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张志荣

作品数:3 被引量:4H指数:2
供职机构:四川大学华西药学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术医药卫生更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇医药卫生

主题

  • 1篇电沉积
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学制备
  • 1篇药物
  • 1篇塞贝克系数
  • 1篇生物大分子
  • 1篇生物大分子药...
  • 1篇子药
  • 1篇维度
  • 1篇温差电
  • 1篇量子
  • 1篇量子效应
  • 1篇化学制备
  • 1篇高效化
  • 1篇BI
  • 1篇大分子药物
  • 1篇X
  • 1篇SB

机构

  • 3篇天津大学
  • 1篇四川大学

作者

  • 3篇张志荣
  • 2篇王为
  • 1篇董伟兵
  • 1篇王慧
  • 1篇黄庆华
  • 1篇任国宾
  • 1篇王静康
  • 1篇贾法龙

传媒

  • 1篇化学通报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇华西药学杂志

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2005
  • 1篇2004
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Bi_(2-x)Sb_xTe_3温差电材料薄膜的电化学制备、表征及性能研究被引量:2
2005年
采用电化学控电位沉积的方法制备了Bi2-xSbxTe3温差电材料薄膜.通过ESEM、XPS、XRD、EDS等方法对电沉积薄膜的形貌、结构和组成进行了研究,并测试了在不同电位下制备的Bi2-xSbxTe3薄膜的温差电性能.研究结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+和SbO+的溶液中,采用控电位沉积模式,可实现铋、锑、碲三元共沉积,生成锑掺杂的Bi2Te3化合物Bi2-xSbxTe3.通过调节沉积电位,可控制电沉积Bi2-xSbxTe3薄膜的掺杂浓度,从而影响材料的温差电性能.控制沉积电位为-0.5V条件下制备的温差电材料薄膜的塞贝克系数最大,为213μV·K-1,其组成为Bi0.5Sb1.5Te3.随着沉积电位的负移,电沉积出的Bi2-xSbxTe3薄膜的结晶状态将逐渐由等轴晶转变为树枝晶.研究证明,电沉积方法可以制备出性能优异的薄膜温差电材料.
王为黄庆华贾法龙张志荣
关键词:电沉积塞贝克系数
温差电量子效应及低维温差电材料
2004年
介绍了温差电的基本原理和影响温差电性能的因素以及低维温差电材料的量子效应和理论模型。有计算表明 ,低维温差电材料随着维度和尺度的降低 ,温差电性能将得到显著提高 ,展现了低维温差电材料的广泛应用前景。
张志荣王为王慧
关键词:量子效应维度
生物大分子药物传送系统及功能高效化的研究进展被引量:2
2008年
综述了国内外现阶段生物大分子药物传送系统及功能高效化的进展。
任国宾董伟兵张志荣王静康杨志民
关键词:生物大分子药物
共1页<1>
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