徐婉静
- 作品数：17 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 高速12位D/A转换器
- 2006年
- 介绍了高速12位D/A转换器的电路设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.
- 李荣强李荣强刘道广严刚何开全刘玉奎谭开州张静杨秋冬钟怡舒曼徐婉静
- 关键词：D/A转换器
- 应用400℃低温Si技术制备应变Si沟道pMOSFET(英文)
- 2004年
- 在利用分子束外延方法制备 Si Ge p MOSFET中引入了低温 Si技术 .通过在 Si缓冲层和 Si Ge层之间加入低温 Si层 ,提高了 Si Ge层的弛豫度 .当 Ge主分为 2 0 %时 ,利用低温 Si技术生长的弛豫 Si1 - x Gex 层的厚度由UHVCVD制备所需的数微米降至 4 0 0 nm以内 ,AFM测试表明其表面均方粗糙度 (RMS)小于 1.0 2 nm.器件测试表明 ,与相同制备过程的体硅 p MOSFET相比 ,空穴迁移率最大提高了 2 5 % .
- 梅丁蕾杨谟华李竞春于奇张静徐婉静谭开洲
- 关键词：锗硅弛豫
- 基于BiCMOS技术高速数字/模拟转换器研究
- 本文基于BiCMOS技术,开展了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器位载体,开展了电路设计,工艺制作和测试;在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,...
- 刘道广舒曼徐婉静徐世六李荣强石建刚何开全刘玉奎谭开州张静杨秋冬钟怡
- 关键词：集成电路数模转换芯片设计
- 文献传递
- 基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器
- 2006年
- 基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间为50ns,增益误差为±8%FSR,积分非线性误差为1/2 LSB,功耗为500mW.
- 刘道广李荣强李荣强石建刚何开全刘玉奎谭开州张静杨秋冬钟怡舒曼徐婉静
- 关键词：D/A转换器
- 应变Si沟道CMOS中的离子注入工艺
- 2005年
- 为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备出适合做应变Si沟道CMOS的双阱及源漏。霍尔测试得表面电子迁移率为1 117cm2/V.s,载流子激活率为98%;原子力显微镜测试表明应变Si表面RMS为110 nm;XRD测试虚拟衬底SiGe弛豫度达96.41%;源漏结击穿电压为43.64 V。
- 谭静李竞春杨谟华徐婉静张静
- 关键词：STRAINEDSICMOS离子注入
- 240nm Si_(0.8)Ge_(0.2)虚衬底的应变Si沟道PMOSFET被引量：1
- 2007年
- 针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%。器件性能可与采用1μm以上SiGe虚衬底的PMOSFET器件相比拟。
- 李竞春韩春周谦张静徐婉静
- 关键词：SIGE应变SIPMOSFET
- 一种新颖的应变Si沟道pMOSFET制作技术
- 在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si技术,大大减少了驰豫SiGe层所需的厚度.TEM检测结果,应变Si层线位错密度低于106cm-2;原子力显微镜(AFM)测试,其表面...
- 张静徐婉静谭开洲李荣强李开成刘道广刘伦才舒曼
- 关键词：分子束外延PMOSFET
- 文献传递
- 按比例缩小SiGe HBT能量传输模型被引量：2
- 2005年
- 针对用传统的漂移扩散模型分析小尺寸SiGe HBT的局限性,采用新的能量传输模型.通过分析建立了小尺寸SiGe HBT(考虑Ge含量)的玻尔兹曼方程,得到不同区域电子温度的分布;并比较了不同基区宽度、不同Ge梯度下的电子温度曲线.结果发现在基区很薄的情况下,电子从基区向集电区渡越时,其温度逐渐升高,且大大高于晶格温度,且不同基区宽度基区电子温度变化率不同.
- 李垚刘嵘侃傅湘宁徐婉静
- 关键词：硅锗异质结双极晶体管电子温度
- 集成电路温度传感器技术研究进展被引量：4
- 2017年
- 与传统传感器相比,集成电路温度传感器具有设计简单、集成度高、响应速度快、精度高、功耗小、体积小、成本低廉等优点,在计算机、通信、电信及工业控制等领域得到广泛的应用。介绍了集成电路温度传感器的技术现状,并以CMOS传感器为重点,从敏感元件、电路设计、制造工艺、高温应用等方面,探讨了智能温度传感器精度控制的关键之处。
- 任芳徐婉静赖凡张杨波王文捷邱盛
- 关键词：集成电路温度传感器CMOS工艺精度控制
- 高端MOS管栅极驱动技术研究被引量：2
- 2016年
- 高端MOS管驱动电路在高压输入大功率电源中被广泛应用。分析了高端MOS管的驱动原理,对影响高端MOS管驱动的各种因素进行了探讨,提出了适合高端MOS管驱动的基本方法。较全面地评估了传统的变压器驱动电路和自举驱动电路对高端MOS管驱动的影响,继而提出了适合高端MOS管驱动的线路结构,并采用该方案设计了一个实验电路。仿真和实验电路测试结果表明,设计电路满足要求。
- 余海生徐婉静
