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敦少博

作品数：89 被引量：15H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 64篇专利
  • 17篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 39篇电子电信
  • 7篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇化学工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 19篇衬底
  • 16篇晶体管
  • 15篇势垒
  • 14篇半导体
  • 11篇沟道
  • 10篇氧化镓
  • 10篇迁移率
  • 10篇刻蚀
  • 9篇光刻
  • 8篇电极
  • 8篇电子器件
  • 8篇电子迁移率
  • 8篇电子束曝光
  • 8篇异质结
  • 8篇频率特性
  • 8篇微电子
  • 8篇微电子器件
  • 8篇高电子迁移率
  • 8篇高电子迁移率...
  • 7篇晶圆

机构

  • 69篇中国电子科技...
  • 14篇专用集成电路...
  • 7篇四川大学
  • 4篇中国工程物理...
  • 3篇中国科学院
  • 2篇桂林医学院
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国航天

作者

  • 89篇敦少博
  • 79篇冯志红
  • 59篇吕元杰
  • 31篇房玉龙
  • 28篇顾国栋
  • 22篇宋旭波
  • 21篇尹甲运
  • 21篇韩婷婷
  • 17篇刘波
  • 16篇蔡树军
  • 10篇郭红雨
  • 9篇邢东
  • 7篇李佳
  • 6篇张雄文
  • 6篇卢铁城
  • 6篇胡强
  • 5篇付兴昌
  • 4篇唐彬
  • 4篇代君龙
  • 4篇张松宝

传媒

  • 8篇半导体技术
  • 4篇四川大学学报...
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇汕头大学学报...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇2011’全...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 11篇2022
  • 6篇2021
  • 5篇2020
  • 2篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 7篇2016
  • 4篇2015
  • 9篇2014
  • 9篇2013
  • 8篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 89 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
1047mA/mm常关型InAlN/GaN HEMT
镓基常关型高电子迁移率晶体管(GaN Normally-off HEMT)可以简化电路设计、降低复杂度,成为当前研究热点之一.传统AlGaN/GaN HEMT通常采用凹槽栅、p型盖帽层、F基等离子栅下处理等技术实现常关型...
顾国栋敦少博吕元杰房玉龙冯志红
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓
氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管
本发明提供了一种氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管，该方法包括在衬底的上表面外延生长n型的氧化镓沟道层；在氧化镓沟道层上制备掩膜层；对掩膜层的第一预设区域进行刻蚀处理，以露出氧化镓沟道层；在氧气氛围中，对露出...
王元刚敦少博吕元杰韩婷婷卜爱民许靖冯志红
基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构
本发明公开了一种基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构，属于半导体器件领域。本发明自下而上包括衬底层、背势垒结构层和沟道层；所述背势垒结构层由两层及以上不同Al组份的Al<Sub>x</Sub>GaN（0＜x＜1）...
王元刚冯志红敦少博吕元杰房玉龙徐鹏
文献传递
基于金刚石衬底的GaN场效应晶体管的制备方法
本发明提供了一种基于金刚石衬底的GaN场效应晶体管的制备方法，属于半导体制造技术领域，包括：SiC衬底正面制备GaN异质结层；减薄SiC衬底；刻蚀SiC衬底；生长金刚石层；去除牺牲层及其上的金刚石层；GaN异质结层的正面...
王元刚敦少博吕元杰付兴昌梁士雄宋旭波郭红雨冯志红
氧化镓SBD的制备方法及结构
本发明公开了一种氧化镓SBD的制备方法及结构，属于半导体制造技术领域，一种氧化镓SBD的制备方法，包括N+高浓度衬底，生长在N+高浓度衬底上的N‑低浓度氧化镓外延层，通过在N‑低浓度氧化镓外延层上淀积第一掩膜层和第二掩膜...
王元刚吕元杰孙肇峰敦少博刘宏宇周幸叶梁士雄冯志红
文献传递
一种双T型纳米栅及其制备方法
本发明涉及微电子器件技术领域，具体公开一种双T型纳米栅及其制备方法。所述双T型纳米栅生长在具有介质钝化层的基片上，所述介质钝化层包括底层介质钝化层和顶层介质钝化层；所述双T型纳米栅自下而上依次包括栅根、栅腰和栅帽；其中，...
顾国栋吕元杰敦少博梁士雄冯志红
降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法
本发明公开了一种降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，涉及氮化物的制备方法技术领域。所述方法包括以下步骤：1）外延结构生长，依次在衬底上形成GaN层和势垒层；2）在势垒层的上表面生长SiO<Sub>2</Sub>层；3）在...
吕元杰冯志红顾国栋郭红雨尹甲运敦少博
文献传递
石墨烯晶片的制备方法
本发明公开了一种石墨烯晶片的制备方法，该方法将经过表面处理的基板与石墨进行表面贴合，施加外应力使基板与石墨间产生原子键合力，用机械力将基板与石墨拉开即在基板上得到石墨烯晶片。解决了目前生产的石墨烯晶片尺寸小，以及尺寸、性...
敦少博尹甲运冯志红李佳刘波蔡树军
文献传递
改善短沟效应的栅控半导体器件
本发明公开了一种改善短沟效应的栅控半导体器件，涉及半导体高频器件技术领域。包括栅结构，所述栅结构通过两条以上的栅根进行支撑，所述栅根的总长度与单栅根的栅控半导体器件的栅根长度相同。所述栅控半导体采用多栅根的栅结构，且多栅...
王元刚冯志红敦少博吕元杰房玉龙徐鹏宋旭波谭鑫
文献传递
嵌入SiO_2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究被引量：1
2005年
作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成.分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明:300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光.
敦少博卢铁城胡强于晓林胡又文曾颖秋张松宝唐彬代君龙
关键词：离子注入光致发光X射线衍射
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