • 1篇黄竹林
  • 1篇田越
  • 1篇王俊峰
  • 1篇陈永洲

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2006
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用工业原材料制备形貌可控的纳米钛酸盐的方法
本发明提供一种利用工业原材料制备形貌可控的纳米钛酸盐的方法,利用价格低廉的工业原料偏钛酸和硫酸氧钛为原材料,与摩尔浓度为2~11M的碱溶液放入高压釜中,并强力搅拌,形成均匀的悬浮液;把高压釜放入40~220℃的环境中,保...
张玉刚张立德张俊喜卢芳
文献传递
镶嵌在氧化铝模板中的金纳米管的制备方法
本发明公开了一种镶嵌在氧化铝模板中的金纳米管的制备方法。它先使用二次阳极氧化法得到孔直径为50~70nm的通孔氧化铝模板,再于通孔氧化铝模板的一面镀金膜,之后,先将一面镀有金膜的氧化铝模板置于金电解液中,于电流为0.8~...
王俊峰张俊喜费广涛张立德
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铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法
本发明公开了一种铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法。薄膜的厚度为25~50nm,其上置有按六方有序排列的孔阵列,组成孔阵列的孔的孔直径为30~100nm、孔中心距为80~150nm、孔壁厚≥10nm。方法为先对铝片依次使用二次...
宋豪杰张俊喜费广涛张立德
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银纳米线阵列电极及其制备方法和用途
本发明公开了一种银纳米线阵列电极及其制备方法和用途。电极为构成阵列的银纳米线的直径为50~70nm、线长为250~350nm,阵列底部依次为130~170nm的银膜和0.5~1mm的铜膜;方法为先对铝片使用二次阳极氧化法...
孙利许伟张立德黄竹林袁志刚张俊喜刘思思
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铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法
本发明公开了一种铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法。薄膜的厚度为25~50nm,其上置有按六方有序排列的孔阵列,组成孔阵列的孔的孔直径为30~100nm、孔中心距为80~150nm、孔壁厚≥10nm。方法为先对铝片依次使用二次...
宋豪杰张俊喜费广涛张立德
纳米线栅偏振器的构筑与草酸阳极氧化铝模板的孔壁结构
本文采用金属纳米线阵列构筑纳米线栅偏振器,进而实现小型化与高性能的设计目标。由于阳极氧化铝模板的孔壁结构对制备高质量的金属纳米线阵列及其偏振性能有明显影响,因此本文对模板的孔壁结构进行了深入探讨。主要工作和创新点如下: ...
张俊喜
修饰有壳聚糖的铁纳米线及其制备方法和用途
本发明公开了一种修饰有壳聚糖的铁纳米线及其制备方法和用途。铁纳米线为其外修饰有壳聚糖且位于多孔氧化铝模板的孔中,其与孔壁之间有1~5nm的空隙,铁纳米线是沿(110)方向生长的,其线直径为50~55nm、线长为380~4...
孙利袁志刚张立德田越陈永洲张俊喜
文献传递
一种去除贵金属纳米线阵列背面金膜电极的机械抛光方法
本发明提供了一种去除贵金属纳米线阵列背面金膜电极的机械抛光方法,包括加工和固定抛光过程所用的支撑体,将粗抛光与精细抛光两道工艺有效结合,达到去除电极的目的,其中,粗抛光所用的材料是粒度为9-11μm的氧化铝抛光粉,而精细...
张俊喜张立德许伟章天赐胡小晔方明刘毛
能高效清除蓝藻的改性纳米钛酸盐的制备方法
本发明公开了一种能高效清除蓝藻的改性纳米钛酸盐的制备方法,取纳米钛酸盐放于水中,搅拌溶解,制成悬浮溶液;采用酸溶液调节悬浮溶液的pH值为弱酸性;将质量浓度为2~10%为直链烷烃基侧链有苯环的季铵盐水溶液,或质量浓度为2~...
张立德张玉刚张俊喜卢芳
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利用工业原材料制备形貌可控的纳米钛酸盐的方法
本发明提供一种利用工业原材料制备形貌可控的纳米钛酸盐的方法,利用价格低廉的工业原料偏钛酸和硫酸氧钛为原材料,与摩尔浓度为2~11M的碱溶液放入高压釜中,并强力搅拌,形成均匀的悬浮液;把高压釜放入40~220℃的环境中,保...
张玉刚张立德张俊喜卢芳
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共2页<12>
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