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基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料被引量：10: 2018年; 研究了表面预处理对GaN同质外延的影响,获得了高电子迁移率AlGaN/GaN异质结材料.通过NH_3/H_2混合气体与H_2交替通入反应室的方法对GaN模板和GaN半绝缘衬底进行高温预处理.研究结果表明,NH_3/H_2能够抑制GaN的分解,避免粗糙表面,但不利于去除表面的杂质,黄光带峰相对强度较高;H_2促进GaN分解,随时间延长GaN分解加剧,导致模板表面粗糙不平,AlGaN/GaN HEMT材料二维电子气迁移率降低.采用NH_3/H_2混合气体与H_2交替气氛模式处理模板或衬底表面,能够清洁表面,去除表面杂质,获得平滑的生长表面和外延材料表面,有利于提高AlGaN/GaN HEMT材料电学性能.在GaN衬底上外延AlGaN/GaN HEMT材料,2DEG迁移率达到2113 cm^2/V·s,电学性能良好.; 张志荣房玉龙尹甲运郭艳敏王波王元刚李佳芦伟立高楠刘沛冯志红; 关键词：金属有机物化学气相沉积氮化镓

表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长GaN材料的影响: 2017年; 基于范德瓦耳斯外延生长的氮化镓/石墨烯材料异质生长界面仅靠较弱的范德瓦耳斯力束缚,具有低位错、易剥离等优势,近年来引起了人们的广泛关注.采用NH_3/H_2混合气体对石墨烯表面进行预处理,研究了不同NH_3/H_2比对石墨烯表面形貌、拉曼散射的影响,探讨了石墨烯在NH_3和H_2混合气氛下的表面预处理机制,最后在石墨烯上外延生长了1.6μm厚的GaN薄膜材料.实验结果表明:石墨烯中褶皱处的C原子更容易与气体发生刻蚀反应,刻蚀方向沿着褶皱进行;适当NH_3/H_2比的混合气体对石墨烯进行表面预处理可有效改善石墨烯上GaN材料的晶体质量.本研究提供了一种可有效提高GaN晶体质量的石墨烯表面预处理方法,可为进一步研究二维材料上高质量的GaN外延生长提供参考.; 王波房玉龙尹甲运刘庆彬张志荣郭艳敏李佳芦伟立冯志红; 关键词：石墨烯氮化镓

双层准自由态外延石墨烯和晶体管: 由于石墨烯材料优越的电学特性，在高速高频电子领域已经显露出极大的潜能.准自由态外延石墨烯因其良好的晶体质量、高的载流子迁移率和无需转移等特点，是未来高频器件应用的候选材料.本文我们报道了碳化硅衬底外延的单层石墨烯在氢气环...; 冯志红蔚翠何泽召李佳刘庆彬

蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯被引量：8: 2016年; 化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响。原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、拉曼光谱和霍尔测试表明,低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。研究氢气和碳源对蓝宝石衬底表面刻蚀作用机理,发现氢气对蓝宝石衬底有刻蚀作用,而单纯的碳源不能对衬底产生刻蚀效果。在1200℃下,直径为50 mm的晶圆级衬底上获得平整度和质量相对较好的石墨烯材料,室温下载流子迁移超过1000 cm^2?V^(-1)?s^(-1)。; 刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红; 关键词：石墨烯蓝宝石化学气相沉积法生长温度

SiC同质外延材料表面形貌缺陷研究: 2019年; 本文针对SiC同质外延材料中的表面形貌缺陷展开研究,使用共聚焦表面缺陷分析仪对外延材料表面缺陷进行表征测试和统计。根据三角形缺陷的结构和形貌特征,分析三角形缺陷的产生机制和延伸模型,系统研究了刻蚀气体HCl流量对SiC外延材料表面三角形缺陷的影响,结果表明刻蚀气体流量和时间对三角形缺陷影响明显,在HCl流量为100mL/min时,4英寸SiC外延材料表面三角形缺陷密度最低,达到0.85/cm^(2)。结合KOH腐蚀工艺,研究胡萝卜位错的产生机理,通过优化SiC外延生长速率,实现SiC外延材料胡萝卜缺陷密度有效降低至0.2/cm^(2)以下。; 芦伟立李佳崔波冯志红; 关键词：SIC

S波段功率SiC MESFET(芯片)研制: 2011年; 介绍了一种S波段功率SiC MESFET芯片的研制技术。针对SiC材料的特点,对4H-SiC外延材料进行了设计和仿真,同时对Al记忆效应进行了研究,优化了4H-SiC外延生长技术。研究了栅长与沟道厚度纵横比(Lg/a)对短沟道效应和漏极势垒降低效应的影响。采用了凹槽栅结构和体标记电子束直写技术以及热氧化SiO2和SiNx复合钝化层设计等新制备工艺,实现了栅、漏泄漏电流的减小和源、漏击穿电压的提高。测试结果表明,功率SiC MESFET芯片在3.4 GHz频率下脉冲输出功率大于45 W,功率增益8.5 dB,漏极效率40%。测试条件为漏极工作电压48 V,脉宽100μs,占空比10%。; 李岚王勇默江辉李亮彭志农李佳蔡树军; 关键词：S波段功率 SIC MESFET 体标记

旋转双层石墨烯的电子结构被引量：1: 2013年; 本文将第一性原理和紧束缚方法结合起来,研究了层间不同旋转角度对双层石墨烯的电子能带结构和态密度的影响.分析发现,旋转双层石墨烯具有线性的电子能量色散关系,但其费米速度随着旋转角度的减小而降低.进一步研究其电子能带结构发现,不同旋转角度的双层石墨烯在M点可能会出现大小不同的的带隙,而这些能隙会增强双层石墨烯的拉曼模强度,并由拉曼光谱实验所证实.通过对比双层石墨烯的晶体结构和电子态密度,发现M点处带隙来自于晶体结构中的"类AB堆垛区".; 吴江滨张昕谭平恒冯志红李佳; 关键词：第一性原理紧束缚电子结构

缺陷单层和双层石墨烯的拉曼光谱及其激发光能量色散关系被引量：7: 2013年; 拉曼光谱作为一种无破坏性、快速且敏锐的测试技术已经成为表征石墨烯样品和研究其缺陷的最重要的实验手段之一.本论文用离子注入在单层和双层石墨烯中产生缺陷,并利用拉曼光谱研究了存在缺陷时单层和双层石墨烯的一阶和二阶拉曼模,单层石墨烯的D模为双峰结构,而双层石墨烯的D模具有四峰结构.同时,利用四条激光线系统地研究了本征和缺陷单层和双层石墨烯的拉曼峰频率的激发光能量依赖关系,并基于石墨材料的双共振拉曼散射机理指认了离子注入后样品各拉曼峰的物理根源.; 厉巧巧韩文鹏赵伟杰鲁妍张昕谭平恒冯志红李佳; 关键词：石墨烯拉曼光谱

双层石墨烯位于1800—2150cm^(-1)频率范围内的和频拉曼模: 2014年; 文章利用拉曼光谱研究了双层石墨烯在1800—2150 cm-1范围内的和频拉曼模.基于双共振拉曼散射理论,利用多波长激光拉曼散射结合声子色散曲线分别从实验上和理论上分析发现,双层石墨烯在此频率范围内主要存在4个拉曼模,它们主要由LO和LA或iTA按不同共振散射方式所组成的4个和频模,而iTO和oTO参与和频的可能性很小.文章澄清了学术界在1800—2150 cm-1频率范围内和频模的解释,有助于进一步深入理解多层石墨烯在此范围内的和频模.; 厉巧巧张昕吴江滨鲁妍谭平恒冯志红李佳蔚翠刘庆斌; 关键词：石墨烯拉曼光谱双共振

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李佳