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彭兴伟
作品数:
6
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供职机构:
上海集成电路研发中心
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相关领域:
电子电信
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合作作者
任铮
华东师范大学信息科学技术学院电...
胡少坚
上海集成电路研发中心
周伟
上海集成电路研发中心
唐逸
上海集成电路研发中心
李曦
华东师范大学信息科学技术学院电...
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机构
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胡少坚
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任铮
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彭兴伟
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周伟
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赵宇航
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2016
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MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法
本发明提供一种MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法,该方法依据收集到的被模拟MOS晶体管工艺线器件特性的统计信息,选取PSP模型的14个参数,最终得到了MOS晶体管工艺角PSP模型卡。这种基于PSP模型的MOS晶体...
任铮
胡少坚
周伟
唐逸
彭兴伟
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MOSFET器件电学特性变化测量方法
本发明提供一种MOSFET器件电学特性变化测量结构,包括:有源区,位于有源区之上的栅极,所述栅极为开尔文结构的电阻,所述栅极的两端各具有两个多晶硅电阻端点。本发明的优点在于区别和确定栅长变化、栅氧厚度变化和掺杂变化对MO...
彭兴伟
胡少坚
任铮
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MOSFET器件电学特性变化测量结构及测量方法
本发明提供一种MOSFET器件电学特性变化测量结构,包括:有源区,位于有源区之上的栅极,所述栅极为开尔文结构的电阻,所述栅极的两端各具有两个多晶硅电阻端点。本发明的优点在于区别和确定栅长变化、栅氧厚度变化和掺杂变化对MO...
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胡少坚
任铮
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MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法
本发明提供一种MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法,该方法依据收集到的被模拟MOS晶体管工艺线器件特性的统计信息,选取PSP模型的14个参数,最终得到了MOS晶体管工艺角PSP模型卡。这种基于PSP模型的MOS晶体...
任铮
胡少坚
周伟
唐逸
彭兴伟
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MOSFET栅与源漏交叠电容的测试及校准结构
本实用新型提供一种MOSFET栅与源漏交叠电容的测试及校准结构,包括测试结构和校准结构,所述测试结构包括:有源区本体,位于所述有源区本体之上的栅极,相较于所述有源区本体延伸出的、位于所述栅极两侧的源极延伸部和漏极延伸部,...
彭兴伟
胡少坚
任铮
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尺寸可变的65nm多叉指射频CMOS器件模型提取与优化
2011年
通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法。与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方法能够在14 GHz以内精确地预测器件性能。
任铮
李曦
彭兴伟
胡少坚
石艳玲
赵宇航
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射频
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