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施图万

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 3篇气相沉积
  • 3篇绝缘衬底
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇衬底
  • 2篇近程
  • 2篇CVD
  • 1篇铜箔
  • 1篇气体
  • 1篇两步法
  • 1篇金属
  • 1篇金属表面
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇光谱
  • 1篇过渡金属

机构

  • 4篇北京大学

作者

  • 4篇施图万
  • 3篇俞大鹏
  • 3篇吴孝松
  • 1篇陈建辉
  • 1篇陈建辉

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 3篇2013
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
绝缘衬底上石墨烯CVD 生长机理研究
烯中电子具有线性的色散关系和常温下非常高的迁移率,可以用来替代硅基材料成为下一代半导体行业的新希望[1].现在大面积石墨烯生长主要是有两种:SiC 外延生长[2]和金属辅助生长[3].为了避免高昂的成本和转移过程的繁琐工...
施图万吴孝松俞大鹏
关键词：石墨烯拉曼光谱AFM
蓝宝石上石墨烯的近程催化生长研究
2013年
在半导体或者绝缘衬底上利用化学气相沉积方法生长石墨烯和在金属上生长石墨烯相比具有很明显的优势,它克服了前期转移石墨烯时引入的杂质污染和缺陷产生的问题。本文提出了一种新的近程催化的方法可以在蓝宝石衬底上直接进行石墨烯的生长。该方法利用了金属作为催化剂的优势,又避免了转移石墨烯的过程。该方法能制备出完全覆盖衬底的石墨烯,同时石墨烯畴的大小接近1μm。基于生长过程中石墨烯的成核和畴的生长,本文提出了近程催化的生长机理。
施图万陈建辉吴孝松俞大鹏
关键词：化学气相沉积蓝宝石
绝缘衬底上石墨烯的CVD生长研究
石墨烯特殊的性质使得它在物理、材料科学和其他很多领域引起了越来越多的广泛的兴趣。预期这种材料可能在各个领域发现它的应用价值。大规模生长高质量的石墨烯材料是它实现工业化应用的重要步骤。因为在过渡金属表面能合成出高单晶质量的...
施图万
关键词：绝缘衬底过渡金属表面化学气相沉积
一种在绝缘衬底上生长大面积石墨烯的方法
本发明公开了一种在绝缘衬底上生长大面积石墨烯的方法。该方法以绝缘材料作为生长基底，以铜箔为催化剂，以碳源、氢气和保护气体为气源，采用两步法(低压生长和高压生长)的化学气相沉积方法，通过绝缘衬底和铜箔的面对面接触，利用铜箔...
陈建辉吴孝松施图万俞大鹏
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