戴全钦
- 作品数：7 被引量：6H指数：1
- 供职机构：吉林大学材料科学与工程学院超硬材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 提取半导体胶体纳米晶的方法及其提取工具
- 本发明的提取半导体胶体纳米晶的方法及其提取工具属于液体的密封传输方法领域。本发明的方法是在无氧无水和氩气或氮气保护的schlenk系统中进行的，系统由三颈瓶1构成，三个颈是保护气体充气口4、塞有颈口胶塞3的提液口2和温控...
- 戴全钦阚世海李冬妹陈海勇邹广田
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- 一种合成超小尺寸CdSe和CdTe纳米晶的方法
- 本发明的一种合成CdSe和CdTe纳米晶的方法属于半导体纳米晶合成方法技术领域。工艺过程分为Se或Te溶液的制备、Cd溶液的制备和纳米晶的合成。Se或Te溶液的制备是，将Se粉或Te粉与三辛基磷混合搅拌1-3小时；Cd溶...
- 戴全钦邹广田李冬妹邹勃阚世海陈海勇
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- 新型半导体纳米晶制备,性质及其应用
- <正>半导体纳米晶,是近二十年来纳米科学研究的热点领域之一。半导体纳米晶的研究在丰富半导体科学的研究同时,还在发光材料、生物标记、光催化、太阳能电池、发光二极管和水处理等很多领域都具有潜
- 邹勃王英楠宁甲甲戴全钦肖宁如肖冠军杨新一
- 关键词：半导体纳米晶锂离子电池禁带宽度
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- CdSe等半导体纳米晶的合成及性质研究
- 戴全钦
- 关键词：CDSE单分散性魔力TOPOCDTE半导体纳米晶
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- 一种合成超小尺寸CdSe和CdTe纳米晶的方法
- 本发明的一种合成CdSe和CdTe纳米晶的方法属于半导体纳米晶合成方法技术领域。工艺过程分为Se或Te溶液的制备、Cd溶液的制备和纳米晶的合成。Se或Te溶液的制备是，将Se粉或Te粉与三辛基磷混合搅拌1－3小时；Cd溶...
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- 铝的等温状态方程被引量：5
- 2004年
- 采用原位高压同步辐射X射线衍射技术,利用金刚石对顶砧(DAC)装置产生高压,选用高纯NaCl粉末作为传压介质与标压物质,在室温下、21.5GPa的压力范围内,测定了铝的等温状态方程。利用Murnaghan方程对实验结果进行了数值拟合,得到铝的零压体弹模量及其一级压力导数分别为B0=(77±2)GPa,B0′=4.8±0.3。该结果同相关文献资料报导的值在误差范围内符合得很好,略显得较大,这是由于传压介质NaCl的非静水压效应所致。在实验所达到的压力范围内,未发现明显的相变迹象。
- 张剑谢燕武潘跃武焦虎军戴全钦崔启良刘景邹广田
- 关键词：铝等温状态方程DACX射线衍射技术
- 单分散性CdSe纳米晶的合成——成核及其生长过程被引量：1
- 2008年
- 在氩气保护下，用三辛基亚磷酸和油酸分别作为Se和Cd的配位体，在260～300℃的十八烯溶液中合成了尺寸可控的CdSe纳米晶。该纳米晶不用进行进一步的提纯和尺寸分离就具有单分散性，其量子尺寸限域效应非常明显——吸收光谱的第一吸收峰峰位随着纳米晶的长大而发生红移；该纳米晶质量很高，具有很强的发光能力，其发射光谱对称的形状和合理的Stokes频移（13nm）显示，该纳米晶的发光完全出自带隙，没有来自缺陷的发光。此外，实验结果表明，通过改变三辛基亚磷酸的浓度可以调节成核和生长的快慢，从而可以在不同的反应时间得到不同尺寸的单分散性CdSe纳米晶。
- 戴全钦王英楠李冬妹陈海勇阚世海邹勃宋艳立高世勇聂延光路红亮邹广田
- 关键词：CDSE纳米晶半导体纳米晶成核晶体生长
