曹虹
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金浙江省科技计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- 一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性(英文)
- 2009年
- 利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的.光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜,p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.
- 季振国周荣福毛启楠霍丽娟曹虹
- 关键词：PN结
- 反应激光脉冲沉积法制备CoO和Co_3O_4薄膜
- 2011年
- 利用反应脉冲激光沉积法,以金属钴为靶材,通过改变衬底温度、反应气体氧气的流量等工艺参数,先后在玻璃衬底上成功制备了CoO薄膜以及Co3O4薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)研究了沉积工艺参数对沉积薄膜的晶体结构和光学特性的影响。结果表明,当氧气流量小于15sccm时,沉积的薄膜为岩盐矿结构的CoO,而当氧气流量大于15sccm时,沉积的薄膜为尖晶石矿结构的Co3O4。通过对紫外-可见吸收光谱的数据分析,证明CoO和Co3O4薄膜均为间接能带结构,禁带宽度分别为0.82eV和1.21eV。
- 季振国吴家亮曹虹席俊华李红霞
- 关键词：脉冲激光沉积钴氧化物禁带宽度光学性能
