张明兰
- 作品数：18 被引量：15H指数：3
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学电气工程更多>>
- 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
- 本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮...
- 王晓亮张明兰肖红领王翠梅唐健冯春姜丽娟
- AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征
- 2008年
- 设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的Al Nb生长时间介于15~20s。对Al Nb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其2DEG迁移率在80K时达8849cm2/V.s,室温下为1967cm2/V.s,面密度始终保持在1.02×1013cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95%,说明双Al N插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。
- 肖红领王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵
- 关键词：HEMT氮化铝电学性能二维电子气
- AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征
- 设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEM结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlN_b插入层的生长...
- 肖红领王晓亮张明兰马志勇王翠梅杨翠柏唐健冉军学李晋闽王占国侯洵
- 关键词：HEMT氮化铝电学性能二维电子气
- 文献传递
- 一种肖特基型中子探测器及其制作方法
- 本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和<Sup>6</Sup>LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓...
- 张明兰
- 文献传递
- 深化实践教学改革,培养卓越工程师
- 2014年
- 电子实习是高校电子信息类专业的重要实践教学课程,是提高学生的实践动手能力、培养创新型人才的关键。为了适应"卓越工程师培养计划"的要求,在电子实习课程中引入CDIO教学模式,充分调动学生的积极性和主动性,培养创新意识;在实习过程中加强校企合作,让学生尽早熟悉企业运作模式,培养团队协作精神。
- 张明兰杨帆
- 关键词：卓越工程师培养计划电子实习
- 氮化镓材料中质子输运过程的模拟
- 2012年
- 对入射能量为50keV～3MeV的质子在氮化镓(GaN)材料中的输运过程进行了Monte-Carlo模拟,得到垂直入射质子在GaN材料中的输运情况、质子与晶格原子作用产生的空位分布特征。模拟结果表明:在厚度固定(3.5μm)的GaN材料中,当入射能量小于300keV时,质子束横向扩展明显,入射离子全部被阻止在材料中;随着入射能量增大,质子束横向扩展减弱,离子穿透几率增大,当能量大于500keV时,入射离子几乎全部从材料中穿出。
- 张明兰张晓倩杨瑞霞狄炤厅
- 关键词：GAN质子输运
- GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究被引量：3
- 2013年
- 本文采用正电子湮没谱研究质子辐照诱生缺陷,实验发现:能量为5MeV的质子辐照在GaN厚膜中主要产生的是Ga单空位,没有双空位或者空位团形成;在10K测试的低温光致发光谱中,带边峰出现了"蓝移",辐照后黄光带的发光强度减弱,说明黄光带的起源与Ga空位(VGa)之间不存在必然的联系,各激子发光峰位置没有改变,仅强度随质子注量发生变化;样品(0002)面双晶XRD扫描曲线的半峰宽在辐照后明显增大,说明质子辐照对晶格的周期性产生了影响,薄膜晶体质量下降.
- 张明兰杨瑞霞李卓昕曹兴忠王宝义王晓晖
- 关键词：GAN质子辐照
- AlN间隔层厚度对AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的仿真研究被引量：1
- 2017年
- 二维电子气(2DEG)特性决定了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)性能。为了提高器件的2DEG密度、迁移率和漏电流,本文采用AlGaN和GaN之间引入一层薄的Al N间隔层的方法。使用Silvaco仿真工具模拟了不同AlN间隔层厚度对载流子浓度、迁移率和量子阱深度的影响。器件仿真结果表明:在HEMT器件中插入薄AlN间隔层可以增加载流子浓度和迁移率,并加大了导带不连续性。另外,器件的电子迁移率在AlN厚度为0.2nm时取得最大值,而载流子浓度和漏电流随AlN层厚度增加而持续上升。
- 刘劭璠张明兰
- 关键词：HEMT间隔层载流子浓度
- 一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法
- 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件的制备方法，是一种基于准分子激光晶化法的制备方法，步骤是：用准分子激光晶化法在透明导电基底上制备P型薄膜晶硅层，在P型薄膜晶硅层...
- 田汉民戎小莹毕文刚金慧娇张天杨瑞霞王伟花中秋杨帆张明兰
- 文献传递
- 全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法
- 本发明全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、氧化物半导体薄膜层、钙钛矿光吸收层、微晶硅空穴传输层和背电极构成；在涂覆了氧化物半导体薄膜的透明导电基底上制备...
- 田汉民吴亚美杨瑞霞金慧娇王伟杨帆张明兰赵红东赵红东
- 文献传递
