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张绛红

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇英寸
  • 1篇砷化镓
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇离子注入
  • 1篇快速热退火
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇张绛红
  • 1篇宋马成

传媒

  • 1篇半导体情报

年份

  • 1篇1996
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
2英寸GaAs快速热退火技术研究
1996年
为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。
张绛红宋马成郝景辰廉亚光
关键词：砷化镓快速热退火离子注入
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共1页<1>
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