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曹先雷

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇退火特性
  • 2篇薄膜应力
  • 2篇SI
  • 2篇SIO
  • 2篇SUB
  • 2篇DBR
  • 2篇INN
  • 1篇带通
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器
  • 1篇氮化铟
  • 1篇短波
  • 1篇中短波
  • 1篇射线衍射
  • 1篇退火
  • 1篇翘曲度
  • 1篇紫外
  • 1篇铝镓氮
  • 1篇滤波器
  • 1篇快速退火

机构

  • 5篇南京大学

作者

  • 5篇曹先雷
  • 3篇谢自力
  • 3篇张荣
  • 3篇陈鹏
  • 3篇韩平
  • 3篇修向前
  • 3篇郑有炓
  • 2篇丁煜
  • 2篇王健
  • 2篇施毅
  • 2篇张韵
  • 2篇刘斌
  • 2篇李烨操
  • 1篇陈敦军
  • 1篇李志成
  • 1篇施毅
  • 1篇滕龙
  • 1篇高望
  • 1篇刘斌
  • 1篇滕龙

传媒

  • 1篇中国激光
  • 1篇第四届全国信...

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基于SiO<Sub>2</Sub>/Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>分布式布拉格反射镜的紫外带通滤波器及制备
一种基于SiO<Sub>2</Sub>/Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>分布式布拉格反射镜的紫外带通滤波器,选用蓝宝石(0001)、氮化铝或铝镓氮衬底,衬底的表面为平整面;在衬底上或者具有紫外探测器...
刘斌高望张荣谢自力陈鹏曹先雷李志成修向前陈敦军韩平施毅郑有炓
文献传递
MOVCD外延应力在位测量设计及SiO/_2//Si/_3N/_4DBR的研究
异质外延在化合物半导体材料和器件的制备中起着至关重要的作用。在硅、蓝宝石衬底上异质外延GaN、ZnO、SiC等化合物半导体薄膜材料成为目前研究的热点。但是,由于外延薄膜与衬底之间热膨胀系数和大失配的问题,导致衬底与外延层...
曹先雷
关键词:薄膜应力PECVDDBR
文献传递
MOVCD外延应力在位测量设计及SiO<sub>2</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>DBR的研究
异质外延在化合物半导体材料和器件的制备中起着至关重要的作用。在硅、蓝宝石衬底上异质外延GaN、ZnO、SiC等化合物半导体薄膜材料成为目前研究的热点。但是,由于外延薄膜与衬底之间热膨胀系数和大失配的问题,导致衬底与外延层...
曹先雷
关键词:薄膜应力DBR
利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性被引量:2
2013年
研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型,利用X射线衍射(XRD)技术,对样品的对称面和非对称面做ω扫描,并且通过倒异空间图(RSM)扫描,拟合得到了刃位错与螺位错密度,并且根据在不同快速退火温度条件下位错密度的比较,同时结合迁移率的测量结果,发现快速退火温度采用400℃能有效地提高晶体的质量。原因在于快速退火能有效地激活Mg原子活性,降低材料中的载流子浓度,同时快速退火采用的氮气气氛能补偿部分起施主作用的氮空位,降低材料中载流子浓度的同时也降低了缺陷。同时,(002)面的摇摆曲线半峰全宽(FWHM)也很好地验证了所得结果。
王健谢自力张韵滕龙李烨操曹先雷丁煜刘斌修向前陈鹏韩平施毅张荣郑有炓
关键词:快速退火X射线衍射氮化铟
利用XRD研究Mg掺杂的InN的快速退火特性
研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg 掺杂的Inn 材料的影响。根据马赛克微晶模型,利用X 射线衍射技术(XRD),对样品的对称面和非对称面作ω扫描,并且通过倒异空间图(RSM)扫描,拟合得到了刃位错与螺位错密度,并...
王健陈鹏韩平施毅张荣郑有炓谢自力张韵滕龙李烨操曹先雷丁煜刘斌修向前
关键词:THINRTAXRDINNDOPING
共1页<1>
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