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彭文华
作品数:
10
被引量:2
H指数:1
供职机构:
株洲南车时代电气股份有限公司
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
蒋谊
株洲南车时代电气股份有限公司
张明
株洲南车时代电气股份有限公司
陈芳林
株洲南车时代电气股份有限公司
刘旭君
株洲南车时代电气股份有限公司
程银华
株洲南车时代电气股份有限公司
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被引量排序
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IGCT阴极图形排布的优化设计
被引量:1
2010年
简单分析了集成门极换流晶闸管(IGCT)门-阴极结构和工作原理,并在原有均匀矩形排布和均匀圆周排布的阴极图形基础上提出了一种新的排布方式——梳条分区复合排布。它不仅增加了IGCT阴极的有效面积,增大了电流容量,而且减小了热阻,改善了门极电流通道。
程银华
陈芳林
彭文华
关键词:
IGCT
一种快恢复二极管的制备方法
本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法,包括如下步骤:1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理;2)进行铝预沉积,在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入,并进行氧化推进工艺,使硅圆片内形成P<Sup>+</...
郭润庆
陈芳林
颜骥
高建宁
蒋谊
彭文华
陈勇民
邱凯兵
文献传递
一种扩散铝的方法
本发明公开了一种扩散铝的方法,包括:清洗多片硅陪片和具有硼扩散层的多片硅晶片;为每片硅晶片具有硼扩散层的表面配置硅陪片,并且叠片式排列所述多片硅晶片和多片硅陪片;将第一铝源壶、所述叠片式排列的多片硅晶片和多片硅陪片、第二...
张明
蒋谊
彭文华
雷云
刘旭君
文献传递
一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法
本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法,广泛应用于电力半导体、电力电子器件、全控型晶闸管等的阴极图形设计。阴极图形包括:以圆心为轴划分的等分扇区和同心圆环,扇区与同心圆环相交处为图形单元,分布在扇...
陈芳林
程银华
陈勇民
彭文华
张明
文献传递
一种半导体器件及测试模具、测试方法
本发明实施例提供一种半导体器件及测试方法、测试模具。其中,一种半导体器件,包括依次层叠设置的管盖、铝合金阳极、管芯芯片、铝合金阴极、门极和管座,每层相邻构件之间电性连接且所述门极还与所述管芯芯片电连接。半导体器件测试方法...
张明
李继鲁
蒋谊
彭文华
刘旭君
文献传递
1145RC-GCT局部电子辐照技术
被引量:1
2010年
描述局部电子辐照技术在一种新型半导体器件——1145RC-GCT中的应用,介绍了局部电子辐照技术的实现方法及控制手段。
蒋谊
雷云
彭文华
一种快恢复二极管的制备方法
本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法,包括如下步骤:1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理;2)进行铝预沉积,在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入,并进行氧化推进工艺,使硅圆片内形成P<Sup>+</...
郭润庆
陈芳林
颜骥
高建宁
蒋谊
彭文华
陈勇民
邱凯兵
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一种扩散铝的方法
本发明公开了一种扩散铝的方法,包括:清洗多片硅陪片和具有硼扩散层的多片硅晶片;为每片硅晶片具有硼扩散层的表面配置硅陪片,并且叠片式排列所述多片硅晶片和多片硅陪片;将第一铝源壶、所述叠片式排列的多片硅晶片和多片硅陪片、第二...
张明
蒋谊
彭文华
雷云
刘旭君
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一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法
本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法,广泛应用于电力半导体、电力电子器件、全控型晶闸管等的阴极图形设计。阴极图形包括:以圆心为轴划分的等分扇区和同心圆环,扇区与同心圆环相交处为图形单元,分布在扇...
陈芳林
程银华
陈勇民
彭文华
张明
一种半导体器件及测试模具、测试方法
本发明实施例提供一种半导体器件及测试方法、测试模具。其中,一种半导体器件,包括依次层叠设置的管盖、铝合金阳极、管芯芯片、铝合金阴极、门极和管座,每层相邻构件之间电性连接且所述门极还与所述管芯芯片电连接。半导体器件测试方法...
张明
李继鲁
蒋谊
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