张耀辉
- 作品数:5 被引量:4H指数:2
- 供职机构:北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金:国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:化学工程金属学及工艺更多>>
- 原位合成AlN粉体及AlN陶瓷材料的性能研究
- AlN陶瓷因能满足新一代集成电路封装材料所需的高热导率、低介电常数、绝缘性、热膨胀系数与Si相匹配等一系列性能而备受关注。然而,制备性能优异的AlN陶瓷有两方面困难。首先对AlN粉体原料的要求极高,特别是控制粉体的低氧含...
- 张耀辉
- 关键词:氮化铝原位合成烧结助剂热导率介电性能
- 一种原位合成含烧结助剂的复合氮化铝粉体的制备方法
- 一种原位合成含烧结助剂的复合氮化铝粉体的制备方法属于陶瓷粉末制备领域,其特征为采用铝合金作为原料,在NH<Sub>3</Sub>/H<Sub>2</Sub>混合气氛下通过控制反应室气体压强,原位合成含烧结助剂的复合氮化铝...
- 王群张耀辉王澈
- 文献传递
- 一种原位合成含烧结助剂的复合氮化铝粉体的制备方法
- 一种原位合成含烧结助剂的复合氮化铝粉体的制备方法属于陶瓷粉末制备领域,其特征为采用铝合金作为原料,在NH<Sub>3</Sub>/H<Sub>2</Sub>混合气氛下通过控制反应室气体压强,原位合成含烧结助剂的复合氮化铝...
- 王群张耀辉王澈
- 氮化铝陶瓷材料的介电性能被引量:2
- 2017年
- 选用La-Li-Ca三元系烧结助剂,通过模压成型、无压烧结技术,在1 750~1 900℃烧结温度,3~6 h保温时间范围内制得氮化铝(AlN)陶瓷。研究了陶瓷材料的物相组成、微观结构形貌和热导率,并分析了不同烧结保温时间和烧结温度对AlN陶瓷介电性能的影响规律。
- 姚晓明张耀辉于云飞金鑫王群
- 关键词:氮化铝介电常数介电损耗
- Zn元素对直接氮化法制备AlN粉体的影响被引量:2
- 2014年
- 为解决直接氮化法制备AlN粉体过程中存在的问题,采用具有高饱和蒸气压的Zn元素作为原料铝合金的合金元素,研究了Zn元素对Al-Zn以及Al-Mg-Zn合金直接氮化制备AlN粉体的影响。结果表明:Zn元素的挥发可以在反应初期破坏合金熔体氮化形成的氮化膜,避免熔体结块,提高转化率;另一方面,试验及热力学分析表明Zn元素的脱氧作用较差,而Mg元素可以在氮化过程中脱去气氛中的氧,避免Al2O3的形成。因此,采用Al-Mg-Zn三元合金进行直接氮化能够得到低含氧量、低金属杂质残留的纯相AlN。
- 张耀辉王群瞿志学汤云晖武彤
- 关键词:氮化铝直接氮化