张爱琼
- 作品数：10 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院科研项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学更多>>
- 硼酸铋晶体的坩埚下降法生长工艺
- 本发明涉及一种硼酸铋，BiB<Sub>3</Sub>O<Sub>6</Sub>晶体的坩埚下降法生长工艺，属于单晶生长领域。特征是：以Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和B<Sub>2</Sub>O<S...
- 徐家跃张爱琼丁嘉煊侍敏莉林雅芳钱国兴
- 文献传递
- Bi_(12)SiO_(20)晶体下降法生长及Pt包裹缺陷研究(英文)被引量：3
- 2004年
- 采用改进的坩埚下降法成功生长了硅酸铋Bi12SiO20(BSO)单晶,探讨了工艺参数对晶体生长的影响.用电子探针方法研究了硅酸铋晶体中的铂金包裹体及其相关缺陷.铂金包裹物的尺寸一般在30μm～5mm之间.包裹物经常导致晶体开裂,使成品率大为降低.铂坩埚中的杂质是导致坩埚受侵蚀的主要原因,通过延长铂坩埚熔炼时间和适当降低晶体生长炉温,可明显减少铂包裹体及其相关缺陷.通过优化生长工艺,获得了尺寸为50mm×35mm×35mm的优质BSO单晶.
- 张爱琼徐家跃范世
- 关键词：坩埚下降法硅酸铋晶体生长
- 一类压电单晶体及其生长方法
- 本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr<Sub>3-x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
- 安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
- 文献传递
- 弛豫铁电单晶PZNT93/7的生长与电性能研究被引量：4
- 2003年
- 以50mol％PbO为助溶剂,采用溶剂-坩埚下降法生长了Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.93Ti0.07]O3(PZNT93/7)弛豫铁电单晶.为了控制成核,我们在坩埚底部设计了一个通气装置以诱导自发成核.晶体在Pt坩埚中生长,坩埚尺寸为40mm×40mm×300mm,下降速率为0.5mm/h,通气流量为1～1.6L/min.所得晶体最大尺寸达φ30mm×25mm.该晶体具有明显的结晶学形貌.X射线定向表明,其主要显露面为(001).由于气流不稳定以及质量输运较慢,晶体内部容易形成一些红色PbO包裹.介电和铁电性能研究表明,该晶体的性能能够满足新型医疗诊断设备对阵列换能器的要求.
- 徐家跃童健侍敏莉陆宝亮张爱琼范世骥
- 关键词：晶体生长
- 一类压电单晶体及其生长方法
- 本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr<Sub>3－x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
- 安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
- 文献传递
- 新型磁光晶体YFeO_3的生长与性能被引量：5
- 2008年
- 近年来钙钛矿结构的YFeO3晶体引起了人们的关注,它在近红外波段有很高的磁光优值和低的饱和磁化强度,并且具有高的居里温度。鉴于其在器件应用上具有一系列的优势,它成为倍受青睐的一种新型磁光材料。本文根据国内外YFeO3晶体的研究概况,重点介绍该晶体的生长和磁光性能。
- 武安华申慧徐家跃储耀卿张爱琼葛增伟
- 关键词：磁光晶体晶体生长磁光性能
- 声表面波用压电晶体的新进展(英文)被引量：5
- 2004年
- 报道了我们在Li2 B4O7、Sr3 Ga2 Ge4O14 、LiNbO3 、LiTaO3 等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展。采用改进型坩埚下降法成功生长了直径 3～ 4英寸的Li2 B4O7晶体 ,并实现了批量生产。作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一 ,Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体具有最大的压电系数。报道了直径 2英寸Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体的生长结果 ,测试了该晶体的压电性能。在CO2 (90 % )、H2 (10 % )混合气氛中 ,分别在 70 0℃和 4 5 0℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理 ,成功制备了 3英寸LN和LT低静电黑片 ,不仅减少了器件制作工序 ,而且使成品率提高了 5～ 8百分点。此外 ,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3 晶体 ,观察到一些新的现象。
- 徐家跃武安华陆宝亮张爱琼范世■夏宗仁
- 关键词：声表面波压电晶体晶体生长
- 硼酸铋晶体的坩埚下降法生长工艺
- 本发明涉及一种硼酸铋，BiB<Sub>3</Sub>O<Sub>6</Sub>晶体的坩埚下降法生长工艺，属于单晶生长领域。特征是：以Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和B<Sub>2</Sub>O<S...
- 徐家跃张爱琼丁嘉煊侍敏莉林雅芳钱国兴
- 文献传递
- 大尺寸四硼酸锂压电晶体转向生长
- 2016年
- 四硼酸锂(Li_2B_4O_7,LBO)晶体是一种性能优异的压电基片材料,坩埚下降法生长的直径为76 mm LBO晶体已成功应用于声表面波(SAW)和体波(BW)器件。由于硼酸盐熔体粘度大、晶体易开裂,生长直径为102 mm的LBO晶体产业化还有很大难度。本工作根据坩埚下降法技术特点,提出了转向生长LBO晶体的工艺方案,成功生长出60 mm×110 mm×120 mm板状晶体。晶体沿[001]方向快速生长,侧面主面为(110)。生长的板状晶体经准确定向、加工后即可获得高度60 mm、直径为102 mm(4 in)的[110]取向LBO晶体,生长速率和晶体产率较传统方法都有显著提高。
- 徐家跃李欣陆宝亮申慧侍敏莉张爱琼
- 关键词：坩埚下降法
