李位勇
- 作品数：7 被引量：25H指数：3
- 供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金武汉市科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程化学工程更多>>
- AlN薄膜体声波谐振器的制备与性能分析被引量：6
- 2007年
- 采用直流磁控反应溅射,在Pt电极上沉积了AlN压电薄膜,并制备了以SiO2为声反射层的体声波谐振器。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微镜(AFM)测试表明,制备出的AlN薄膜具有高c轴择优取向、良好的柱状晶结构以及平滑的表面;用网络分析仪测试体声波谐振器得到较好的频率特性,即串、并联谐振频率分别为1.22 GHz1、.254 GHz,机电耦合系数为6.68%,带宽20 MHz。
- 张凯顾豪爽李位勇胡光胡明哲
- 关键词：磁控溅射氮化铝薄膜薄膜体声波谐振器
- 介质柱谐振器法测量微波陶瓷介电参数的误差分析与实验研究被引量：3
- 2006年
- 讨论微波介质谐振器介电常数与品质因数的测量技术、测量基本原理及有关参数的计算方法,同时也较详细地给出了实际测量中模式的判别方法及测量误差分析,并结合所用仪器的实验测量误差与理论误差进行比较.通过上述分析可知该方法对介电常数的测量较为精确,而对无载品质因数的测量误差相对较大,且随样品介电常数、高度的增大,测量误差减小.
- 胡明哲顾豪爽钱俊李位勇欧阳俊周东祥
- 关键词：介质测量介电常数品质因数
- C轴择优取向AlN薄膜的制备研究被引量：1
- 2005年
- 采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜.
- 李位勇张凯徐丹丹陈丽丽顾豪爽
- 关键词：ALN薄膜直流磁控反应溅射
- C轴择优取向AlN薄膜的制备研究
- 采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的...
- 李位勇张凯徐丹丹陈丽丽顾豪爽
- 关键词：ALN薄膜衬底温度表面形貌
- 文献传递
- 掺锰BNBT基压电陶瓷性能研究被引量：10
- 2003年
- 研究了添加不同剂量锰对(Bi1 2Na1 2)TiO3-BaTiO3(BNBT)二元系的介电、压电性能的影响.发现居里温度随锰掺杂量的增加而明显下降并逐步趋于稳定.当0≤x≤0.3时,介电性能随x的增加明显加强,在x=0.3时介电常数达到1850;当x>0.3时介电性能降低.压电常数d33、kt也表现出类似的变化趋势.另外,实验发现在该体系中添加适量Mn,可在较低的极化场强下得到较高的机电耦合系数,表明掺适量锰可以有效降低矫顽场强.
- 周小元顾豪爽李位勇宋蕊陈侃松
- 关键词：无铅压电陶瓷压电性能介电常数功能材料
- AlN薄膜体声波谐振器研究
- 2006年
- 采用一维Mason模型,研究了体声波谐振器的频率特性,探讨了压电薄膜A lN和上电极膜厚对谐振频率的影响,压电参数d33及压电薄膜与电极的厚度比率对机电耦合系数的影响,同时研究了谐振区域的面积和声能在衬底中的损耗对品质因数的影响。测量的体声波谐振器频率特性曲线与模拟结果吻合的较好。
- 李位勇顾豪爽张凯胡明哲胡光
- 关键词：体声波谐振器压电薄膜频率特性
- 锰掺杂对(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.92)Ba_(0.08)TiO_3压电陶瓷性能的影响被引量：5
- 2004年
- 研究了Mn掺杂对(Na0.5Bi0.5)0.92Ba0.08TiO3系陶瓷介电、压电与铁电性能的影响。X-ray衍射结构分析表明掺杂适量的Mn得到单一的钙钛矿结构,无第二相出现。当添加0.3wt%MnCO3时,介电常数达到1850;矫顽场强Ec降低至3.54kV/mm;压电常数d33达到160×10-12C/N。该材料的温度稳定性也得到改善。
- 周小元顾豪爽李位勇周桃生
- 关键词：MN掺杂电滞回线温度稳定性
